集成电路制造技术

一种集成电路，包括在相同基板上的栅极全环(GAA)纳米线晶体管及GAA纳米片晶体管。包括GAA纳米线晶体管的单元与包括GAA纳米片晶体管的单元所组成的阵列被提供。包括GAA纳米线晶体管的单元可相邻于包括GAA纳米片晶体管的单元，且有隔离结构夹设于单元之间。

Integrated circuit

【技术实现步骤摘要】
集成电路
本公开涉及半导体装置及制造方法，特别涉及一种集成电路，具有整合在相同基板上的垂直堆叠的栅极全环(gate-all-around,GAA)水平纳米线(nanowire,NW))装置以及垂直堆叠的GAA水平纳米片(nanosheet,NS)装置。
技术介绍
垂直堆叠的栅极全环水平纳米线及纳米片装置被深信为可用于下一世代集成电路(integratedcircuits,IC)，因为它们具有良好的栅极可控制性(controllability)、低漏电(leakage)、以及良好的可扩缩性(scalability)。在它们的通道区域，每个GAANW装置及GAANS装置皆分别具有垂直堆叠的线通道(wirechannel)及片通道(sheetchannel)，其中线通道及片通道为栅极介电层及栅极电极所环绕(wrappedaround)。由于较小的通道区域，所以GAANW相对于GAANS具有改进的栅极控制，也因此，在一些实施例中，GAANW对速度非关键的电路(non-speedcriticalcircuit)的应用较为有利，因为GAANW可以同时提供低本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路，包括：/n一基板；/n一第一单元，包括上述基板上的一第一栅极全环(GAA)纳米线晶体管，上述第一栅极全环纳米线晶体管具有垂直堆叠的多个纳米线通道、环绕上述纳米线通道的一第一栅极介电层、以及环绕上述第一栅极介电层的一第一栅极电极；/n一第二单元，包括上述基板上的一第二栅极全环纳米片晶体管，上述第二栅极全环纳米片晶体管具有垂直堆叠的多个纳米片通道、环绕上述纳米片通道的一第二栅极介电层、以及环绕上述第二栅极介电层的一第二栅极电极；以及/n一隔离结构，夹设于上述第一单元与上述第二单元之间。/n

【技术特征摘要】
20180928 US 62/739,142;20190711 US 16/508,4211.一种集成电路，包括：
一基板；
一第一单元，包括上述基板上的一第一栅极全环(GAA)纳米线晶体管，上述第一栅极全环纳米线晶体管具有垂直堆叠的多个纳米线通道...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖忠志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71