电子设备及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种电子设备及其制造方法。制造包括半导体存储器的电子设备的方法包括：形成沿第一方向延伸并具有闭环形状的第一导电结构；形成沿第二方向延伸并具有闭环形状的第二导电结构，第二方向与第一方向交叉；形成位于第一导电结构与第二导电结构的交叉处的存储单元；通过刻蚀第一导电结构的端部部分形成沿第一方向延伸的第一导电图案；通过刻蚀第二导电结构的端部部分形成沿第二方向延伸的第二导电图案；在第一导电图案和第二导电图案中的每一者的被刻蚀的表面上形成第一保护层；并在第一保护层上形成间隙填充层。

【技术实现步骤摘要】
电子设备及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求2018年9月21日提交的申请号为10-2018-0114206的韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。
本公开的各种实施例总体涉及一种存储电路或器件，以及其在电子设备中的应用。
技术介绍
近来，随着电子设备趋向于小型化、低功耗、高性能和多样化等，已经需要能够将信息储存在诸如计算机和便携式通信设备的各种电子设备中的半导体器件。因此，已经进行了研究以开发具有开关特性的半导体器件，即，能够通过根据施加的电压或电流在不同的电阻状态之间切换而储存数据的器件。具有开关特性的半导体器件的示例包括电阻式随机存取存储器(RRAM)、相变随机存取存储器(PRAM)、铁电随机存取存储器(FRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)和电熔丝等等。
技术实现思路
本公开的各种实施例提供了一种电子设备，其包括具有改善的操作特性和可靠性的存储单元，以及提供了一种用于制造该电子设备的方法。根据一个实施例，一种制造包括半导体存储器的电子设备的方法可以包括：形成沿第一方向延本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造包括半导体存储器的电子设备的方法，该方法包括：/n形成第一导电结构，其沿第一方向延伸并具有闭环形状；/n形成第二导电结构，其沿第二方向延伸并具有闭环形状，所述第二方向与所述第一方向交叉；/n在所述第一导电结构与所述第二导电结构的交叉处形成存储单元；/n通过刻蚀所述第一导电结构的端部部分，形成沿所述第一方向延伸的第一导电图案；/n通过刻蚀所述第二导电结构的端部部分，形成沿所述第二方向延伸的第二导电图案；/n在所述第一导电图案和所述第二导电图案中的每一者的被刻蚀的表面之上形成第一保护层；以及/n在所述第一保护层上形成间隙填充层。/n

【技术特征摘要】
20180921 KR 10-2018-01142061.一种制造包括半导体存储器的电子设备的方法，该方法包括：
形成第一导电结构，其沿第一方向延伸并具有闭环形状；
形成第二导电结构，其沿第二方向延伸并具有闭环形状，所述第二方向与所述第一方向交叉；
在所述第一导电结构与所述第二导电结构的交叉处形成存储单元；
通过刻蚀所述第一导电结构的端部部分，形成沿所述第一方向延伸的第一导电图案；
通过刻蚀所述第二导电结构的端部部分，形成沿所述第二方向延伸的第二导电图案；
在所述第一导电图案和所述第二导电图案中的每一者的被刻蚀的表面之上形成第一保护层；以及
在所述第一保护层上形成间隙填充层。


2.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一导电图案和所述第二导电图案包括钨，所述间隙填充层包括氧化物，以及所述第一保护层包括氮化物。


3.如权利要求2所述的方法，其中，所述第一保护层防止所述第一导电图案和所述第二导电图案中的每一者的被刻蚀的表面生长。


4.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一导电结构包括：
形成叠层，其包括导电层和可变电阻层；以及
将所述叠层图案化为所述闭环形状。


5.如权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述第一导电图案之前，在所述第二导电图案的被刻蚀的表面之上形成第二保护层。


6.如权利要求5所述的方法，其中，在形成所述第一导电图案时，所述第二导电图案的被刻蚀的表面由所述第二保护层保护。


7.如权利要求1所述的方法，还包括：
在所述第一导电结构的侧壁上形成第一衬垫层；以及
在所述第二导电结构的侧壁上形成第二衬垫层。


8.如权利要求7所述的方法，其中，所述第一衬垫层形成在所述第一导电图案的面向所述第二方向的侧壁上，以及所述第一保护层形成在所述第一导电图案的面向所述第一方向的侧壁上，以及
其中，所述第二衬垫层形成在所述第二导电图案的面向所述第一方向的侧壁上，以及第二保护层形成在所述第二导电图案的面向所述第二方向的侧壁上。


9.一种制造包括半导体存储器的电子设备的方法，所述方法包括：
形成第一层叠结构，其沿第一方向延伸；
在所述第一层叠结构之间形成第一间隙填充层；
形成第二层叠结构，其沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸；
在所述第二层叠结构之间形成第...

【专利技术属性】
技术研发人员：金晃衍，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR