像素结构及其制备方法、显示器件技术

本发明专利技术涉及一种像素结构及其制备方法、显示器件。其中，像素结构包括：TFT基板；像素定义层，包括形成于所述TFT基板上的像素定义层主体和像素隔离柱；所述像素定义层主体上设有多个第一像素凹槽，所述像素隔离柱位于所述第一像素凹槽内并将所述第一像素凹槽至少分隔成两个第二像素凹槽，且所述像素定义层主体的高度大于所述像素隔离柱的高度；所述像素定义层主体远离所述TFT基板的表面、及所述像素隔离柱远离所述TFT基板的表面均经过氟等离子体处理形成疏水层。该能实现高分辨率显示器件的印刷。

Pixel structure, preparation method and display device

【技术实现步骤摘要】
像素结构及其制备方法、显示器件
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种像素结构及其制备方法、显示器件。
技术介绍
市场对显示器分辨率的要求越来越高，高分辨率的像素图案化技术对于显示器来说是一项至关重要的技术。目前，喷墨打印技术正在发展成为下一代的OLED像素图案化技术。在印刷工艺中，需要制备像素定义层(pixeldefinitionlayer，PDL，或者被称为Bank)，常用的bank制备采用黄光工艺，利用曝光显影等工艺来形成深度统一、形状基本固定的像素凹槽，用作容纳印刷墨水的“容器”。由于受打印设备精度以及墨水液滴尺寸的影响，对于传统的RGB条状排列的像素结构，很难实现高分辨率显示器件的制备。虽然，通过将相连像素的子像素共用掩膜(mask)上的开口，可以有效提高显示器件的分辨率，但是随着分辨率的增大，各子像素的尺寸就会减小，相应地各子像素凹槽的体积变小，像素凹槽内的墨水还是会因为体积变小而溢出像素凹槽，与相邻不同颜色的子像素发生颜色串扰，引起显示效果下降。而且，为了使像素凹槽内的印刷墨水干燥之后形成厚度均匀的薄膜，通常要求bank的上端具有疏水性，下端具有亲水性，像素定义层各个部位对材料的亲疏水特性有特定要求，因此，要满足高分辨率显示器件的印刷要求，像素结构还需要改进和发展。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种像素结构，能够解决因显示器件分辨率增大而引起像素面积减小、墨水外溢造成颜色串扰以及成膜不均匀的问题。一种像素结构，包括：TFT基板；像素定义层，包括形成于所述TFT基板上的像素定义层主体和像素隔离柱；所述像素定义层主体上设有多个第一像素凹槽，所述像素隔离柱位于所述第一像素凹槽内并将所述第一像素凹槽至少分隔成两个第二像素凹槽，且所述像素定义层主体的高度大于所述像素隔离柱的高度；所述像素定义层主体远离所述TFT基板的表面、及所述像素隔离柱远离所述TFT基板的表面均经过氟等离子体处理形成疏水层。本专利技术上述像素结构，一方面所述像素隔离柱将所述第一像素凹槽至少分隔成两个第二像素凹槽，且所述像素定义层主体的高度大于所述像素隔离柱的高度，从而位于第一像素凹槽的多个同种颜色的子像素可以一起共用第一像素凹槽的开口，同时进行打印，从而成倍的增大了墨水的沉积区域，因此可以有效减小各子像素的尺寸，同时保证墨水不会因子像素面积过小而发生溢出，弥补打印设备机械精度不足；另一方面，经过氟等离子体表面处理能有效控制像素定义层不同部位对亲疏水特性的要求，能够有效控制钉扎点的高度，有利于后续打印墨水的铺展及成膜后的均匀性控制，提高成膜均匀性，利于实现高分辨率显示器件的印刷。在其中一个实施例中，所述像素定义层主体高于所述像素隔离柱的部分侧壁也经过氟等离子体处理形成疏水层。在其中一个实施例中，所述像素定义层主体的高度为0.8μm～1.5μm，所述像素隔离柱的高度为0.2μm～0.5μm。在其中一个实施例中，所述像素隔离柱的侧壁与所述TFT基板的夹角为25°～65°。进一步地，所述像素隔离柱的侧壁与所述TFT基板的夹角为45°～55°。在其中一个实施例中，所述疏水层与水的接触角大于100°，所述第二像素凹槽的底部与水的接触角小于10°。本专利技术另一目的在于提供一种像素结构的制备方法，包括如下步骤：提供TFT基板；于所述TFT基板上沉积形成像素定义层，所述像素定义层包括像素定义层主体和像素隔离柱；所述像素定义层主体上设有多个第一像素凹槽，所述像素隔离柱位于所述第一像素凹槽内并将所述第一像素凹槽至少分隔成两个第二像素凹槽，且所述像素定义层主体的高度大于所述像素隔离柱的高度；对所述像素定义层主体远离所述TFT基板的表面、及所述像素隔离柱远离所述TFT基板的表面进行氟等离子体处理形成疏水层，即可。在其中一个实施例中，所述于所述TFT基板上沉积形成像素定义层的步骤为：于所述TFT基板上沉积像素定义层材料，形成像素定义层薄膜，利用纳米压印模具对所述像素定义层薄膜进行纳米压印，去除残留在所述TFT基板的电极上的像素定义层材料，形成所述像素定义层；所述纳米压印模具包括底板和设于底板上的分别与所述第一像素凹槽一一对应的多个凸起部，每一个所述凸起部的顶面设有与所述第二像素凹槽一一对应的凸起区域。在其中一个实施例中，所述氟等离子体处理的气体源为含氟气体，工艺参数为：压强为100mTorr～900mTorr，腔室真空度为10Pa～30Pa，设备工作频率13MHz，工作功率20W～45W，处理时间为10s～120s。在其中一个实施例中，所述像素定义层材料至少包括一种亲水性材料和一种疏水性材料。本专利技术又一目的在于提供一种显示器件，包括上述像素结构和形成于所述像素结构上的发光功能层。本专利技术利用纳米压印技术替代传统黄光工艺制备像素bank结构，由两道黄光工艺简化为一道纳米压印工艺，且为像素bank结构设计带来了更多便利。一方面，纳米压印技术可以方便调控每个像素凹槽的深度、形状、斜面倾斜角度，以及钉扎点高度等参数，有利于打印墨水的成膜及微腔效应的调节；另一方面，结合等离子体处理工艺，更有效地控制bank表面亲疏水特性，使得bank表面和bank底部亲疏水特性差异更明显，有利于液体薄膜的平坦性控制；更重要的是两层像素bank结构，通过纳米压印技术，使至少两个相同颜色的子像素共用同一个第一像素凹槽的开口，可以进行同时打印，弥补了inkjet设备机械精度的限制，超越了设备设计的打印能力，使得印刷OLED显示器件分辨率大幅提升，通过像素结构的排列和驱动电路的设计，改善了印刷OLED显示器件的精细程度，为印刷高分辨率显示器件提供了解决方案。附图说明图1为本专利技术一实施例像素结构的示意图；图2为本专利技术一实施例显示器件的TFT驱动和像素排列示意图；图3为本专利技术一实施例制备像素结构的纳米压印模具的结构示意图；图4为本专利技术一实施例纳米压印制备像素结构的流程工艺图；图5为本专利技术一实施例纳米压印制备得到的像素结构的示意图；图6为本专利技术一实施例对像素结构进行氟等离子体表面处理示意图；图7为本专利技术一实施例于像素结构内打印墨水的过程示意图。具体实施方式为了便于理解本专利技术，下面将对本专利技术进行更全面的描述，并给出了本专利技术的较佳实施例。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容的理解更加透彻全面。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。目前，像素bank层通常使用有机材料制备，为了在bank的不同高度获得疏水性与亲水性的差别，bank材料至少由两种成分本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素结构，其特征在于，包括：/nTFT基板；/n像素定义层，包括形成于所述TFT基板上的像素定义层主体和像素隔离柱；所述像素定义层主体上设有多个第一像素凹槽，所述像素隔离柱位于所述第一像素凹槽内并将所述第一像素凹槽至少分隔成两个第二像素凹槽，且所述像素定义层主体的高度大于所述像素隔离柱的高度；/n所述像素定义层主体远离所述TFT基板的表面、及所述像素隔离柱远离所述TFT基板的表面均经过氟等离子体处理形成疏水层。/n

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，其特征在于，包括：
TFT基板；
像素定义层，包括形成于所述TFT基板上的像素定义层主体和像素隔离柱；所述像素定义层主体上设有多个第一像素凹槽，所述像素隔离柱位于所述第一像素凹槽内并将所述第一像素凹槽至少分隔成两个第二像素凹槽，且所述像素定义层主体的高度大于所述像素隔离柱的高度；
所述像素定义层主体远离所述TFT基板的表面、及所述像素隔离柱远离所述TFT基板的表面均经过氟等离子体处理形成疏水层。


2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素定义层主体高于所述像素隔离柱的部分侧壁也经过氟等离子体处理形成疏水层。


3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素定义层主体的高度为0.8μm～1.5μm，所述像素隔离柱的高度为0.2μm～0.5μm。


4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素隔离柱的侧壁与所述TFT基板的夹角为25°～65°。


5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述疏水层与水的接触角大于100°，所述第二像素凹槽的底部与水的接触角小于10°。


6.一种像素结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供TFT基板；
于所述TFT基板上沉积形成像素定义层，所述像素定义层包括像素定义层主体和像素隔离柱；所述像素定义层主体上设有多个第一像素凹槽，所述像素隔离柱位于所述第一像素凹槽内并将所述第一像素凹...

【专利技术属性】
技术研发人员：高卓，唐卫东，杨曦，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44