基于静态随机储存单元阵列的单粒子翻转检测电路及方法技术

本发明专利技术提供一种基于静态随机储存单元阵列的单粒子翻转检测电路及方法，包括：提供一SRAM版图；对所述SRAM版图进行后道布线，将所述SRAM版图中存储单元的器件连接成单粒子翻转检测电路；基于所述单粒子翻转检测电路的输出信号监测单粒子效应敏感区域；其中，所述单粒子翻转检测电路包括由至少两个SRAM存储单元中的器件连接形成的环形振荡器。本发明专利技术完全保持SRAM版图布局，只需修改后道器件的连接关系；电路为自激振荡模式，无需增加复杂的检测电路，不需使用复杂的测试系统。也不需要额外开发测试程序；可以把输出直接连接到示波器，测试的过程中可以实时监控单粒子效应敏感区域，从而方便快捷的实现SRAM SEU检测。

Single event upset detection circuit and method based on SRAM

【技术实现步骤摘要】
基于静态随机储存单元阵列的单粒子翻转检测电路及方法
本专利技术涉及单粒子反转研究领域，特别是涉及一种基于静态随机储存单元阵列的单粒子翻转检测电路及方法。
技术介绍
半导体器件运行于太空或辐射环境中时，会受到宇宙射线及高能粒子的辐照。其中，单粒子翻转(Single-EventUpsets，SEU)是单个高能粒子作用于半导体器件，引发器件的逻辑状态发生异常变化。单粒子翻转是空间辐射造成的多种单粒子效应中最常见和最典型的一种，主要发生在数据存储或指令相关器件中。SRAM由于自身的高集成度造成了其自身十分敏感，SRAM在高能粒子辐射的环境中很容易出现一些单粒子效应(singleeventeffect，SEE)。单粒子翻转造成的器件错误属“软错误”，即通过系统复位、重新加电或重新写入能够恢复到正常状态。通常通过SRAM单粒子翻转效应检测电路对单粒子效应检测后进行复位即可使SRAM正常工作，但是现有的SRAM单粒子翻转效应检测电路一般都是采用复杂的外围检测电路或复杂的测试系统实现，相应成本高、可操作性受限。因此，如何简化SRAM单粒子翻转效本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于静态随机储存单元阵列的单粒子翻转检测电路，其特征在于，所述基于静态随机储存单元阵列的单粒子翻转检测电路至少包括：/n由至少两个SRAM存储单元中的器件连接形成的环形振荡器；所述环形振荡器包括振荡环路及连接于所述振荡环路的复位模块。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于静态随机储存单元阵列的单粒子翻转检测电路，其特征在于，所述基于静态随机储存单元阵列的单粒子翻转检测电路至少包括：
由至少两个SRAM存储单元中的器件连接形成的环形振荡器；所述环形振荡器包括振荡环路及连接于所述振荡环路的复位模块。


2.根据权利要求1所述的基于静态随机储存单元阵列的单粒子翻转检测电路，其特征在于：所述振荡环路包括依次交替串联连接的N级反相器及N级MOS管，其中，N为大于1的奇数。


3.根据权利要求1所述的基于静态随机储存单元阵列的单粒子翻转检测电路，其特征在于：所述振荡环路包括串联的N级反相器及连接于每两个反相器之间的一对并联MOS管，最后一级反相器的输出端连接一MOS管，其中，N为大于1的奇数。


4.根据权利要求1所述的基于静态随机储存单元阵列的单粒子翻转检测电路，其特征在于：所述振荡环路包括依次交替串联连接的N级反相器及N对并联MOS管，其中，N为大于1的奇数。


5.根据权利要求1所述的基于静态随机储存单元阵列的单粒子翻转检测电路，其特征在于：形成所述环形振荡器的SRAM存储单元受同一字线的控制。


6.根据权利要求1～5任意一项所述的基于静态随机储存单元阵列的单粒子翻转检测电路，其特征在于：所述复位模块包括下拉MOS管及连接于所述下拉MOS管控制端的反相器。


7.根据权利要求1～5任意一项所述的基于静态随机储存单元阵列的单粒子翻转检测电路，其特征在于：所述基于静态随机储存单元阵列的单粒子翻转检测电路还包括依次连接于所述环形振荡器输出端的传输门及输出整形模块。


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【专利技术属性】
技术研发人员：王本艳，陈静，董业民，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31