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本发明提供一种电子设备及其制造方法。制造包括半导体存储器的电子设备的方法包括：形成沿第一方向延伸并具有闭环形状的第一导电结构；形成沿第二方向延伸并具有闭环形状的第二导电结构，第二方向与第一方向交叉；形成位于第一导电结构与第二导电结构的交叉处...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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