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本发明公开了一种太阳能外延结构、太阳能电池及制备方法，通过将基层生长为具有V型槽的外延层，然后生长发射层、窗口层和接触层，这种V型槽结构有利于减小空穴从基层向发射层传输的距离，从而降低载流子复合几率，同时，这种V型槽结构，又能减少光的反射，...
该专利属于东泰高科装备科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东泰高科装备科技有限公司授权不得商用。

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