【技术实现步骤摘要】
电极具有空隙层和凸起结构的体声波谐振器、滤波器及电子设备
本专利技术的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种体声波谐振器、一种具有该谐振器的滤波器，以及一种具有该谐振器或者该滤波器的电子设备。
技术介绍
电子器件作为电子设备的基本元素，已经被广泛应用，其应用范围包括移动电话、汽车、家电设备等。此外，未来即将改变世界的人工智能、物联网、5G通讯等技术仍然需要依靠电子器件作为基础。电子器件根据不同工作原理可以发挥不同的特性与优势，在所有电子器件中，利用压电效应(或逆压电效应)工作的器件是其中很重要一类，压电器件有着非常广泛的应用情景。薄膜体声波谐振器(FilmBulkAcousticResonator，简称FBAR，又称为体声波谐振器，也称BAW)作为压电器件的重要成员正在通信领域发挥着重要作用，特别是FBAR滤波器在射频滤波器领域市场占有份额越来越大，FBAR具有尺寸小、谐振频率高、品质因数高、功率容量大、滚降效应好等优良特性，其滤波器正在逐步取代传统的声表面波(SAW)滤波器和陶瓷滤波器，在无线通信射频领域发挥巨...
【技术保护点】
1.一种体声波谐振器，包括：/n基底；/n声学镜；/n底电极；/n顶电极；和/n压电层，设置在底电极与顶电极之间，/n其中：/n顶电极、底电极、声学镜和压电层在所述谐振器的厚度方向上的重叠区域限定所述谐振器的有效区域；/n所述顶电极包括空隙层、第一顶电极和第二顶电极，在谐振器的厚度方向上所述空隙层形成在第一顶电极与第二顶电极之间，第一顶电极与压电层形成面接触；且/n所述第一顶电极在有效区域内在有效区域的边缘设置有凸起结构，所述凸起结构的顶面高出有效区域中第一顶电极的上表面。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20191023 CN 20191100926231.一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极；
顶电极；和
压电层，设置在底电极与顶电极之间，
其中：
顶电极、底电极、声学镜和压电层在所述谐振器的厚度方向上的重叠区域限定所述谐振器的有效区域；
所述顶电极包括空隙层、第一顶电极和第二顶电极，在谐振器的厚度方向上所述空隙层形成在第一顶电极与第二顶电极之间，第一顶电极与压电层形成面接触；且
所述第一顶电极在有效区域内在有效区域的边缘设置有凸起结构，所述凸起结构的顶面高出有效区域中第一顶电极的上表面。
2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述凸起结构的高度在第一顶电极厚度的0.1-2倍的范围内。
3.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述凸起结构的至少部分顶面与第二顶电极在有效区域内的顶面齐平。
4.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述凸起结构在谐振器的横向方向上的外缘与有效区域的边缘重合。
5.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述凸起结构由第二顶电极形成。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的谐振器，其中：
所述第一顶电极与第二顶电极在顶电极的非引脚端彼此电连接；
所述凸起结构包括所述第一顶电极与第二顶电极在顶电极的引脚端形成的第一凸起，以及所述第一顶电极与第二顶电极在顶电极的非引脚端形成的第二凸起。
7.根据权利要求6所述的谐振器，其中：
所述第一顶电极与第二顶电极在非引脚端的边缘彼此对齐。
8.根据权利要求6所述的谐振器，其中：
所述第二顶电极的非引脚端部分覆盖所述第一顶电极的非引脚端的一部分且与压电层的上表面面接触。
9.根据权利要求8所述的谐振器，其中：
所述第二凸起为台阶状凸起结构。
10.根据权利要求6所述的谐振器，其中：
所述第二顶电极的上表面还敷设有附加电极层，在谐振器横向方向上，所述附加电极层设置在第一凸起与第二凸起之间。
11.根据权利要求10所述的谐振器，其中：
所述附加电极层的厚度在的范围内，所述凸起结构的高度在第一顶电极的厚度的0.1-2倍的范围内。
12.根据权利要求6所述的谐振器，其中：
所述第一顶电极在引脚端设置有桥结构，所述第一顶电极在非引脚端设置有悬翼结构，所述桥结构和所述悬翼结构限定所述有效区域的边界；且
所述悬翼结构的顶面以及所述桥结构的顶面设置有凸层结构，所述凸层结构在有效区域内与第一顶电极接触的部分形成所述凸起结构。
13.根据权利要求12所述的谐振器，其中：
所述空隙层在谐振器的横向方向上设置在第一凸起与第二凸起之间。
技术研发人员：庞慰，徐洋，郝龙，杨清瑞，张孟伦，
申请(专利权)人：诺思天津微系统有限责任公司，
类型：发明
国别省市：天津;12
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