一种功率模块制造技术

本实用新型专利技术提供了一种功率模块，包括：功率芯片设置在基板上，正极端子、负极端子、交流端子分别与基板连接，每一组发射极引线对应一组功率芯片，第一组发射极引线与第一组功率芯片连接，且第一组发射极引线与负极端子一体成型；第二组发射极引线与第二组功率芯片连接，且第二组发射极引线、交流端子、第一信号端子一体成型，其余信号端子设置在基板上并通过导线与功率芯片连接。通过上述方式，引线与电极端子一体成型，无需焊接，且一体成型材料相同，热膨胀系数也相同，解决了现有的功率模块在大功率长时间工作时铝线容易出现断裂或脱落，导致功率模块失效的问题。

A power module

【技术实现步骤摘要】
一种功率模块
本技术涉及功率器件领域，特别涉及一种功率模块。
技术介绍
现有的功率模块内部连接技术主要采用多根铝线键合的方式进行电气连接。该技术在行业内广泛应用，主要优势是成本低廉、工艺简单、技术成熟，但铝线与电极连接，应用在大功率条件下长时间工作时，容易出现裂纹或脱落，导致功率模块失效。
技术实现思路
本技术的一个目的旨在提供一种功率模块，以解决现有的功率模块在大功率长时间工作时铝线容易出现断裂或脱落，导致功率模块失效的问题。为达到上述目的，本技术提供了一种功率模块，包括：基板、引线组件、至少两组功率芯片，所述功率芯片设置在基板上，所述引线组件包括正极端子、负极端子、交流端子、若干信号端子、至少两组发射极引线，所述正极端子、负极端子、交流端子分别与基板连接，每一组发射极引线对应一组功率芯片，第一组发射极引线与第一组功率芯片连接，且第一组发射极引线与负极端子一体成型；第二组发射极引线与第二组功率芯片连接，且第二组发射极引线、交流端子、第一信号端子一体成型，其余信号端子设置在基板上并通过导线与功率芯片连接。根据本技术的功率模块，引线与电极端子一体成型，无需焊接，且一体成型材料相同，热膨胀系数也相同，解决了现有的功率模块在大功率长时间工作时铝线容易出现断裂或脱落，导致功率模块失效的问题。进一步地，所述基板为覆铜陶瓷基板，功率模块设置在覆铜陶瓷基板的铜层上，不同组功率芯片所在区域的铜层之间互相隔断。进一步地，负极端子设置在基板的铜层上，且负极端子所在铜层与其他器件所在铜层之间都相互隔断。进一步地，正极端子与第二组功率芯片设置在同一铜层上，交流端子与第二组功率芯片所在铜层之间不接触，所述交流端子与第一组功率芯片所在铜层接触，第一信号端子不接触铜层。进一步地，所述功率芯片包括IGBT芯片和FRD芯片。进一步地，一组发射极引线包括若干并排设置的金属条，所述金属条为波浪形，每条所述波浪形金属条与对应的FRD芯片有一个接触点，每条所述波浪形金属条与对应的IGBT芯片有两个接触点。进一步地，第二信号端子设置在第二组功率芯片所在的铜层上，所述第二信号端子通过导线与第二组功率芯片的IGBT芯片连接。进一步地，第三信号端子和第四信号端子设置在第一组功率芯片所在的铜层上，所述第三信号端子和第四信号端子分别通过导线与第一组功率芯片的IGBT芯片连接。进一步地，还包括塑封外壳，所述塑封外壳将所有器件包裹在内，但露出正极端子、负极端子、交流端子、信号端子以及未设置器件的一面铜层。进一步地，还包括散热结构，所述散热结构设置在露出的一面铜层上。附图说明本技术上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1为本技术一实施例的功率模块的结构示意图；图2为本技术一实施例的功率模块的塑封外壳示意图；图3为本技术一实施例的功率模块的散热结构示意图。说明书中的附图标记如下：100、基板；101、负极端子所在铜层；102、第一组功率芯片所在铜层；103、第二组功率芯片所在铜层；201、第一组功率芯片的FRD芯片；202、第一组功率芯片的IGBT芯片；203、第二组功率芯片的FRD芯片；204、第二组功率芯片的IGBT芯片；301、正极端子；302、负极端子；303、交流端子；311、第一组发射极引线；312、第二组发射极引线；321、第一信号端子；322、第二信号端子；323、第三信号端子；324.第四信号端子；400、塑封外壳；500、散热结构。具体实施方式下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能解释为对本技术的限制。下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本技术的不同结构。为了简化本技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本技术。此外，本技术可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“接”应做广义理解，例如，可以是机械连接或电连接，也可以是两个元件内部的连通，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。参照下面的描述和附图，将清楚本技术的实施例的这些和其他方面。在这些描述和附图中，具体公开了本技术的实施例中的一些特定实施方式，来表示实施本技术的实施例的原理的一些方式，但是应当理解，本技术的实施例的范围不受此限制。相反，本技术的实施例包括落入所附加权利要求书的精神和内涵范围内的所有变化、修改和等同物。如图1所示，本技术提供一种功率模块，包括：基板100、引线组件、至少两组功率芯片，所述功率芯片设置在基板100上，所述引线组件包括正极端子301、负极端子302、交流端子303、若干信号端子、至少两组发射极引线，所述正极端子301、负极端子302、交流端子303分别与基板100连接，每一组发射极引线对应一组功率芯片，第一组发射极引线311与第一组功率芯片连接，且第一组发射极引线311与负极端子302一体成型；第二组发射极引线312与第二组功率芯片连接，且第二组发射极引线312、交流端子303、第一信号端子321一体成型，其余信号端子设置在基板100上并通过导线与功率芯片连接。如图1所示，在本技术的一个实施例中，所述基板100为双面覆铜的覆铜陶瓷基板，功率模块设置在覆铜陶瓷基板的铜层上，不同组功率芯片所在区域的铜层之间互相隔断，即第一组功率芯片所在铜层102与第二组功率芯片所在铜层103之间电流互相无法流通。负极端子302设置在铜层上，且负极端子302所在的铜层101与其他器件所在铜层之间都相互隔断，即负极端子302所在的铜层101、第一组功率芯片所在的铜层102、第二组功率芯片所在的铜层103之间互相都隔断。正极端子301与第二组功率芯片设置同一铜层上，交流端子303与第二组功率芯片所在铜层103之间不接触，所述交流端子与第一组功率芯片所在铜层102接触。第一信号端子321不接触铜层。进一步地，所述功率芯片包括IGBT芯片和FRD芯片，一组发射极引线包括若干条并排设置的金属条，所述金属条为波浪形，每条所述波浪形金属条与对应的FRD芯片有一个接触点，每条所述波浪形金属条与对应的IGBT芯片有两个接触点。具体地，如图1所示，第一组发射极引线311包括若干条金属条，每条金属条与第一组功率芯片的FRD芯片201有一个接触点，每条金属条与第一组功率芯片的IGBT芯片201有两个接触点；第而组发本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率模块，其特征在于，包括：基板、引线组件、至少两组功率芯片，所述功率芯片设置在基板上，所述引线组件包括正极端子、负极端子、交流端子、若干信号端子、至少两组发射极引线，所述正极端子、负极端子、交流端子分别与基板连接，每一组发射极引线对应一组功率芯片，第一组发射极引线与第一组功率芯片连接，且第一组发射极引线与负极端子一体成型；第二组发射极引线与第二组功率芯片连接，且第二组发射极引线、交流端子、第一信号端子一体成型，其余信号端子设置在基板上并通过导线与功率芯片连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种功率模块，其特征在于，包括：基板、引线组件、至少两组功率芯片，所述功率芯片设置在基板上，所述引线组件包括正极端子、负极端子、交流端子、若干信号端子、至少两组发射极引线，所述正极端子、负极端子、交流端子分别与基板连接，每一组发射极引线对应一组功率芯片，第一组发射极引线与第一组功率芯片连接，且第一组发射极引线与负极端子一体成型；第二组发射极引线与第二组功率芯片连接，且第二组发射极引线、交流端子、第一信号端子一体成型，其余信号端子设置在基板上并通过导线与功率芯片连接。


2.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述基板为双面覆铜的覆铜陶瓷基板，功率模块设置在覆铜陶瓷基板的铜层上，不同组功率芯片所在区域的铜层之间互相隔断。


3.根据权利要求2所述的功率模块，其特征在于，负极端子设置在基板的铜层上，且负极端子所在铜层与其他器件所在铜层之间都相互隔断。


4.根据权利要求2所述的功率模块，其特征在于，正极端子与第二组功率芯片设置在同一铜层上，交流端子与第二组功率芯片所在铜层之间不接触，所述交流端子与第一组功率芯片所在铜层接触，第一信号端子不接触铜层。

【专利技术属性】
技术研发人员：严百强，李慧，张建利，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，宁波比亚迪半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44