【技术实现步骤摘要】
一种硅基扇出型封装结构
本技术涉及集成电路封装
，特别涉及一种硅基扇出型封装结构。
技术介绍
随着芯片变得越来越小，I/O数越来越多，芯片级封装(Fanin)已经不能满足高密度I/O布线和凸点排列的要求。近年来，随着重构晶圆技术的发展，扇出型(Fanout)晶圆级封装技术越来越受到重视，也成为对晶圆级芯片尺寸封装技术的重要补充。扇出型封装一般是通过再构晶圆的方式将芯片I/O端口引出，在重构的包封体上形成焊球或凸点终端阵列，在一定范围内可代替传统的引线键合焊球阵列(WBBGA)封装、倒装芯片焊球阵列(FCBGA)封装封装结构或高成本的2.5D转接板异质封装。扇出型封装按照重构晶圆的方式分类主要有两种：一是塑封，塑封方式重构晶圆最先实现量产，专利US20080308917与专利US2015003000都是使用聚合物等塑封材料重构晶圆，然后进行晶圆级封装工艺，这种方法的主要问题是：流片过程中翘曲大、散热性能差；由于使用大量聚合物有机材料，其可靠性水平一直停留在消费等级。二是埋入硅基重构晶圆，在...
【技术保护点】
1.一种硅基扇出型封装结构，包括硅基(101)，其特征在于，/n所述硅基(101)上刻蚀的凹槽中埋有芯片(201)；/n所述硅基(101)和所述芯片(201)上依次形成有干膜材料(302)和阻焊层(305)；/n所述阻焊层(305)上形成有凸点(304)，并通过再布线层(303)与所述芯片(201)的焊盘连通。/n
【技术特征摘要】
1.一种硅基扇出型封装结构，包括硅基(101)，其特征在于，
所述硅基(101)上刻蚀的凹槽中埋有芯片(201)；
所述硅基(101)和所述芯片(201)上依次形成有干膜材料(302)和阻焊层(305)；
所述阻焊层(305)上形成有凸点(304)，并通过再布线层(303)与所述芯片(201)的焊盘连通。
2.如权利要求1所述的硅基扇出型封装结构，其特征在于，所述硅基(101)底部沉积有截止层(102)。
3.如权利要求2所述的硅基扇出型封装结构，其特征在于，所述阻焊层(305)完全包裹除截止层(102)外的五个面，包裹厚度不小于0.5μm。
4.如权利要求2所述的硅基扇出型封装结构，其特征在于，所述截止层(102)的材质为无机材料的一种或几种，或金属材料的一种或几种，其厚度不小于0.1μm，
所述无机材料包括SiO2...
【专利技术属性】
技术研发人员：王成迁，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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