一种阵列基板及其制备方法、显示面板技术

本发明专利技术涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板，本发明专利技术将所涉及的阵列基板的所述层间绝缘层远离所述基板的表面局部向下凹陷形成第一凹槽，将所述第一凹槽靠近所述基板的底面局部向下凹陷直至所述有源层远离所述基板的表面形成第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽相连通形成过孔；由此改变后期通过所述过孔向下连接于所述有源层上的源漏极层的一次爬坡高度，从而避免源漏极层爬坡断裂的风险。

An array substrate and its preparation method and display panel

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法、显示面板
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
技术介绍
有机发光显示装置(英文全称：OrganicLight-EmittingDiode,简称OLED)又称为有机电激光显示装置、有机发光半导体。OLED的工作原理是：当电力供应至适当电压时，正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合，在库伦力的作用下以一定几率复合形成处于激发态的激子(电子-空穴对)，而此激发态在通常的环境中是不稳定的，激发态的激子复合并将能量传递给发光材料，使其从基态能级跃迁为激发态，激发态能量通过辐射驰豫过程产生光子，释放出光能，产生光亮，依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三基色，构成基本色彩。OLED具有电压需求低、省电效率高、反应快、重量轻、厚度薄，构造简单，成本低、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点，已经成为当今最重要的显示技术之一。目前，在源漏极层与有源层连接过孔位置，通常超过80度便容易出现源漏极层侧壁爬坡断裂风险。因此需要寻求一种新型的阵列基板已解决上述问题。...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n基板；/n有源层，所述有源层设置于所述基板上；/n栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置于所述有源层上；/n层间绝缘层，所述层间绝缘层设置于所述栅极绝缘层上；/n源漏极层，所述源漏极层设置于所述层间绝缘层上，所述源漏极层通过过孔向下连接至所述有源层上；/n其中所述过孔包括相连通的第一凹槽和第二凹槽；/n所述第一凹槽由所述层间绝缘层远离所述基板的表面局部向下凹陷形成；/n所述第二凹槽由所述第一凹槽靠近所述基板的底面局部向下凹陷直至所述有源层远离所述基板的表面形成；/n其中所述第一凹槽和所述第二凹槽的相接处形成有一台阶。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
有源层，所述有源层设置于所述基板上；
栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置于所述有源层上；
层间绝缘层，所述层间绝缘层设置于所述栅极绝缘层上；
源漏极层，所述源漏极层设置于所述层间绝缘层上，所述源漏极层通过过孔向下连接至所述有源层上；
其中所述过孔包括相连通的第一凹槽和第二凹槽；
所述第一凹槽由所述层间绝缘层远离所述基板的表面局部向下凹陷形成；
所述第二凹槽由所述第一凹槽靠近所述基板的底面局部向下凹陷直至所述有源层远离所述基板的表面形成；
其中所述第一凹槽和所述第二凹槽的相接处形成有一台阶。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层包括：
第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层设置于所述有源层上；
第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层设置于所述第一栅极绝缘层上；
所述层间绝缘层包括：
第一层间绝缘层，所述第一层间绝缘层设置于所述第二栅极绝缘层上；
第二层间绝缘层，所述第二层间绝缘层设置于所述第一层间绝缘层上；
其中所述第一凹槽由所述第二层间绝缘层远离所述基板的表面局部向下凹陷形成。


3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一凹槽的底面设置于所述第二层间绝缘层与所述第一栅极绝缘层之间。


4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一凹槽的底面与所述第二栅极绝缘层远离所述基板的表面平齐。


5.一种制备权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
步骤S1，提供一基板，在所述基板上制备所述有源层；
步骤S2，在所述有源层上制备所述栅极绝缘层；
步骤S3，在所述栅极绝缘层上制备所述层间绝缘层；
步骤S4，在所述层间绝缘层上制备所述源漏极层，所述源漏极层通过过孔向下连接于所述有源层上；
其中所述步骤S4中的过孔包括相连通的第一凹槽和第二凹槽；所述第一凹槽由所述层间绝缘层远离所述基板的表面局部向下凹陷形成，所述第二凹槽由所述第一凹槽靠近所述基板的底面局部向下凹陷...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄茜，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42