阻变器件及其制备方法、设计方法技术

一种阻变器件及其制备方法、设计方法，该阻变器件包括第一电极、第二电极、阻变层和至少一层热电调制层。所述阻变层设置在所述第一电极和所述第二电极之间，所述热电调制层与所述阻变层相邻。所述阻变器件可在第一状态和第二状态之间转换，所述阻变层在所述第一状态时的电阻小于在所述第二状态时的电阻，所述热电调制层的有效电阻大于所述阻变层在所述第一状态时的电阻的1/4。该阻变器件在置位和/或复位过程中具有电导‑脉冲线性区间，有利于提高应用该阻变器件的神经网络的计算精度，有助于实现类脑计算硬件系统。

Rheostat device and its preparation and design

【技术实现步骤摘要】
阻变器件及其制备方法、设计方法
本公开的实施例涉及一种阻变器件及其制备方法、设计方法。
技术介绍
随着人工神经网络的发展，由金属氧化物型阻变器件构成的交叉阵列的结构在神经网络的硬件实现上有重要的作用和意义。阻变器件通常包括薄膜材料，这些薄膜材料具有不同的电阻状态，并且能够在一定的电压作用下在不同的电阻状态之间转换。
技术实现思路
本公开至少一个实施例提供一种阻变器件，包括：第一电极；第二电极；阻变层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间；至少一层热电调制层，所述热电调制层与所述阻变层相邻；其中，所述阻变器件可在第一状态和第二状态之间转换，所述阻变层在所述第一状态时的电阻小于在所述第二状态时的电阻，所述热电调制层的有效电阻大于所述阻变层在所述第一状态时的电阻的1/4。例如，在本公开一实施例提供的阻变器件中，所述热电调制层的有效电阻小于所述阻变层在所述第一状态时的电阻的5倍。例如，在本公开一实施例提供的阻变器件中，所述热电调制层的电阻率为0.1mΩ·cm-10Ω·cm。例如，在本公开一实施例提供的阻变器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阻变器件，包括：/n第一电极；/n第二电极；/n阻变层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间；/n至少一层热电调制层，所述热电调制层与所述阻变层相邻；/n其中，所述阻变器件可在第一状态和第二状态之间转换，所述阻变层在所述第一状态时的电阻小于在所述第二状态时的电阻，所述热电调制层的有效电阻大于所述阻变层在所述第一状态时的电阻的1/4。/n

【技术特征摘要】
1.一种阻变器件，包括：
第一电极；
第二电极；
阻变层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间；
至少一层热电调制层，所述热电调制层与所述阻变层相邻；
其中，所述阻变器件可在第一状态和第二状态之间转换，所述阻变层在所述第一状态时的电阻小于在所述第二状态时的电阻，所述热电调制层的有效电阻大于所述阻变层在所述第一状态时的电阻的1/4。


2.根据权利要求1所述的阻变器件，其中，所述热电调制层的有效电阻小于所述阻变层在所述第一状态时的电阻的5倍。


3.根据权利要求1所述的阻变器件，其中，所述热电调制层的电阻率为0.1mΩ·cm-10Ω·cm。


4.根据权利要求1所述的阻变器件，其中，所述热电调制层的热导率为0.01W·m-1·K-1-20W·m-1·K-1。


5.根据权利要求1所述的阻变器件，其中，所述至少一层热电调制层包括第一热电调制层和第二热电调制层，所述阻变层夹置在所述第一热电调制层和所述第二热电调制层之间，
所述热电调制层的有效电阻等于所述第一热电调制层的有效电阻和所述第二热电调制层的有效电阻之和。


6.根据权利要求1所述的阻变器件，其中，所述阻变器件在置位和/或复位过程中具有电导-脉冲线性区间。


7.一种阻变器件，包括：
第一电极；
第二电极；
阻变层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间；
至少一层热电调制层，所述热电调制层与所述阻变层相邻；
其中，所述阻变器件可在第一状态和第二状态之间转换，所述阻变层在所述第一状态时的电阻小于在所述第二状态时的电阻，所述热电调制层使得所述阻变器件在置位和/或复位过程中具有电导-脉冲线性区间。


8.一种阻变器件的制备方法，包括：
在基底上形成第一电极；
在所述第一电极上形成第一材料层；
在所述第一材料层上形成第二材料层；
在所述第二材料层上形成第二电极；
其...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴华强，吴威，高滨，钱鹤，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京;11