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本发明涉及一种制造晶硅太阳能电池片的方法和晶硅太阳能电池片。方法包括设置基体片以及在基体片的顶表面、底表面上施加栅线，太阳能电池片包括N型硅片、位于N型硅片底表面上的N型多晶硅钝化层以及位于N型硅片的顶表面上的由硼掺杂步骤而生成的P型掺杂层...
该专利属于通威太阳能(眉山)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过通威太阳能(眉山)有限公司授权不得商用。

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