一种测量外延设备反应腔温度的方法技术

本发明专利技术公开了一种测量外延设备反应腔温度的方法。所述方法包括如下步骤：向硅衬底中注入与其相反导电类型的离子，得测试衬底；将所述测试衬底放入外延设备的反应腔内，在氢气氛围下升温至预设温度，在预设温度保持预设时间后降温，测量所述测试衬底的方块电阻，计算外延设备反应腔的温度。本发明专利技术提供的外延设备反应腔温度测试和校准的方法，不仅实现了在900‑1410℃的温度区间内测量反应腔温度值和温场分布，而且还能够对不同设备之间反应腔的温度进行统一，避免了由于温度感应装置敏感程度不同导致的产品质量的差异，具有较高的准确性，从而提高了产品质量的稳定性和产品批间的稳定性，对于碳化硅产品的质量提高具有十分重要的意义。

A method of measuring the temperature of reaction chamber of epitaxial equipment

【技术实现步骤摘要】
一种测量外延设备反应腔温度的方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种测量外延设备反应腔温度的方法。
技术介绍
碳化硅作为第三代半导体材料，与传统的硅材料相比，具有高禁带宽度、高热导率、高临界击穿电场和高饱和电子漂移速度等优点，因此被广泛应用于高功率、高温、高压和高频等领域。目前，碳化硅外延生长的方法主要有分子束外延法、液相外延法、升华法和化学气相沉积法。其中，由于化学沉积法具有参数控制精度高、操作简等优点，被广泛应用于碳化硅外延生长。对于半导体器件来说，需要碳化硅外延层具有完美的晶体结构，然而在实际的外延层生长过程中，假如外延腔体内的温度分布不均，会造成生长的外延层中具有滑移线等缺陷，从而影响碳化硅外延层的晶体结构。此外，在不同外延设备、甚至同一设备在不同时期进行外延层的生长，虽然工艺参数设定相同，生长的外延层的质量也存在差异，影响了产品性能的稳定性。因此，测量碳化硅外延设备反应腔的温度值和温场分布对提高产品的质量和产品批间稳定性具有重要意义。目前，主要采用红外测温仪对外延设备反应腔温度进行测量，无法有效测量反应腔的温场分布本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种测量外延设备反应腔温度的方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤A、向硅衬底中注入与其相反导电类型的离子，得测试衬底；/n步骤B、将所述测试衬底放入外延设备的反应腔内，在氢气氛围下升温至预设温度，在预设温度保持预设时间后降温；/n步骤C、将所述测试衬底从外延设备的反应腔内取出，测量所述测试衬底的方块电阻，并根据所述方块电阻计算外延设备反应腔的温度。/n

【技术特征摘要】
1.一种测量外延设备反应腔温度的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤A、向硅衬底中注入与其相反导电类型的离子，得测试衬底；
步骤B、将所述测试衬底放入外延设备的反应腔内，在氢气氛围下升温至预设温度，在预设温度保持预设时间后降温；
步骤C、将所述测试衬底从外延设备的反应腔内取出，测量所述测试衬底的方块电阻，并根据所述方块电阻计算外延设备反应腔的温度。


2.如权利要求1所述的测量外延设备反应腔温度的方法，其特征在于，在计算外延设备反应腔的温度之后，还包括：
步骤D、基于计算获得的反应腔的温度和所述预设温度，对所述外延设备的反应腔进行温度校准。


3.如权利要求2所述的测量外延设备反应腔温度的方法，其特征在于，还包括以下步骤：
步骤E，将硅颗粒置于熔点高于硅颗粒的衬底上，得硅熔片，将所述硅熔片放入温度校准后的外延设备的反应腔内，升温至1410℃，观察硅颗粒是否熔化，若所述硅颗粒熔化，则确定反应腔的温度校准正确。


4.如权利要求1所述的测量外延设备...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵丽霞，杨龙，吴会旺，
申请(专利权)人：河北普兴电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13