【技术实现步骤摘要】
制造晶硅太阳能电池片的方法以及晶硅太阳能电池片
本专利技术涉及能源领域，尤其涉及一种晶硅太阳能电池片及其制造方法。
技术介绍
随着全球煤炭、石油、天然气等常规化石能源消耗速度加快，生态环境不断恶化，特别是温室气体排放导致日益严峻的全球气候变化，人类社会的可持续发展已经受到严重威胁。世界各国纷纷制定各自的能源发展战略，以应对常规化石能源资源的有限性和开发利用带来的环境问题。太阳能凭借其可靠性、安全性、广泛性、长寿性、环保性、资源充足性的特点已成为最重要的可再生能源之一，有望成为未来全球电力供应的主要支柱。在新一轮能源变革过程中，我国光伏产业已成长为具有国际竞争优势的战略新兴产业。然而，光伏产业发展仍面临诸多问题与挑战，转换效率与可靠性是制约光伏产业发展的最大技术障碍，而成本控制与规模化又在经济上形成制约。近几年，各种新型晶硅技术层出不穷。目前市场上以PERC太阳能电池为主，主流量产效率可以超过22％，然而PERC太阳能电池转换效率再往上提升会受到较多限制。目前一种新型的钝化接触结构可以在现有PERC技术基础上通...
【技术保护点】
1.一种制造晶硅太阳能电池片的方法，所述方法包括设置基体片以及在所述基体片的顶表面、底表面上施加栅线，所述太阳能电池片包括N型硅片、位于所述N型硅片底表面上的N型钝化层以及位于所述N型硅片的顶表面上的由硼掺杂步骤而生成的P型掺杂层，所述N型钝化层为N型多晶硅钝化层或掺杂碳化硅钝化层，其特征在于，在设置所述晶硅太阳能电池片时在对所述N型硅片的顶表面进行硼掺杂之前先制备所述N型多晶硅钝化层。/n
【技术特征摘要】
1.一种制造晶硅太阳能电池片的方法，所述方法包括设置基体片以及在所述基体片的顶表面、底表面上施加栅线，所述太阳能电池片包括N型硅片、位于所述N型硅片底表面上的N型钝化层以及位于所述N型硅片的顶表面上的由硼掺杂步骤而生成的P型掺杂层，所述N型钝化层为N型多晶硅钝化层或掺杂碳化硅钝化层，其特征在于，在设置所述晶硅太阳能电池片时在对所述N型硅片的顶表面进行硼掺杂之前先制备所述N型多晶硅钝化层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法依次包括如下步骤：
设置N型硅片；
在所述N型硅片的底表面上设置隧穿层；
在所述二氧化硅隧穿层的底表面上设置N型钝化层，所述N型钝化层为多晶硅钝化层或掺杂碳化硅钝化层；
对所述N型硅片的边缘和顶表面刻蚀以去除其上的磷；
对所述N型硅片的顶表面进行硼掺杂或离子注入从而在所述N型硅片的顶表面形成P型掺杂层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在对所述N型硅片的顶表面进行硼掺杂的步骤之后的如下步骤：对所述N型硅片的边缘和所述N型多晶硅钝化层的底表面进行刻蚀以去除其上的硼。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，对所述N型硅片的边缘和顶表面刻蚀和对所述N型硅片的边缘和所述N型多晶硅钝化层的底表面进行刻蚀的步骤由化学湿法和/或干法刻蚀方法实现。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在对所述N型多晶硅钝化层的底表面刻蚀以去除硼之后，在所述P型掺杂层的顶表面上设置氧化铝钝化膜。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在设置氧化铝钝化膜的步骤之后的如下步骤：在所述氧化铝钝化膜的顶表面和所述N型钝化层的底表面上设置氮化硅减反膜、氮氧化硅减反膜或碳化硅减反膜。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，采用PECVD的方法设置所述氮化硅减反膜、氮氧化硅减反膜或碳化硅减反膜，并使所述氮化硅减反膜、氮氧化硅减反膜或碳化硅减反膜的厚度形成为70nm-200nm。
8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：常青，姚骞，张家峰，马列，王秀鹏，
申请(专利权)人：通威太阳能眉山有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
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