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本发明提供一种焊垫结构及半导体结构的制备方法，包括：于金属层间介质层上依次形成粘接层、焊垫金属层、抗反射层及光刻胶层，金属层间介质层包含密封环及接触窗，密封环贯穿金属层间介质层并延伸至器件结构的半导体衬底中，接触窗与器件结构电连接；图形化光...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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