一种CIS芯片的晶圆级扇出型封装方法以及结构技术

本发明专利技术提供了一种CIS芯片的晶圆级扇出型封装方法以及结构，其对CIS芯片的厚度不受限，还对CIS芯片进行很好的保护，使得芯片的可靠性、耐用性大大提高，同时可以避免对CIS芯片背面进行加工造成焊盘损伤，封装方法包括以下步骤：提供待加工的CIS芯片；采用TGV工艺在玻璃基板上穿孔，然后在通孔中填充导电金属并在通孔上形成凸点；采用SMT贴装的方式将CIS芯片和玻璃基板焊接在一起；采用DAM点胶技术将CIS芯片和玻璃基板之间的缝隙进行填胶密封；对CIS芯片进行晶圆级塑封处理；在玻璃基板上制作重布线层；制作焊球，焊球与重布线层连接，随后通过切割工艺，分离成单颗封装体。

A wafer level fanout packaging method and structure of CIS chip

【技术实现步骤摘要】
一种CIS芯片的晶圆级扇出型封装方法以及结构
本专利技术涉及半导体芯片封装
，具体涉及一种CIS芯片的晶圆级扇出型封装方法以及结构。
技术介绍
感光芯片是一种能够感受外部光线并将其转换为电信号的电子器件，应用于数码相机、数码摄像机等的电子设备中。感光芯片通常采用半导体制造工艺进行芯片制作，再通过对感光芯片进行一系列封装工艺从而形成封装好的封装结构。现有的技术中的感光芯片的扇出型封装结构主要包括扇出(Fanout)基板和透明盖板等，其中，扇出基板包括一开口，感光芯片的感光朝向该开口设置，以使得光线能够通过该开口照射在感光区上，该开口背离感光芯片一侧设置有透明盖板，该透明盖板用于实现对感光芯片的保护，类似的封装结构如公开号为CN106098717A的中国专利技术专利申请公开的高可靠性芯片封装方法及结构以及如公开号为CN108520886A的中国专利技术专利申请公开的一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法，但是这样的封装结构存在缺陷，具体如下：1、CIS芯片厚度受限于锡球高度，为了满足后段锡球焊接，要求CIS芯片厚度小于锡球高度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CIS芯片的晶圆级扇出型封装方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤1：提供待加工的CIS芯片；/n步骤2：提供玻璃基板，采用TGV工艺在玻璃基板上穿孔，然后在通孔中填充导电金属并在通孔上形成凸点；/n步骤3：采用SMT贴装的方式，通过CIS芯片的焊盘与玻璃基板上凸点配合将CIS芯片和玻璃基板焊接在一起；/n步骤4：采用DAM点胶技术，将CIS芯片和玻璃基板之间的缝隙进行填胶密封；/n步骤5：对CIS芯片进行晶圆级塑封处理，将CIS芯片包覆在塑封胶中；/n步骤6：在玻璃基板上制作重布线层，重布线层连通孔内金属并通过凸点连接到CIS芯片的焊盘；/n步骤7：在重布线层上形成阻焊层，在所述阻...

【技术特征摘要】
1.一种CIS芯片的晶圆级扇出型封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：提供待加工的CIS芯片；
步骤2：提供玻璃基板，采用TGV工艺在玻璃基板上穿孔，然后在通孔中填充导电金属并在通孔上形成凸点；
步骤3：采用SMT贴装的方式，通过CIS芯片的焊盘与玻璃基板上凸点配合将CIS芯片和玻璃基板焊接在一起；
步骤4：采用DAM点胶技术，将CIS芯片和玻璃基板之间的缝隙进行填胶密封；
步骤5：对CIS芯片进行晶圆级塑封处理，将CIS芯片包覆在塑封胶中；
步骤6：在玻璃基板上制作重布线层，重布线层连通孔内金属并通过凸点连接到CIS芯片的焊盘；
步骤7：在重布线层上形成阻焊层，在所述阻焊层上开窗并制作焊球，所述焊球与所述重布线层连接，随后通过切割工艺，分离成单颗封装体。


2.根据权利要求1所述的一种CIS芯片的晶圆级扇出型封装方法，其特征在于：在步骤1中，对CIS晶圆进行减薄，切割CIS晶圆得到待加工的CIS芯片。


3.根据权利要求1所述的一种CIS芯片的晶圆级扇出型封装方法，其特征在于：在步骤2中，采用湿法刻蚀或者激光的方式对玻璃基板进行穿孔，然后进行孔内电镀Cu或者在孔内填充Cu膏，然后再通过光刻、电镀在通孔上形成凸点。


4.根据权利要求1所述的一种CIS芯片的晶圆级扇出型封装方法，其特征在于：在步骤4中，采用黑色的密封胶进行填胶密封，在进行填胶密封时，避开CIS芯片的中心感光区。


5.根据权利要求1所述的一种CIS芯片的晶圆级扇出型封装方法，其特征在于：在步骤5中，采用黑色的塑封材料进行塑封。


6.根据权利要求1所述的一种CIS芯片的晶圆级扇出型封装方法，其特征在于：在步骤5中，塑封形成的塑封层的厚度控...

【专利技术属性】
技术研发人员：马书英，王姣，
申请(专利权)人：华天科技昆山电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32