【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一种半导体封装材料的制备方法以及由此得到的半导体封装材料
本专利技术涉及半导体的封装，更具体地涉及一种半导体封装材料的制备方法以及由此得到的半导体封装材料。
技术介绍
在半导体后端工序的封装工艺中，需要用到塑封料、贴片胶、底灌料和芯片载板等封装材料。此外，将被动元件、半导体元件、电声器件、显示器件、光学器件和射频器件等组装成设备时还须使用高密度互连板(high density inerconnect，HDI)、高频高速板和母板等电路板。这些封装材料和电路板一般主要由环氧树脂等有机高分子和填料所构成，其中的填料主要是角形或球形二氧化硅，其主要功能是降低有机高分子的热膨胀系数。为了足够降低热膨胀系数，需要加入大量二氧化硅。加入大量二氧化硅会导致树脂的粘度升高不利于成型。解决这个问题的方法是采用球形二氧化硅。同时使用不同粒径的粉体进行级配：即在主粉中配入中粉，然后再配入细粉来填充球形二氧化硅粉体间的空隙。级配后的粉体填料在树脂中高浓度添加时的粘度和最频径有关，最频径越大粘度越低，空隙体积分数越小粘度越低。随着技术的进步，半导体集成...
【技术保护点】
一种半导体封装材料的制备方法，其特征在于，其包括步骤：/nS1，提供以T单位的硅氧烷为主要成分的球形硅树脂微粉，其中，T单位＝RSiO
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】一种半导体封装材料的制备方法，其特征在于，其包括步骤：
S1，提供以T单位的硅氧烷为主要成分的球形硅树脂微粉，其中，T单位＝RSiO
3-，R为可独立选择的碳原子1至16的烃基或氢原子；
S2，对该球形硅树脂微粉进行煅烧得到最频径为0.3至30微米的球形二氧化硅填料，该球形二氧化硅填料实质上不含最频径的1.5倍以上的大颗粒；以及
S3，将所述球形二氧化硅填料作为主粉紧密填充级配在树脂中形成半导体封装材料。
根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2得到的球形二氧化硅填料具有用自由沉降分级所得的体积含量70％的大颗粒段球形二氧化硅的变异系数≤15％的特征。
根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2得到...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈树真，李锐，
申请(专利权)人：湖州五爻硅基材料研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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