晶体硅太阳电池及其制备方法技术

本发明专利技术涉及太阳能电池领域，公开了一种晶体硅太阳电池及其制备方法，该晶体硅太阳电池包括硅基体片、位于所述硅基体片正表面上的正面电极、位于所述硅基体片背表面上的氧化铝钝化层、位于所述氧化铝钝化层上的硫化铅保护层，以及位于所述硫化铅保护层上的背面电极，其中，所述氧化铝钝化层和所述硫化铅保护层上具有多个通槽。本发明专利技术提供的晶体硅太阳电池的光电转换效率高、钝化效果好，并且工艺相对简单。

Crystalline silicon solar cell and its preparation

【技术实现步骤摘要】
晶体硅太阳电池及其制备方法
本专利技术涉及太阳能电池领域，具体涉及一种背表面钝化的晶体硅太阳电池及其制备方法。
技术介绍
随着太阳能行业的发展及竞争加剧，需要探索更多的技术实现太阳能电池转换效率的提高。在抛光硅片的背面沉积一层氧化铝钝化层的背表面钝化技术而形成的钝化发射区和背表面钝化电池(PERC)成为目前太阳能电池研究的热点。该太阳电池主要基于氧化铝对于P型硅片背表面有良好的钝化及光反射效果从而较大幅度提高电池光电转化效率。目前传统的背表面钝化电池的工艺流程一般如下，在掺磷扩散及扩散前与普通晶体硅电池的工艺基本相同，扩散后，进行背面的磷硅玻璃的去除及硅片背面的抛光，而后采用原子层沉积(ALD)或等离子体增强化学的气相沉积法(PECVD)技术在抛光面上沉积氧化铝膜钝化层，该钝化膜层较薄，一般在5～20nm之间，而后对钝化层进行退火，再在正面及反面均采用等离子化学气相沉积方法PECVD沉积一定厚度的氮化硅层，正面氮化硅层作为减反射膜，其厚度与普通晶硅电池类似，背面氮化硅层作为氧化铝膜钝化层的保护层，其厚度在120～150nm之间。然后采用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体硅太阳电池，其特征在于，该晶体硅太阳电池包括硅基体片、位于所述硅基体片正表面上的正面电极、位于所述硅基体片背表面上的氧化铝钝化层、位于所述氧化铝钝化层上的硫化铅保护层，以及位于所述硫化铅保护层上的背面电极，其中，所述氧化铝钝化层和所述硫化铅保护层上具有多个通槽。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶体硅太阳电池，其特征在于，该晶体硅太阳电池包括硅基体片、位于所述硅基体片正表面上的正面电极、位于所述硅基体片背表面上的氧化铝钝化层、位于所述氧化铝钝化层上的硫化铅保护层，以及位于所述硫化铅保护层上的背面电极，其中，所述氧化铝钝化层和所述硫化铅保护层上具有多个通槽。


2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池，其中，所述氧化铝钝化层和所述硫化铅保护层上分别形成有多个槽，所述氧化铝钝化层形成的槽与所述硫化铅保护层形成的槽相重合，形成所述通槽。


3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池，其中，所述通槽的宽度为50～150μm，相邻槽之间的中心距离为800～1000μm。


4.根据权利要求1-3中任意一项所述的晶体硅太阳电池，其中，所述氧化铝钝化层的厚度为30～100nm；所述硫化铅保护层的厚度为100～200nm。


5.一种晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤，
1)使硅片依次进行制绒、扩散制结、刻蚀和背抛光；
2)使用第一丝网在步骤1)得到的硅片的抛光面印刷氧化铝胶体后进行烧结，形成具有多个槽的氧化铝钝化层，并将所述氧化铝钝化层进行第一退火；
3)使用第二丝网在所述氧化铝钝化层上印刷硫化铅胶体，然后进行干燥和第二退火，形成具有与所述氧化铝钝化层上的多个槽重合的通槽的硫化铅保护层；
4)在步骤3)得到的硅片正面沉积氮化硅膜后，依次印刷背银浆、背铝浆和正面银浆，并进行烧结。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭伟华，孙翔，赵志强，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44