【技术实现步骤摘要】
一种太阳能外延结构、太阳能电池及制备方法
本专利技术涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种太阳能外延结构、太阳能电池及制备方法。
技术介绍
砷化镓GaAs禁带宽度1.43ev,是吸收太阳光最优选材料之一，由砷化镓制备的太阳能电池，具有转化效率高、温度特性好，抗辐射能力强等特点，且随着金属有机化合物气相沉积(MOCVD)和分子束外延(MBE)等技术的发展，GaAs太阳能电池应用越来越广泛。目前MOCVD外延生长的GaAs太阳能电池结构主要包括在衬底上生长缓冲层，背场层，基层，发射层，窗口层和接触层。其中基层主要为光吸收层，提高吸收层空穴与电子分离效率能有效改善太阳能电池的转化效率，但是目前的GaAs单结太阳能电池，基层厚度一般1-3μm，远大于载流子传输距离，这就增加了空穴和电子复合几率，另外，平面结构的吸收层，存在较多光的反射，影响光吸收效率。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种太阳能外延结构、太阳能电池及制备方法，以解决现有技术中的问题，降低载流子复合几率，提高光吸收效率。一方面，本专利...
【技术保护点】
1.一种太阳能外延结构，其特征在于，所述太阳能外延结构包括依次重叠设置的背场层、基层、发射层、窗口层和接触层，所述基层和所述发射层分别包括至少一个V型槽，所述基层的V型槽的开口朝向所述发射层，所述发射层的V型槽的开口方向朝向所述窗口层。/n
【技术特征摘要】
1.一种太阳能外延结构，其特征在于，所述太阳能外延结构包括依次重叠设置的背场层、基层、发射层、窗口层和接触层，所述基层和所述发射层分别包括至少一个V型槽，所述基层的V型槽的开口朝向所述发射层，所述发射层的V型槽的开口方向朝向所述窗口层。
2.根据权利要求1所述的太阳能外延结构，其特征在于，所述基层、所述发射层的V型槽相互重叠。
3.根据权利要求2所述的太阳能外延结构，其特征在于，所述窗口层还包括至少一个所述V型槽。
4.根据权利要求3所述的太阳能外延结构，其特征在于，所述窗口层的V型槽与所述基层和所述发射层的V型槽相互重叠。
5.根据权利要求4所述的太阳能外延结构，其特征在于，所述接触层还包括至少一个所述V型槽。
6.根据权利要求5所述的太阳能外延结构，其特征在于，所述接触层的V型槽与所述基层、所述发射层和所述窗口层的V型槽相互重叠。
7.根据权利要求1-6任一项所述的太阳能外延结构，其特征在于，所述基层的V型槽开口的尺寸为0-1μm，V型槽的深度为0-3μm。
8.根据权利要求1所述的太阳能外延结构，其特征在于，所述背场层上生长有至少一条穿透所述背场层的位错，所述基层的V型槽的顶点与穿透所述背场层的位错相对应。
9.根据权利要求8所述的太阳能外延结构，其特征在于，所述太阳能外延结构还包括衬底，所述衬底设置在所述背场层远离基层的一侧。
10.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括太阳能外延结构、正面电极、减反射膜和背面电极，所述背面电极设置在背场层上远离基层的一侧，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗轶，
申请(专利权)人：东泰高科装备科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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