晶片清洗装置及晶片清洗设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种晶片清洗装置及晶片清洗设备，涉及清洗设备技术领域。所述晶片清洗装置包括：间隔设置的夹持机构和刷体，所述夹持机构用于夹持晶片；所述刷体用于抵接在所述晶片的待清洗面，所述刷体能够相对于所述夹持机构在所述晶片的待清洗面上运动，以使所述刷体刷洗所述晶片的待清洗面。刷体能够抵接在所述晶片的待清洗面，然后刷体在晶片的待清洗面上进行擦洗，从而将晶片表面的杂质擦洗掉，尤其是针对粘在晶片表面且不溶于清洗液的杂质，擦洗更为有效，使用本发明专利技术实施例提供的晶片清洗装置可以使晶片待清洗面更加洁净。

Wafer cleaning device and wafer cleaning equipment

【技术实现步骤摘要】
晶片清洗装置及晶片清洗设备
本专利技术涉及清洗设备
，尤其是涉及一种晶片清洗装置及晶片清洗设备。
技术介绍
碳化硅因其具有宽禁带、高击穿场、大热导率、电子饱和漂移速度高、抗辐射强和良好化学稳定性的优越性质，成为新一代微电子器件和电路的关键半导体材料。然而，碳化硅材料作为外延的衬底材料，对其表面质量具有很高的需求，需要经过一系列的加工工艺，其中碳化硅晶片表面清洗是碳化硅加工领域必不可少的一部分，主要是去除碳化硅晶片表面的颗粒、污物、金属离子等。现有的晶片清洗方法，先经过碱洗去除晶片表面颗粒和有机物，然后再将晶片取出放在另一槽内进行酸洗，主要去除晶片表面微粒和金属离子，然后再经过超纯水进行清洗，去除晶片表面残留的离子，然而由于该种清洗方法只是依靠药液与有机物、金属离子等的结合，最终将晶片清洗干净，导致清洗能力带有局限性，特别是有脏污粘在晶片表面时，便很难去除。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种晶片清洗装置及晶片清洗设备，以缓解了现有的晶片清洗设备清洗能力不足的技术问题。第一方面，本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片清洗装置，其特征在于，所述晶片清洗装置包括：间隔设置的夹持机构和刷体(210)，所述夹持机构用于夹持晶片(300)；/n所述刷体(210)用于抵接在所述晶片的待清洗面，所述刷体(210)能够相对于所述夹持机构在所述晶片(300)的待清洗面上运动，以使所述刷体(210)刷洗所述晶片(300)的待清洗面。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶片清洗装置，其特征在于，所述晶片清洗装置包括：间隔设置的夹持机构和刷体(210)，所述夹持机构用于夹持晶片(300)；
所述刷体(210)用于抵接在所述晶片的待清洗面，所述刷体(210)能够相对于所述夹持机构在所述晶片(300)的待清洗面上运动，以使所述刷体(210)刷洗所述晶片(300)的待清洗面。


2.根据权利要求1所述的晶片清洗装置，其特征在于，所述夹持机构和所述刷体(210)沿水平方向间隔设置，以使被所述夹持机构夹持的晶片(300)的待清洗面与水平方向垂直。


3.根据权利要求2所述的晶片清洗装置，其特征在于，所述夹持机构包括夹持部(110)和转向机构(120)，所述夹持部(110)用于夹持晶片(300)；
所述转向机构(120)与所述夹持部(110)连接，用于带动所述夹持部(110)转向，以使所述夹持部(110)用于夹持晶片(300)的一面朝向竖直向上，或者朝向所述刷体(210)。


4.根据权利要求1所述的晶片清洗装置，其特征在于，所述晶片清洗装置包括第一机械臂(400)，所述第一机械臂(400)位于所述夹持机构的上方，用于将晶片(300)转移到所述夹持机构上，或者从所述夹持机构上移除；
所述第一机械臂(400)包括夹座，所述夹座上铰接有多个夹爪，多个夹爪沿周向排列，多个所述夹爪能够向外展开或者向内合拢；
所述夹爪包括连接部和托起部，且所述连接部的一端与所述夹座铰接，另一端与所述托起部连接，且所述连接部与所述托起部垂直，所述托起部用于在所述夹爪合拢时，支撑在所述晶片(300)的底面。


5.根据权利要求3所述的晶片清洗装置，其特征在于，所述夹持机构包括第一驱动机构(130)，所述第一驱动机构(130)与所述夹持部(110)连接，用于带动所述夹持部(110)旋转；和/或
所述晶片清洗装置(100)包括第二驱动机构(220)，所述第二驱动机构(220)与所述刷体(210)连接，用于带动所述刷体...

【专利技术属性】
技术研发人员：张洁，苏双图，林武庆，王泽隆，
申请(专利权)人：福建北电新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35