一种p型GaN上欧姆接触透明电极的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种p型GaN上的欧姆接触透明电极材料的制备方法。该方法是采用高分子辅助沉积方法生长Al掺杂ZnO薄膜，再采用退火处理，得到需要的AZO电极层薄膜。这种电极层薄膜生长方法简单，成本较低，可以大面积生长，可以与p型GaN形成很好的欧姆接触，具有电阻率小，透光性高的优点。

Preparation of ohmic contact transparent electrode on p-GaN

【技术实现步骤摘要】
一种p型GaN上欧姆接触透明电极的制备方法
本专利技术涉及一种p型GaN上欧姆接触透明电极的制备方法。
技术介绍
以III族氮化物为代表的第三代半导体(即宽禁带半导体,禁带宽度大于2.2eV)具有巨大的应用前景，其中GaN材料在光电子器件领域已经得到了广泛的应用。为了制备高性能的器件，与GaN材料形成欧姆接触的电极层是非常必要的。良好的欧姆接触能有效地降低器件中的串联电阻，从而降低器件的开启电压和工作电流，减少器件发热，从而提高器件性能。而p型GaN由于价带顶距离真空能级很远(7.4eV)，而一般的导电材料很难达到如此高的功函数，一旦功函数无法匹配，会在接触界面形成肖特接触，而肖特基接触的接触电阻相对于欧姆接触的接触电阻要大很多，因此在实际器件中，p型GaN的欧姆接触很难实现。目前常用的电极材料包括Ni/Au,Ni/Pd等金属电极。但金属电极仍存在很多问题，比如成本较高，不透明从而影响器件发光效率等。所以透明氧化物半导体电极引起了研究者广泛的兴趣。与常见的锡掺杂氧化铟相比，铝掺杂氧化锌(AZO)应用前景更好，因为AZO电阻率更小，透光性更好，而本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种p型GaN上欧姆接触透明电极的制备方法，其特征在于：采用高分子辅助沉积方法生长金属掺杂的ZnO电极层，步骤如下：/n(1)前驱体溶液制备，分别制备包括锌盐、PEI、EDTA及去离子水的锌前驱体溶液和包括掺杂金属盐、PEI、EDTA及去离子水的掺杂金属前驱体溶液；将所得前驱体溶液分别进行超细过滤，得到锌前驱体胶体和掺杂金属前驱体胶体；/n(2)混合步骤(1)所得前驱体胶体，按照需要的摩尔比混合两种前驱体胶体得到前驱体源，搅拌均匀；/n(3)将所得前驱体源均匀涂覆在p型GaN薄膜表面，在40-150℃温度下，烘干使胶体凝固；/n(4)在空气氛围中，500～800℃进行退火处理，退火时间1～...

【技术特征摘要】
1.一种p型GaN上欧姆接触透明电极的制备方法，其特征在于：采用高分子辅助沉积方法生长金属掺杂的ZnO电极层，步骤如下：
(1)前驱体溶液制备，分别制备包括锌盐、PEI、EDTA及去离子水的锌前驱体溶液和包括掺杂金属盐、PEI、EDTA及去离子水的掺杂金属前驱体溶液；将所得前驱体溶液分别进行超细过滤，得到锌前驱体胶体和掺杂金属前驱体胶体；
(2)混合步骤(1)所得前驱体胶体，按照需要的摩尔比混合两种前驱体胶体得到前驱体源，搅拌均匀；
(3)将所得前驱体源均匀涂覆在p型GaN薄膜表面，在40-150℃温度下，烘干使胶体凝固；
(4)在空气氛围中，500～800℃进行退火处理，退火时间1～2h，得到需要的金属掺杂ZnO电极薄膜。


2.根据权利要求1所述的p型GaN上欧姆接触透明电极的制备方法，其特征在于，所述锌前驱体溶液中，锌、PEI、EDTA的摩尔比为(0.9～1.1)：(0.9～1.1)：(1～1.2)。


3.根据权利要求1所述的p型GaN上欧姆接触透明电极的制备方法，其特征在于，所述掺杂金属前驱体溶液中，掺杂金属、PEI、EDTA的摩尔比为(0.9～1.1)：(0.9～1.1)：(1～1.2)。

【专利技术属性】
技术研发人员：吴昊，苏曦，刘昌，
申请(专利权)人：武汉大学苏州研究院，
类型：发明
国别省市：江苏;32