一种半导体装置及其探针测试方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置，包括底座基板，连接探针，陶瓷管，填充保护层结构，防氧化盖，手拉带，加热丝，侧拉柄，侧防护壳，电极阴极，电极阳极，蜂鸣警报器，指示灯和装置主壳体，所述的底座基板螺钉连接在装置主壳体的下部位置。本发明专利技术一种半导体装置的探针测试方法，具体包括以下步骤待测试半导体装置的处理；半导体装置与测试探针卡连接；探针卡与测试装置连接：测试数据的分析；有效信息的输出；无效信息的输出测试结果的反馈；本发明专利技术一次完成多个芯片的全流程测试，提高了测试效率，这同时也反映在降低测试成本上；并能够对测试数据进行分类的处理输出，并且输出形式多种多样方便直观观察，提高阅读收集的便捷性。

A semiconductor device and its probe test method

【技术实现步骤摘要】
一种半导体装置及其探针测试方法
本专利技术属于半导体装置
，尤其涉及一种半导体装置及其探针测试方法。
技术介绍
近年的移动个人计算机、平板个人计算机、智能电话等的普及、扩大中有显著的设备，搭载于这些设备的电子部件也有向多方面扩大的可能性。也希望功能的丰富性和富有便携性的设计，大部分有重量轻、厚度薄、并具有紧凑性的特征。因此在对所搭载的电子部件也要求小型、薄型、低成本，其结果，往往采用树脂模封装。商品的销售更换周期变短的过程中，同时要求所搭载的封装的小型、薄型、低成本，其结果，出现了制品的可靠性变得不充分、封装的强度较低且脆弱等的弊端。该理由是因为小型、薄型化多数不是伴随现有的材料、原料、结构这样要素的变更、更新，而是大多进行收缩(shrink)的缘故。因为进行收缩，所以不能弥补变薄细的密封树脂厚度或引线框厚度、封装基板厚度的变化，进而低成本化也会影响到难以确保充分的可靠性的方面。因此，需要提高越来越小型化、薄型化的电子部件的可靠性的结构或重新进行设计。特别是多数半导体封装被产品化的树脂模封装中，随着构成材料或框架变薄、变小，实现不变的可靠性成为重要的课题，各式各样的尝试对半导体封装的开发而言，是更加重要的。另外，中国专利公开号为CN104282634B，专利技术创造名称为半导体装置包括：具有安装半导体芯片的内底面的中空部；包括包围中空部的围绕部和底面部的树脂成形体；内部引线；以及从树脂成形体露出的外部引线，其中，在埋入树脂成形体的内部引线设有设置贯通孔的“L”字形的引线延伸部。但是现有的半导体装置及其探针测试方法还存在着稳定性较差，拆装组合不方便以及测试数据收集不方便的问题。有鉴于此，专利技术一种半导体装置及其探针测试方法是非常必要的。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体装置及其探针测试方法，以解决现有的半导体装置及其探针测试方法稳定性较差，拆装组合不方便以及测试数据收集不方便的问题。一种半导体装置，所述装置，包括底座基板，连接探针，陶瓷管，填充保护层结构，防氧化盖，手拉带，加热丝，侧拉柄，侧防护壳，电极阴极，电极阳极，蜂鸣警报器，指示灯和装置主壳体，所述的底座基板螺钉连接在装置主壳体的下部位置；所述的连接探针镶嵌在底座基板的下部；所述的陶瓷管镶嵌在装置主壳体的内部位置；所述的填充保护层结构填充在装置主壳体的内部；所述的防氧化盖套接在连接探针的外侧下部位置；所述的手拉带胶接在防氧化盖的下表面中间位置；所述的加热丝镶嵌在填充保护层结构的内部中间位置；所述的侧拉柄螺钉连接在侧防护壳的外侧中间位置；所述的侧防护壳分别扣接在装置主壳体的左右两端位置；所述的电极阴极和电极阳极分别镶嵌在装置主壳体的上部左右两侧位置；所述的蜂鸣警报器镶嵌在装置主壳体的正表面左上侧；所述的指示灯镶嵌在装置主壳体的正表面右上侧。优选的，所述的填充保护层结构包括栅极绝缘膜层，第一金属氧化物层，氧化物半导体膜层，定型布线层，第二金属氧化物层和氧化物膜，所述的第一金属氧化物层涂抹在栅极绝缘膜层和氧化物半导体膜层之间；所述的氧化物半导体膜层胶接在定型布线层的上部；所述的定型布线层胶接在第二金属氧化物层的上部；所述的第二金属氧化物层氧化物膜的上部。优选的，所述的栅极绝缘膜层与电极阴极和电极阳极重叠设置。优选的，所述的氧化物半导体膜层的上端与所述的氧化物膜的下端宽度一致。优选的，所述的氧化物半导体膜层及所述的氧化物膜各自都包含In-W-Zn氧化物，其中W为选自由Al、Ga、Ge、Y、Zr、La、Ce和Nd构成的组中的一个，并且其中，所述的氧化物膜的In对W的原子个数比小于所述的氧化物半导体膜层。优选的，所述的氧化物膜为非晶的；所述的氧化物半导体膜层为结晶的。优选的，所述的第一金属氧化物层和第二金属氧化物层具体采用采用铜氧化层。同样，本专利技术也提供了一种半导体装置的探针测试方法，具体包括以下步骤：步骤一：待测试半导体装置的处理；步骤二：半导体装置与测试探针卡连接；步骤三：探针卡与测试装置连接：步骤四：测试数据的分析；步骤五：有效信息的输出；步骤六：无效信息的输出步骤七：测试结果的反馈。优选的，在步骤一中，将半导体装置的连接探针中包括若干接触电极，在所述待测区域的周围形成若千个缓冲垫，所述缓冲垫自下至上包括一介质层和一金属层；优选的，在步骤二中，将同一晶圆上所有类型芯片电学测试所需要的探针制造在同一张探针卡上；芯片类型的划分条件：芯片种类、芯片形状、芯片尺寸和芯片焊垫排布关系均不同的芯片被划分为不同类型；优选的，在步骤三中，将探针卡连接被测芯片，通过测试装置执行测试；所述的测试装置采用SOC测试仪，SOC测试仪的DFM模块记录不同类型的失效BIN信息,SOC测试仪对不同种类的失效BIN信息进行区分，将不同种类的失效BIN信息上传到对应的服务器上；优选的，在步骤四中，利用SOC测试仪对测试数据的进行分析处理；将所述的连接探针分别移到邻近的所述的接触电极，并分别与相应的所述接触电极接触，在每个所述探针.上加不同的偏压，从而测试半导体器件的电学特性；优选的，在步骤五中，首先对有效的探针信息进行输出，输出多种格式包括Word、Excel。优选的，在步骤六中，对失效的探针信息进行输出，输出多种格式包括Word、Excel。与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：由于本专利技术的一种半导体装置及其探针测试方法广泛应用于半导体制品
本专利技术在防氧化盖和手拉带的作用下起到对连接探针的保护作用，防止氧化保证其稳定性；同时在测试过程中蜂鸣警报器和指示灯会起到指示的作用；在侧拉柄和侧防护壳的作用下方便对该装置进行拼装拆卸；本专利技术一次完成多个芯片的全流程测试，提高了测试效率，这同时也反映在降低测试成本上；并能够对测试数据进行分类的处理输出，并且输出形式多种多样方便直观观察，提高阅读收集的便捷性。附图说明图1是本专利技术的结构示意图；图2是本专利技术的俯视的结构示意图；图3是本专利技术的仰视的结构示意图；图4是本专利技术的填充保护层结构的结构示意图；图5是本专利技术的探针测试方法流程图；图中：1、底座基板；2、连接探针；3、陶瓷管；4、填充保护层结构；41、栅极绝缘膜层；42、第一金属氧化物层；43、氧化物半导体膜层；44、定型布线层；45、第二金属氧化物层；46、氧化物膜；5、防氧化盖；6、手拉带；7、加热丝；8、侧拉柄；9、侧防护壳；10、电极阴极；11、电极阳极；12、蜂鸣警报器；13、指示灯；14、装置主壳体。具体实施方式下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和显示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置及其探针测试方法，包括底座基板(1)，连接探针(2)，陶瓷管(3)，填充保护层结构(4)，防氧化盖(5)，手拉带(6)，加热丝(7)，侧拉柄(8)，侧防护壳(9)，电极阴极(10)，电极阳极(11)，蜂鸣警报器(12)，指示灯(13)和装置主壳体(14)，所述的底座基板(1)螺钉连接在装置主壳体(14)的下部位置；所述的连接探针(2)镶嵌在底座基板(1)的下部；所述的陶瓷管(3)镶嵌在装置主壳体(14)的内部位置；所述的填充保护层结构(4)填充在装置主壳体(14)的内部；所述的防氧化盖(5)套接在连接探针(2)的外侧下部位置；所述的手拉带(6)胶接在防氧化盖(5)的下表面中间位置；所述的加热丝(7)镶嵌在填充保护层结构(4)的内部中间位置；所述的侧拉柄(8)螺钉连接在侧防护壳(9)的外侧中间位置；所述的侧防护壳(9)分别扣接在装置主壳体(14)的左右两端位置；所述的电极阴极(10)和电极阳极(11)分别镶嵌在装置主壳体(14)的上部左右两侧位置；所述的蜂鸣警报器(12)镶嵌在装置主壳体(14)的正表面左上侧；所述的指示灯(13)镶嵌在装置主壳体(14)的正表面右上侧。/n...

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置及其探针测试方法，包括底座基板(1)，连接探针(2)，陶瓷管(3)，填充保护层结构(4)，防氧化盖(5)，手拉带(6)，加热丝(7)，侧拉柄(8)，侧防护壳(9)，电极阴极(10)，电极阳极(11)，蜂鸣警报器(12)，指示灯(13)和装置主壳体(14)，所述的底座基板(1)螺钉连接在装置主壳体(14)的下部位置；所述的连接探针(2)镶嵌在底座基板(1)的下部；所述的陶瓷管(3)镶嵌在装置主壳体(14)的内部位置；所述的填充保护层结构(4)填充在装置主壳体(14)的内部；所述的防氧化盖(5)套接在连接探针(2)的外侧下部位置；所述的手拉带(6)胶接在防氧化盖(5)的下表面中间位置；所述的加热丝(7)镶嵌在填充保护层结构(4)的内部中间位置；所述的侧拉柄(8)螺钉连接在侧防护壳(9)的外侧中间位置；所述的侧防护壳(9)分别扣接在装置主壳体(14)的左右两端位置；所述的电极阴极(10)和电极阳极(11)分别镶嵌在装置主壳体(14)的上部左右两侧位置；所述的蜂鸣警报器(12)镶嵌在装置主壳体(14)的正表面左上侧；所述的指示灯(13)镶嵌在装置主壳体(14)的正表面右上侧。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述的填充保护层结构(4)包括栅极绝缘膜层(41)，第一金属氧化物层(42)，氧化物半导体膜层(43)，定型布线层(44)，第二金属氧化物层(45)和氧化物膜(46)，所述的第一金属氧化物层(42)涂抹在栅极绝缘膜层(41)和氧化物半导体膜层(43)之间；所述的氧化物半导体膜层(43)胶接在定型布线层(44)的上部；所述的定型布线层(44)胶接在第二金属氧化物层(45)的上部；所述的第二金属氧化物层(45)氧化物膜(46)的上部。


3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述的栅极绝缘膜层(41)与电极阴极(10)和电极阳极(11)重叠设置。


4.根据权利要求2所述的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘家铭，张孝仁，苏华庭，
申请(专利权)人：淮安芯测半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32