【技术实现步骤摘要】
涂布系统
在至少一方面，本专利技术涉及电弧沉积系统和相关方法。具体来说，本专利技术涉及一种用于高容量PE-CVD处理的等离子体通道
技术介绍
使用物理气相沉积(PVD)源和低压化学气相沉积(CVD)源进行涂层沉积和表面处理。在过去的25年中，已经建立了作为高度电离的等离子体的可靠来源的阴极电弧沉积(即一种物理沉积)，以用于沉积来自如锆、钛、铬、铝、铜及其合金等导电靶材料的反应涂层及未反应涂层。在电弧蒸发过程中产生的高度电离的等离子体和相关的电子束也用于如离子溅射、蚀刻、注入和扩散过程等表面处理技术中。在典型的阴极电弧涂布过程中，电弧使来自阴极靶的材料汽化。然后在基板上冷凝汽化材料以形成涂层。尽管阴极电弧系统工作良好，但是这种系统通常仅限于一种或几种应用。由于涂布系统并且特别是电弧沉积相对较高的资金费用，因此期望任何给定系统能够在许多不同的应用中操作。这些应用仅包含溅射、仅包含阴极电弧沉积、同时包含溅射加阴极电弧等。因此，需要具有改进的多功能性的涂布系统。
技术实现思路
本专利技术通过在至少...
【技术保护点】
1.一种涂布系统，其包括：/n涂布室，所述涂布室具有外围室壁、顶壁和底壁，所述外围室壁限定室中心；/n等离子体源，所述等离子体源定位在所述室中心处；/n样品保持器，所述样品保持器固持多个待涂布基板，所述样品保持器能够在距所述室中心的第一距离处绕所述室中心旋转；以及/n第一隔离屏蔽件，所述第一隔离屏蔽件相对于所述室中心定位在距所述室中心的第二距离处，所述第一隔离屏蔽件带负电荷。/n
【技术特征摘要】
20181024 US 16/169,7771.一种涂布系统，其包括：
涂布室，所述涂布室具有外围室壁、顶壁和底壁，所述外围室壁限定室中心；
等离子体源，所述等离子体源定位在所述室中心处；
样品保持器，所述样品保持器固持多个待涂布基板，所述样品保持器能够在距所述室中心的第一距离处绕所述室中心旋转；以及
第一隔离屏蔽件，所述第一隔离屏蔽件相对于所述室中心定位在距所述室中心的第二距离处，所述第一隔离屏蔽件带负电荷。
2.根据权利要求1所述的涂布系统，其进一步包括至少一个远程阳极，所述至少一个远程阳极定位在距所述室中心的第三距离处，所述第三距离大于所述第一距离和所述第二距离。
3.根据权利要求1所述的涂布系统，其中所述第一隔离屏蔽件为金属网筛。
4.根据权利要求1所述的涂布系统，其中所述第二距离大于所述第一距离。
5.根据权利要求4所述的涂布系统，其进一步包括第二隔离屏蔽件，所述第二隔离屏蔽件定位在距所述室中心的第四距离处，所述第四距离小于所述第一距离。
6.根据权利要求5所述的涂布系统，其中所述第一隔离屏蔽件是外金属网筛，并且所述第二隔离屏蔽件是内金属网筛。
7.根据权利要求6所述的涂布系统，其中基板被加偏压到与所述内金属网筛相同的电位。
8.根据权利要求6所述的涂布系统，其中所述外金属网筛和所述内金属网筛具有各自独立地为1mm到50mm的开口。
9.根据权利要求6所述的涂布系统，其中所述外网筛和所述内网筛具有各自独立地为1mm到50mm的开口。
10.根据权利要求6所述的涂布系统，其中待涂布基板封闭在由将所述基板与所述外围室壁分离的所述第一隔离屏蔽件和将基板与中心阴极棒分离的所述第二隔离屏蔽件建立的容器中。
11.根据权利要求1所述的涂布系统，其中所述第二距离小于所述第一距离。
12.根据权利要求1所述的涂布系统，其中所述等离子体源包括中心阴极棒和围绕所述中心阴极棒的中心线圈。
13.根据权利要求12所述的涂布系统，其中多个阴极棒围绕所述中心阴极棒和所述中心线圈。
14.根据权利要求13所述的涂布系统，其中所述多个阴极棒包含偶数个棒状阴极，所述棒状阴极的纵轴被对齐为平行于所述外围室壁。
15.根据权利要求14所述的涂布系统，其中所述多个阴极棒中的每个阴极棒能够绕纵轴旋转。
16.根据权利要求15所述的涂布系统，其进一步包括多个阻挡屏蔽件，使得阻挡屏蔽件定位在所述多个阴极棒中的交替阴极棒对之间。
17.根据权利要求1所述的涂布系统，其适用于在带负电荷的金属网容器内产生的中空阴极气态等离子体中进行离子清洗和离子表面处理。
18.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：V·戈罗霍夫斯基，G·卡马特，布赖斯·安东，K·鲁迪，
申请(专利权)人：蒸汽技术公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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