声波器件的制作方法及声波器件技术

本公开实施例公开了一种声波器件的制作方法及声波器件，所述制作方法包括：形成覆盖第一反射结构的第一电极层；形成覆盖所述第一电极层和第二反射结构的保护层；其中，所述第二反射结构和所述第一反射结构在衬底上并列排布，所述第一反射结构位于所述衬底的第一区域，所述第二反射结构位于所述衬底的第二区域；形成覆盖所述保护层的第二电极层；其中，所述第二电极层的厚度与所述第一电极层的厚度不同；去除位于所述第一电极层上方的保护层及第二电极层，直至显露覆盖所述第一电极层。

The method of making acoustic device and acoustic device

【技术实现步骤摘要】
声波器件的制作方法及声波器件
本公开实施例涉及声波器件
，特别涉及一种声波器件的制作方法及声波器件。
技术介绍
随着通信的发展，声波器件在通讯中的运用越来越广，其性能直接影响到通讯信号的传输质量。随着薄膜与微纳制造技术的发展，电子器件正向微型化、高密集复用方向迅速发展。因此，如何在保证声波器件质量的同时扩大声波器件的应用范围，成为亟待解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本公开实施例提供一种声波器件的制作方法及声波器件。根据本公开实施例的第一方面，提供一种声波器件的制作方法，包括：形成覆盖第一反射结构的第一电极层；形成覆盖所述第一电极层和第二反射结构的保护层；其中，所述第二反射结构和所述第一反射结构在衬底上并列排布，所述第一反射结构位于所述衬底的第一区域，所述第二反射结构位于所述衬底的第二区域；形成覆盖所述保护层的第二电极层；其中，所述第二电极层的厚度与所述第一电极层的厚度不同；去除位于所述第一电极层上方的保护层及第二电极层，直至显露所述第一电极层。<br>可选地，所述形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种声波器件的制作方法，其特征在于，包括：/n形成覆盖第一反射结构的第一电极层；/n形成覆盖所述第一电极层和第二反射结构的保护层；其中，所述第二反射结构和所述第一反射结构在衬底上并列排布，所述第一反射结构位于所述衬底的第一区域，所述第二反射结构位于所述衬底的第二区域；/n形成覆盖所述保护层的第二电极层；其中，所述第二电极层的厚度与所述第一电极层的厚度不同；/n去除位于所述第一电极层上方的保护层及第二电极层，直至显露所述第一电极层。/n

【技术特征摘要】
1.一种声波器件的制作方法，其特征在于，包括：
形成覆盖第一反射结构的第一电极层；
形成覆盖所述第一电极层和第二反射结构的保护层；其中，所述第二反射结构和所述第一反射结构在衬底上并列排布，所述第一反射结构位于所述衬底的第一区域，所述第二反射结构位于所述衬底的第二区域；
形成覆盖所述保护层的第二电极层；其中，所述第二电极层的厚度与所述第一电极层的厚度不同；
去除位于所述第一电极层上方的保护层及第二电极层，直至显露所述第一电极层。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述形成覆盖第一反射结构的第一电极层，包括：
在所述衬底的第一表面，形成覆盖所述第一区域的所述第一电极层；从所述衬底的第二表面形成贯穿所述衬底的第一空腔，直至显露所述第一电极层；其中，所述衬底的第一表面与所述衬底的第二表面为相反面，所述第一反射结构包括所述第一空腔；
所述形成覆盖所述第一电极层和第二反射结构的保护层，包括：
在所述衬底的第一表面，形成覆盖所述第一电极层和所述第二区域的所述保护层；从所述衬底的第二表面形成贯穿所述衬底的第二空腔，直至显露所述保护层；其中，所述第二反射结构包括所述第二空腔。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述衬底表面形成所述第一反射结构和所述第二反射结构；其中，所述第一反射结构和所述第二反射结构均包括：交替层叠设置的第一介质层和第二介质层；所述第一介质层的声阻抗和所述第二介质层的声阻抗不同。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述衬底表面形成并列排布的第一牺牲层和第二牺牲层；其中，所述第一牺牲层覆盖所述衬底的第一区域，所述第一反射结构包括去除所述第一牺牲层后基于所述第一牺牲层的形貌形成的第三空腔，所述第二牺牲层覆盖所述衬底的第二区域，所述第二反射结构包括去除所述第二牺牲层后基于所述第二牺牲层的形貌形成具有第一高度的第四空...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖珮淳，
申请(专利权)人：武汉衍熙微器件有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42