【技术实现步骤摘要】
半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新装置与方法
：本专利技术属于光学检测和机器视觉领域，尤其涉及一种半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新装置及方法。
技术介绍
：在机器视觉成像检测应用中，当待检测物体较大时，通常在一个工位选用一个视场合适的远心成像镜头检测物体的一个面，当待测物体较小时（如半导体光电元器件），为了提高检测速度，并充分使用远心成像镜头的有效视场，采用一个工位上的一个远心成像镜头同时检测物体的两个面的技术方案。半导体晶粒相邻面同时缺陷检测的装置与方法需要解决的主要技术问题包括双面检测光路的等光程成像与等照度照明。双面成像光路的光程差主要取决于系统的以下设计与结构参数：①与合像器/分束器上获得的双面像之间的距离△=a+d（设计参数）其中a为物体尺寸，d为物体双面像相邻边缘之间为满足图像识别处理所需要的最小距离；当物体尺寸a增大时，△也随之增大；②分束器/合像器中心到晶粒中心的水平（或垂直）距离（结构参数L1）；在底面与侧面同时检测光路中，L1与载物转盘的尺寸及...
【技术保护点】
1.一种半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新装置，其特征在于：包括在光路方向上依次设置的相机、远心成像镜头、半透半反射合像器、半导体晶粒和用于承置半导体晶粒的透明载物台，在半导体晶粒与半透半反射合像器之间的光路上分别设有第一直角转像棱镜和第二直角转像棱镜，第一直角转像棱镜和第二直角转像棱镜位于半导体晶粒的周侧部，第一直角转像棱镜和半透半反射合像器位于远心成像镜头的光轴上，且半透半反射合像器与光轴倾斜设置，第二直角转像棱镜位于远心成像镜头光轴的第一侧部，两个直角转像棱镜各自的两个直角面均与光路垂直，半导体晶粒的两个相邻面分别经直角转像棱镜、半透半反射合像器以双光路成像...
【技术特征摘要】
1.一种半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新装置，其特征在于：包括在光路方向上依次设置的相机、远心成像镜头、半透半反射合像器、半导体晶粒和用于承置半导体晶粒的透明载物台，在半导体晶粒与半透半反射合像器之间的光路上分别设有第一直角转像棱镜和第二直角转像棱镜，第一直角转像棱镜和第二直角转像棱镜位于半导体晶粒的周侧部，第一直角转像棱镜和半透半反射合像器位于远心成像镜头的光轴上，且半透半反射合像器与光轴倾斜设置，第二直角转像棱镜位于远心成像镜头光轴的第一侧部，两个直角转像棱镜各自的两个直角面均与光路垂直，半导体晶粒的两个相邻面分别经直角转像棱镜、半透半反射合像器以双光路成像在相机传感器面上不同的区域位置。
2.根据权利要求1所述半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新装置，其特征在于：所述半透半反射合像器由反射透射双区合像器替换。
3.根据权利要求1所述半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新装置，其特征在于：所述半透半反射合像器由立方分束器替换。
4.根据权利要求1或2所述半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新装置，其特征在于：所述装置设有照明光源，照明光源为位于远心成像镜头外的同轴外置照明光源；或者照明光源为内置于远心成像镜头内的同轴内置照明光源。
5.根据权利要求3所述半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新装置，其特征在于：所述装置设有照明光源与背光照明光源，同轴外置照明光源位于远心成像镜头光轴的第二侧部，以及背光照明光源位于半导体晶粒的侧部和透明载物台的下方。
6.根据权利要求1所述半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新装置，其特征在于：所述第一直角转像棱镜位于半导体晶粒的一侧部，第二直角转像棱镜位于半导体晶粒的天面上方。
7.根据权利要求1所述半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新装置，其特征在于：所述第一直角转像棱镜位于半导体晶粒的一侧部，第二直角转像棱镜位于半导体晶粒底面的透明载物台的下方。
8.一种半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新方法，其特征在于：所述半导体晶粒相邻面同时准等光程共焦成像检测的新装置包括在光路方向上依次设置的相机、远心成像镜头、半透半反射合像器、半导体晶粒和用于承置半导体晶粒的透明载物台，...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖廷俤，陈武，付宝玉，
申请(专利权)人：泉州师范学院，
类型：发明
国别省市：福建;35
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