形成二维材料层的方法、场效晶体管及其制造方法技术

一种形成二维材料层的方法、场效晶体管及其制造方法。在形成二维材料层的方法中，形成成核图案于基板之上，且形成过渡金属二硫属化物层，使得过渡金属二硫属化物层从成核图案横向地生长。在一或多个前述及以下实施例中，过渡金属二硫属化物层为单晶。

【技术实现步骤摘要】
形成二维材料层的方法、场效晶体管及其制造方法
本揭露的实施例关于场效晶体管，特别关于形成二维材料层的方法、制造场效晶体管的方法、及场效晶体管。
技术介绍
作为二维(two-dimensional，2-D)的石墨烯已显现为次10纳米技术节点的晶体管应用的可能材料。然而，由于石墨烯的零能隙性质，石墨烯晶体管的低开关比(ON/OFFratio)已限制其实际应用。其他具有能隙的二维材料，例如过渡金属二硫属化物(transitionmetaldichalcogenide，TMD)，已吸引晶体管应用的目光。
技术实现思路
依据本揭露的一方面，一种形成二维材料层的方法包含形成成核图案于基板之上，且形成过渡金属二硫属化物层，使得过渡金属二硫属化物层从成核图案横向地生长。依据本揭露的一方面，一种制造场效晶体管的方法包含形成成核图案于基板之上；形成过渡金属二硫属化物层，使得过渡金属二硫属化物层从成核图案横向生长；在形成过渡金属二硫属化物层之后，去除成核图案；形成源极与漏极电极于过渡金属二硫属化物层上；形成栅极介电层；以及形成栅电极于栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成二维材料层的方法，其特征在于，该方法包含：/n形成一成核图案于一基板之上；以及/n形成一过渡金属二硫属化物层，使得该过渡金属二硫属化物层从该成核图案横向地生长。/n

【技术特征摘要】
20180925 US 62/736,335;20190517 US 16/415,4631.一种形成二维材料层的方法，其特征在于，该方法包含：
形成一成核图案于一基板之上；以及
形成一过渡金属二硫属化物层，使得该过渡金属二硫属化物层从该成核图案横向地生长。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该过渡金属二硫属化物层为单晶。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
该基板为单晶，以及
该成核图案所形成于其上的该基板的一上表面非对称于该过渡金属二硫属化物层。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，该基板为其上表面具有一C2对称成核图案的硅、γ-三氧化二铝、三氧化二镓及氧化镁之一，或为包含一六方氮化硼层或一石墨烯基板层沉积于一C3对称基板上的一复合基板，其中该C3对称基板包含碳化硅(0001)、锗(111)、硅(111)、铜(111)或铂(111)。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李明洋，李连忠，褚志彪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71