【技术实现步骤摘要】
功率模块的封装框架，封装框架阵列及封装体
本技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种功率模块的封装框架，封装框架阵列及封装体。
技术介绍
现有高压三相直流无刷电机驱动应用中，为追求一体化，多采用例如图1所示封装形式的三相智能功率模块(IntelligentPowerModule)。该三相智能功率模块在一个封装体中集成多个智能半桥驱动芯片和功率器件。三相智能功率模块存在以下主要问题：1.因为体积太大无法进行编带包装，生产中不能采用自动贴片机进行自动化生产，生产效率低。2.模块的散热热阻大，如图1中W，V，U，P引脚连接内部的功率器件，是关键导热通道，但因为这些引脚宽度较小，无法有效将功率器件的热量导出，功率器件温升较高，限制了应用功率。3.三相智能功率模块内部芯片间距大，需要金线和铜线混打，打线工艺复杂，成本高，同时也造成生产效率低，良率低的问题以及封装体积大产生的应力大易发生分层等可靠性问题。例如，图1中的三相智能功率模块里面有六颗金属-氧化物半导体场效应管(MOSFET)，三颗半桥栅驱动芯片。内部互连线11...
【技术保护点】
1.一种功率模块的封装框架，其特征在于，所述功率模块的封装框架包括：/n两个大基岛和一个小基岛，位于封装线内，所述封装线为待形成的封装塑封体的边界线，所述大基岛和小基岛用于放置芯片；/n至少两个第一类型引脚区，分别同所述两个大基岛连接，所述第一类型引脚区分布在所述封装框架的一侧，自所述封装线内延伸至所述封装线外；/n至少四个第二类型引脚区，分布于所述封装框架的一侧或两侧，自所述封装线内延伸至所述封装线外，其中所述第一类型引脚区的水平宽度大于所述第二类型引脚区的水平宽度；/n封装框架外接区，位于所述封装线外部周围，所述封装框架外接区分别同所述第一类型引脚区、所述第二类型引脚区连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种功率模块的封装框架，其特征在于，所述功率模块的封装框架包括：
两个大基岛和一个小基岛，位于封装线内，所述封装线为待形成的封装塑封体的边界线，所述大基岛和小基岛用于放置芯片；
至少两个第一类型引脚区，分别同所述两个大基岛连接，所述第一类型引脚区分布在所述封装框架的一侧，自所述封装线内延伸至所述封装线外；
至少四个第二类型引脚区，分布于所述封装框架的一侧或两侧，自所述封装线内延伸至所述封装线外，其中所述第一类型引脚区的水平宽度大于所述第二类型引脚区的水平宽度；
封装框架外接区，位于所述封装线外部周围，所述封装框架外接区分别同所述第一类型引脚区、所述第二类型引脚区连接。
2.根据权利要求1所述的封装框架，其中，所述两个大基岛为长方形，所述两个大基岛呈垂直交错布置，同所述封装线一起围出一个矩形空间，所述小基岛设置于所述矩形空间内，所述大基岛用于放置功率芯片。
3.根据权利要求1所述的封装框架，其中，所述第一类型引脚区和所述第二类型引脚区的水平宽度之比为2-14。
4.根据权利要求1所述的封装框架，其中，所述第一类型引脚区上具有至少一个内...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。