一种巨量转移装置及其方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种巨量转移装置及其方法，所述巨量转移装置包括：底板、设置在所述底板上并用于放置微元件的对位槽、设置在所述底板上的纳米结构；所述对位槽和所述纳米结构位于所述底板的同侧。通过在底板上设置纳米结构，降低微元件与底板之间的摩擦力，可利于微元件的滑动，提高对位效率，从而增加转移效率。

A huge transfer device and its method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一种巨量转移装置及其方法
本专利技术涉及巨量转移
，尤其涉及的是一种巨量转移装置及其方法。
技术介绍
微元件技术是指在驱动电路板上以高密度集成的微小尺寸的元件阵列。目前，微间距发光二极管(Micro-LED)技术逐渐成为研究热门，Micro-LED技术，即LED微缩化和矩阵化技术，具有良好的稳定性，寿命，以及运行温度上的优势，同时也承继了LED低功耗、色彩饱和度、反应速度快、对比度强等优点，Micro-LED的亮度更高，且功率消耗量更低。Micro-LED在制作完成之后，需要将几万至几十万个Micro-LED转移到驱动电路板上形成LED阵列，这一过程被称为“巨量转移”。Micro-LED等尺寸较小的微元件通过巨量转移装置进行转移。巨量转移装置在进行转移过程中，关键是要使大量的微元件位于对应的位置上，即使微元件的对位。现有技术中，微元件的对位效率低，导致转移效率低。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种巨量转移装置及其方法，旨在解本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种巨量转移装置，其特征在于，包括：底板、设置在所述底板上并用于放置微元件的对位槽、设置在所述底板上的纳米结构；所述对位槽和所述纳米结构位于所述底板的同侧。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种巨量转移装置，其特征在于，包括：底板、设置在所述底板上并用于放置微元件的对位槽、设置在所述底板上的纳米结构；所述对位槽和所述纳米结构位于所述底板的同侧。


2.根据权利要求1所述的巨量转移装置，其特征在于，所述纳米结构为纳米阵列。


3.根据权利要求2所述的巨量转移装置，其特征在于，所述纳米阵列为柱状纳米阵列、台状纳米阵列、锥状纳米阵列、凸包纳米阵列中的一种或多种。


4.根据权利要求3所述的巨量转移装置，其特征在于，
所述柱状纳米阵列包括：圆柱纳米阵列、三棱柱纳米阵列、方柱纳米阵列、六棱柱纳米阵列以及十字柱纳米阵列；
所述台状纳米阵列包括：圆台纳米阵列、三棱台纳米阵列、四棱台纳米阵列、六棱台纳米阵列以及十字台纳米阵列；
所述锥状纳米阵列包括：圆锥纳米阵列、三棱锥纳米阵列、四棱锥纳米阵列、六棱锥纳米阵列以及十字锥纳米阵列；
所述凸包纳米阵列包括：圆形凸包纳米阵列、椭圆形凸包纳米阵列以及长腰形凸包纳米阵列。


5.根据权利要求2所述的巨量转移装置，其特征在于，所述纳米阵列中阵列单元的顶端平齐设置。


6.根据权利要求1所述的巨量转移装置，其特征在于，所述微元件为Micro-LED。


7.根据权利要求1-6任意一项所述的巨量转移装置，其特征在于，所述对位槽呈阵列分布。


8.根据权利要求1-6任意一项所述的巨量转移装置，其特征在于，所述对位槽的高度小于所述微元件的高度。


9.根据权利要求1-6任意一项所述的巨量转移装置，其特征在于，所述纳米结构的尺寸为20-100nm。


10.根据权利要求1-6任意一项所述的巨量转移...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪温振，许时渊，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50