【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】存储器阵列可存取性
本公开大体上涉及半导体存储器设备和方法，并且更具体地说，涉及与存储器阵列可存取性相关的设备和方法。
技术介绍
存储器装置通常被提供为计算机或其它电子系统中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含易失性和非易失性存储器。易失性存储器可能需要电力来维持其数据(例如主机数据、错误数据等等)，并包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)和闸流体随机存取存储器(TRAM)等等。非易失性存储器可通过在未被供电时保持所存储数据来提供持久数据，并可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器和电阻可变存储器，例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻性随机存取存储器(RRAM)、以及磁阻随机存取存储器(MRAM)，例如自旋力矩转移随机存取存储器(STTRAM)等等。电子系统通常包含数个处理资源(例如一或多个处理器)，所述处理资源可检索并执行指令且将所执行指令的结果存储到合适的位置。处理器可包括可执行指令以对数据(例如，...
【技术保护点】
1.一种设备，其包括：/n存储器单元阵列，其中所述阵列包括：/n第一部分，其可被所述阵列的控制器存取且不可被所述设备外部的装置存取；/n第二部分，其可被所述设备外部的所述装置存取；和/n数个寄存器，其经配置以存储指示所述阵列的哪个部分是所述第一部分的行地址；且/n所述控制器经配置以存取所述数个寄存器以允许所述设备外部的所述装置基于所述存储的行地址来存取所述第二部分。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170830 US 15/691,4841.一种设备，其包括：
存储器单元阵列，其中所述阵列包括：
第一部分，其可被所述阵列的控制器存取且不可被所述设备外部的装置存取；
第二部分，其可被所述设备外部的所述装置存取；和
数个寄存器，其经配置以存储指示所述阵列的哪个部分是所述第一部分的行地址；且
所述控制器经配置以存取所述数个寄存器以允许所述设备外部的所述装置基于所述存储的行地址来存取所述第二部分。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述数个寄存器包括存取控制寄存器。
3.根据权利要求2所述的设备，其中所述存取控制寄存器包括行存取控制寄存器。
4.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器经配置以：
允许执行存储于所述第一部分中的指令以写入到所述第二部分或从所述第二部分读取；和
不允许从所述第二部分执行指令。
5.根据权利要求1所述的设备，其中所述数个寄存器仅可通过从所述第一部分执行的指令写入。
6.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器经配置以允许仅通过运行从所述第一部分执行的所述指令来将数据复制到所述第一部分中。
7.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器经配置以防止外部DRAMACT命令响应于所述寄存器被加载而在所述第一部分内部执行。
8.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器经配置以防止内部PIM指令命令响应于所述寄存器被加载而在所述第一部分外部执行。
9.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器经配置以仅响应于指令在所述第一部分中无目标而允许所述指令从所述第二部分执行。
10.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器经配置以防止数据响应于不存储于所述第一部分中的指令的执行而从所述第一部分复制到所述第二部分。
11.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器经配置以防止数据响应于不存储于所述第一部分中的指令的执行而从所述第二部分复制到所述第一部分。
12.根据权利要求1到11中任一权利要求所述的设备，其中所述设备是存储器内置处理器式PIM装置，其包括：
所述存储器单元的所述阵列；和
所述控制器；
其中所述阵列和所述控制器处于同一裸片上。
13.根据权利要求12所述的设备，其中主机耦合到所述PIM装置并且是所述设备外部的所述装置中的一个。
14.根据权利要求1到11中任一权利要求所述的设备，其中所述数个寄存器经配置以各自存储与所述阵列的行相关联的地址。
15.根据权利要求14所述的设备，其中所述阵列的在存储于所述数个寄存器中的每一个中的所述地址之间的所述部分是所述第一部分。
16.根据权利要求14所述的设备，其中响应于与所述数个寄...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·B·彭妮，G·L·霍韦，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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