焊垫结构及半导体结构的制备方法技术

本发明专利技术提供一种焊垫结构及半导体结构的制备方法，包括：于金属层间介质层上依次形成粘接层、焊垫金属层、抗反射层及光刻胶层，金属层间介质层包含密封环及接触窗，密封环贯穿金属层间介质层并延伸至器件结构的半导体衬底中，接触窗与器件结构电连接；图形化光刻胶层，形成第一刻蚀窗口；藉由第一刻蚀窗口，采用干法刻蚀依次去除抗反射层及焊垫金属层，形成第二刻蚀窗口；藉由第二刻蚀窗口，采用湿法刻蚀去除粘接层，形成第三窗口，相邻两第三窗口之间形成焊垫结构。采用本方法形成的焊垫结构能够在保持整体轮廓不受影响的情况下有效排除累积电荷的产生，最终获得的焊垫结构兼具三明治结构的优异性能还不会对芯片中器件结构的性能产生影响。

【技术实现步骤摘要】
焊垫结构及半导体结构的制备方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种焊垫结构及半导体结构的制备方法。
技术介绍
在半导体芯片制作中，芯片外围需要通过密封环(Sealring)结构使芯片内部保持密封状态。密封环结构围在芯片的外围，采用密封环结构可以释放、阻隔芯片在封装过程中产生的应力，防止芯片破裂，确保芯片的性能长时间稳定，并阻隔芯片在制造、使用时的水汽，使芯片内部免于受到湿气引起的劣化，由于芯片内部的介电层一般由多孔低介电常数材料形成，水汽可轻易渗透低介电常数介电层而到达芯片内部的集成电路，而密封环结构通常由金属形成，其封锁了湿气渗透途径，从而保持芯片的可靠性。在半导体芯片制造过程的后段制程中，完成顶层金属布线层的制作后，还需要在顶层金属布线层上制作金属层间介质层及金属焊垫，该金属焊垫就成为后续封装互连的连接点。现有技术中形成金属焊垫时，首先通过在金属层间介质层上形成金属焊垫材料层，然后根据对芯片上金属焊垫分布格局的具体要求通过干法刻蚀金属焊垫材料层形成金属焊垫，但在刻蚀过程中会在芯片中的接触窗上形成累积电荷，该累积电荷无法有效本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种焊垫结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括如下步骤：/n于金属层间介质层上依次形成粘接层、焊垫金属层、抗反射层及光刻胶层，其中，所述金属层间介质层包含密封环及接触窗，所述密封环贯穿所述金属层间介质层并延伸至器件结构的半导体衬底中，所述接触窗与所述器件结构电连接；/n图形化所述光刻胶层，形成第一刻蚀窗口；/n藉由所述第一刻蚀窗口，采用干法刻蚀依次去除所述抗反射层及所述焊垫金属层，形成第二刻蚀窗口，以使干法刻蚀过程中产生的累积电荷通过所述粘接层进入所述密封环并通过所述半导体衬底释放；/n藉由所述第二刻蚀窗口，采用湿法刻蚀去除所述粘接层，形成第三窗口，相邻两所述第三窗口之间形成焊垫...

【技术特征摘要】
1.一种焊垫结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括如下步骤：
于金属层间介质层上依次形成粘接层、焊垫金属层、抗反射层及光刻胶层，其中，所述金属层间介质层包含密封环及接触窗，所述密封环贯穿所述金属层间介质层并延伸至器件结构的半导体衬底中，所述接触窗与所述器件结构电连接；
图形化所述光刻胶层，形成第一刻蚀窗口；
藉由所述第一刻蚀窗口，采用干法刻蚀依次去除所述抗反射层及所述焊垫金属层，形成第二刻蚀窗口，以使干法刻蚀过程中产生的累积电荷通过所述粘接层进入所述密封环并通过所述半导体衬底释放；
藉由所述第二刻蚀窗口，采用湿法刻蚀去除所述粘接层，形成第三窗口，相邻两所述第三窗口之间形成焊垫结构。


2.根据权利要求1所述的焊垫结构的制备方法，其特征在于：所述粘接层包括钛，所述焊垫金属层包括铝，所述抗反射层包括氮化钛。


3.根据权利要求2所述的焊垫结构的制备方法，其特征在于：所述粘接层的厚度介于之间，所述焊垫金属层的厚度介于之间，所述抗反射层的厚度介于之间。


4.根据权利要求2所述的焊垫结构的制备方法，其特征在于：所述干法刻蚀采用的刻蚀气体包括氯气及氯化硼。


5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：王永庆，陈赫，董金文，伍术，华子群，胡玉芬，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42