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本发明公开了一种测量外延设备反应腔温度的方法。所述方法包括如下步骤：向硅衬底中注入与其相反导电类型的离子，得测试衬底；将所述测试衬底放入外延设备的反应腔内，在氢气氛围下升温至预设温度，在预设温度保持预设时间后降温，测量所述测试衬底的方块电阻...
该专利属于河北普兴电子科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河北普兴电子科技股份有限公司授权不得商用。

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