一种显示面板及其制备方法技术

本发明专利技术实施例涉及显示技术领域，公开了一种显示面板及其制备方法。本发明专利技术中的显示面板，包括：堆叠设置的基板、第一介质层、功能层、第二介质层以及层间介质层，第二介质层包括第一阻挡膜，在第一条件下，第一阻挡膜的刻蚀速率大于层间介质层的刻蚀速率以及第二介质层的刻蚀速率，在第二条件下，第一阻挡膜的刻蚀速率小于层间介质层的刻蚀速率以及第二介质层的刻蚀速率；第一通孔，第一通孔自层间介质层延伸至功能层，且第一通孔贯穿层间介质层以及第一阻挡膜；第二通孔，第二通孔自层间介质层延伸至第一介质层，且第二通孔贯穿层间介质层以及第一阻挡膜。本发明专利技术提供的显示面板及其制备方法，能够提高生产效率，降低生产成本。

A display panel and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板及其制备方法
本专利技术实施例涉及显示
，特别涉及一种显示面板及其制备方法。
技术介绍
AMOLED(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiodeDisplay，有源矩阵驱动有机发光二极管显示装置)具有低制造成本、高应答速度、省电、可用于便携式设备的直流驱动、工作温度范围大等等优点，因此可望成为取代LCD(LiquidCrystalDisplay，液晶显示器)的下一代新型平面显示器。在AMOLED的制备过程中，可能出现在同一工艺制程中，需要制备多个深度不同的通孔的情况，此时，多个通孔制备的复杂度较高，生产效率较低，生产成本较大。
技术实现思路
本专利技术实施方式的目的在于提供一种显示面板及其制备方法，能够仅使用一个掩膜板、进行一次掩膜板对准即可形成不同深度的第一通孔和第二通孔，提高了生产效率，降低了生产成本。为解决上述技术问题，本专利技术的实施方式提供了一种显示面板，包括：堆叠设置的基板、第一介质层、功能层、第二介质层以及层间介质层，所述第二介质层包括第一阻挡膜，在第一条件下，所述第一阻挡膜的刻蚀速率大于所述层间介质层的刻蚀速率以及第二介质层的刻蚀速率，在第二条件下，所述第一阻挡膜的刻蚀速率小于所述层间介质层的刻蚀速率以及第二介质层的刻蚀速率；第一通孔，所述第一通孔自所述层间介质层延伸至所述功能层，且所述第一通孔贯穿所述层间介质层以及所述第一阻挡膜；第二通孔，所述第二通孔自所述层间介质层延伸至所述第一介质层，且所述第二通孔贯穿所述层间介质层以及所述第一阻挡膜。本专利技术的实施方式还提供了一种显示面板的制备方法，包括：提供基板；在所述基板上形成堆叠设置的第一介质层、功能层、第二介质层以及层间介质层，所述第二介质层包括第一阻挡膜，在第一条件下，所述第一阻挡膜的刻蚀速率大于所述层间介质层的刻蚀速率以及第二介质层的刻蚀速率，在第二条件下，所述第一阻挡膜的刻蚀速率小于所述层间介质层的刻蚀速率以及第二介质层的刻蚀速率；在所述层间介质层上形成图形化的掩膜层，所述掩膜层内具有第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于所述掩膜层的厚度，所述第二凹槽贯穿所述掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，沿所述第二凹槽对所述层间介质层以及所述第二介质层进行初始刻蚀处理，形成贯穿所述第一阻挡膜的第一预通孔，并分别沿所述第一凹槽和所述第一预通孔进行刻蚀处理以形成自所述层间介质层延伸至所述功能层的第一通孔、以及自所述层间介质层延伸至所述第一介质层的第二通孔。本专利技术实施方式相对于现有技术而言，由于所述第二介质层包括第一阻挡膜，在第一条件下，所述第一阻挡膜的刻蚀速率大于所述层间介质层的刻蚀速率以及第二介质层的刻蚀速率，在第二条件下，所述第一阻挡膜的刻蚀速率小于所述层间介质层的刻蚀速率以及第二介质层的刻蚀速率，从而在形成第一通孔和第二通孔的过程中，可以通过在所述层间介质层上形成图形化的掩膜层，所述掩膜层内具有第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于所述掩膜层的厚度，所述第二凹槽贯穿所述掩膜层，以所述掩膜层为掩膜，沿所述第二凹槽对所述层间介质层以及所述第二介质层进行初始刻蚀处理，形成贯穿所述第一阻挡膜的第一预通孔，利用第一阻挡膜高选择比的特性，从而在后续刻蚀第一预通孔以形成设定深度的第二通孔的过程中，第一阻挡膜能够保护第一通孔不被过度刻蚀，使得在形成第一通孔和第二通孔的过程中，仅需使用一个掩膜板形成具有第一凹槽和第二凹槽的掩膜层即可，无需使用两个掩膜板分别对深度不同的第一通孔和第二通孔进行刻蚀，提高了掩膜板对准的效率，同时降低了购置掩膜板的设备成本，从而提高了生产效率，降低了生产成本。另外，还包括：位于所述层间介质层远离所述第一阻挡膜的一侧的第二阻挡膜，所述第一通孔和所述第二通孔均贯穿所述第二阻挡膜，其中，所述第二阻挡膜的材料的相对介电常数大于所述层间介质层的材料的相对介电常数；优选的，所述第一阻挡膜和/或所述第二阻挡膜的材料为HfO2、TiO2、HfZrO、HfSiNO、Ta2O5、ZrO2、ZrSiO2、Al2O3、SrTiO3或BaSrTiO中一者或其任意组合。如此设置，第二阻挡膜对位于其下方的层间介质层具有保护的作用，从而提高了第一通孔的刻蚀精度。另外，所述功能层在所述基板上的正投影位于所述第一介质层在所述基板上的正投影内，且所述第二通孔在所述基板上的正投影与所述功能层在所述基板上的正投影相互独立。如此设置，在形成第二通孔的过程中，不会破坏所述功能层的结构，从而提高了功能层的可靠性。另外，所述第二介质层包括电容介质层，所述电容介质层包括所述第一阻挡膜、以及位于所述第一阻挡膜远离所述功能层一侧的电容绝缘膜，且所述第一阻挡膜的材料的相对介电常数大于所述电容绝缘膜的材料的相对介电常数；优选的，所述第二介质层还包括位于所述电容介质层靠近所述功能层一侧的所述栅介质层。另外，所述第二介质层包括栅介质层，所述栅介质层包括所述第一阻挡膜、以及位于所述第一阻挡膜朝向所述功能层一侧的栅绝缘膜，且所述第一阻挡膜的材料的相对介电常数大于所述栅绝缘膜的材料的相对介电常数；优选的，所述第二介质层还包括位于所述栅介质层远离所述功能层一侧的所述电容介质层。另外，所述刻蚀处理包括：对所述掩膜层进行减薄处理，使所述第一凹槽贯穿所述掩膜层；在所述第一凹槽贯穿所述掩膜层之后，以所述掩膜层为掩膜进行第一刻蚀处理，沿所述第一凹槽刻蚀所述层间介质层以及所述第二介质层、以露出所述第一阻挡膜，形成第二预通孔，且同时刻蚀所述第一预通孔底部；在所述第一刻蚀处理之后，以所述掩膜层为掩膜进行第二刻蚀处理，刻蚀去除所述第二预通孔底部的所述第一阻挡膜；在所述第二刻蚀处理之后，以所述掩膜层为掩模进行第三刻蚀处理，对所述第二预通孔底部进行刻蚀形成所述第一通孔，同时对所述第一预通孔底部进行刻蚀形成所述第二通孔。另外，所述第一刻蚀处理具体为：刻蚀所述第一预通孔底部，直至所述第一预通孔的深度等于所述第二通孔的设定深度与第一距离之差，其中，所述第一距离为所述功能层靠近所述第一阻挡膜一面、与所述第一阻挡膜靠近所述功能层一面的距离。如此设置，能够保证第一通孔和第二通孔均满足各自深度的需求规格。另外，在形成所述掩膜层之前，还包括：在所述层间介质层远离所述第一阻挡膜的一侧形成第二阻挡膜，所述第二阻挡膜的材料的相对介电常数大于所述层间介质层的相对介电常数；所述初始刻蚀处理以及所述减薄处理的工艺步骤，包括：以所述掩膜层为掩膜，沿所述第二凹槽对所述第二阻挡膜进行第四刻蚀处理，形成贯穿所述第二阻挡膜的初始预通孔；在所述第四刻蚀处理之后，对所述初始预通孔底部进行第五刻蚀处理，直至暴露出所述第一阻挡膜；在进行所述第五刻蚀处理之后，进行所述减薄处理；在进行所述减薄处理之后，以所述掩膜层为掩膜进行第六刻蚀处理，刻蚀去除所述第一凹槽下方的所述第二阻挡膜，同时刻蚀去除所述第二凹槽下方的所述第一阻挡膜。如此设置，第二阻挡膜对位于其下方的层间介质层具有保护的作用，从而能够避免在“去除所述第二凹槽下方的所述第一阻挡膜”的过程中所述第一凹槽相对应的位置被过度刻蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：/n堆叠设置的基板、第一介质层、功能层、第二介质层以及层间介质层，所述第二介质层包括第一阻挡膜，在第一条件下，所述第一阻挡膜的刻蚀速率大于所述层间介质层的刻蚀速率以及所述第二介质层的刻蚀速率，在第二条件下，所述第一阻挡膜的刻蚀速率小于所述层间介质层的刻蚀速率以及所述第二介质层的刻蚀速率；/n第一通孔，所述第一通孔自所述层间介质层延伸至所述功能层，且所述第一通孔贯穿所述层间介质层以及所述第一阻挡膜；/n第二通孔，所述第二通孔自所述层间介质层延伸至所述第一介质层，且所述第二通孔贯穿所述层间介质层以及所述第一阻挡膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
堆叠设置的基板、第一介质层、功能层、第二介质层以及层间介质层，所述第二介质层包括第一阻挡膜，在第一条件下，所述第一阻挡膜的刻蚀速率大于所述层间介质层的刻蚀速率以及所述第二介质层的刻蚀速率，在第二条件下，所述第一阻挡膜的刻蚀速率小于所述层间介质层的刻蚀速率以及所述第二介质层的刻蚀速率；
第一通孔，所述第一通孔自所述层间介质层延伸至所述功能层，且所述第一通孔贯穿所述层间介质层以及所述第一阻挡膜；
第二通孔，所述第二通孔自所述层间介质层延伸至所述第一介质层，且所述第二通孔贯穿所述层间介质层以及所述第一阻挡膜。


2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：位于所述层间介质层远离所述第一阻挡膜的一侧的第二阻挡膜，所述第一通孔和所述第二通孔均贯穿所述第二阻挡膜，其中，所述第二阻挡膜的材料的相对介电常数大于所述层间介质层的材料的相对介电常数；
优选的，所述第一阻挡膜和/或所述第二阻挡膜的材料为HfO2、TiO2、HfZrO、HfSiNO、Ta2O5、ZrO2、ZrSiO2、Al2O3、SrTiO3或BaSrTiO中一者或其任意组合。


3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述功能层在所述基板上的正投影位于所述第一介质层在所述基板上的正投影内，且所述第二通孔在所述基板上的正投影与所述功能层在所述基板上的正投影相互独立。


4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二介质层包括电容介质层，所述电容介质层包括所述第一阻挡膜、以及位于所述第一阻挡膜远离所述功能层一侧的电容绝缘膜，且所述第一阻挡膜的材料的相对介电常数大于所述电容绝缘膜的材料的相对介电常数；
优选的，所述第二介质层还包括位于所述电容介质层靠近所述功能层一侧的所述栅介质层。


5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二介质层包括栅介质层，所述栅介质层包括所述第一阻挡膜、以及位于所述第一阻挡膜朝向所述功能层一侧的栅绝缘膜，且所述第一阻挡膜的材料的相对介电常数大于所述栅绝缘膜的材料的相对介电常数；
优选的，所述第二介质层还包括位于所述栅介质层远离所述功能层一侧的所述电容介质层。


6.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供基板；
在所述基板上形成堆叠设置的第一介质层、功能层、第二介质层以及层间介质层，所述第二介质层包括第一阻挡膜，在第一条件下，所述第一阻挡膜的刻蚀速率大于所述层间介质层的刻蚀速率以及所述第二介质层的刻蚀速率，在第二条件下，所述第一阻挡膜的刻蚀速率小于所述层间介质层的刻蚀速率以及所述第二介质层的刻蚀速率；
在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：马应海，俞凤至，候旭，刘少伟，顾维杰，张振宇，
申请(专利权)人：云谷固安科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13