【技术实现步骤摘要】
带不导电插入层的体声波谐振器、滤波器和电子设备
本专利技术的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种体声波谐振器，一种滤波器，一种具有上述部件中的一种的电子设备。
技术介绍
薄膜体声波谐振器(FilmBulkAcousticResonator，简称FBAR，又称为体声波谐振器，也称BAW)作为压电器件的重要成员正在通信领域发挥着重要作用，特别是FBAR滤波器在射频滤波器领域市场占有份额越来越大，FBAR具有尺寸小(μm级)、谐振频率高(GHz)、品质因数高(1000)、功率容量大、滚降效应好等优良特性，其滤波器正在逐步取代传统的声表面波(SAW)滤波器和陶瓷滤波器，在无线通信射频领域发挥巨大作用，其高灵敏度的优势也能应用到生物、物理、医学等传感领域。薄膜体声波谐振器的结构主体为由电极-压电薄膜-电极组成的“三明治”结构，即两层金属电极层之间夹一层压电材料。通过在两电极间输入正弦信号，FBAR利用逆压电效应将输入电信号转换为机械谐振，并且再利用压电效应将机械谐振转换为电信号输出。薄膜体声波谐振器主要利用压电薄膜的纵向压电系数...
【技术保护点】
1.一种体声波谐振器，包括：/n基底；/n声学镜；/n底电极；/n顶电极；和/n压电层，/n其中：/n所述顶电极边缘部分具有间隙部，所述间隙部与压电层之间在谐振器的厚度方向上存在间隙，且不导电插入层设置在所述间隙的至少一部分中。/n
【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极；
顶电极；和
压电层，
其中：
所述顶电极边缘部分具有间隙部，所述间隙部与压电层之间在谐振器的厚度方向上存在间隙，且不导电插入层设置在所述间隙的至少一部分中。
2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述插入层的至少一部分的厚度与间隙的对应部分的高度相同。
3.根据权利要求2所述的谐振器，其中：
所述间隙具有同一高度且所述插入层的厚度与所述间隙的高度相同；或者所述插入层的厚度小于所述间隙的高度。
4.根据权利要求2所述的谐振器，其中：
所述间隙为阶梯间隙，且在谐振器的厚度方向上，所述插入层的对应部分与间隙部间隔开。
5.根据权利要求4所述的谐振器，其中：
所述插入层位于所述阶梯间隙的内侧部分。
6.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述插入层与压电层之间还设置有刻蚀阻挡层。
7.根据权利要求6所述的谐振器，其中：
所述刻蚀阻挡层的材料与所述顶电极的材料相同。
8.根据权利要求1述的谐振器，其中：
所述插入层的宽度大于所述间隙的宽度。
9.根据权利要求1述的谐振器，其中：
所述插入层的宽度小于所述间隙的宽度。
10.根据权利要求9所述的谐振器，其中：
所述谐振器还设置有阻挡结构，所述阻挡结构连接在间隙部与压电层之间，且在横...
【专利技术属性】
技术研发人员：张孟伦，庞慰，杨清瑞，
申请(专利权)人：天津大学，诺思天津微系统有限责任公司，
类型：发明
国别省市：天津;12
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