【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置及其制造方法本申请是申请日为2015年1月7日、申请号为201580004157.4、专利技术名称为“半导体存储装置及其制造方法”的申请的分案申请。
在此描述的实施例涉及半导体存储装置及其制造方法。
技术介绍
尽管传统上NAND闪速存储器的平面结构已被缩小以提高位密度和降低位成本(bitcost)，但此缩小正接近极限。因此，近年来，已提出在竖直方向上层叠存储单元(memorycell)的技术。存储单元的数据保持特性在这种层叠的存储装置中是成问题的。
技术实现思路
一般而言，根据一个实施例，一种半导体存储装置包括基板、设置在所述基板上且在竖直方向上延伸的半导体柱、设置在所述半导体柱的侧方且在第一方向上延伸的多个第一电极膜。所述多个第一电极膜沿着所述竖直方向彼此分离地配置。所述半导体存储装置进一步包括设置在所述半导体柱与所述第一电极膜之间的多个第二电极膜。所述多个第二电极膜沿着所述竖直方向彼此分离地配置。所述半导体存储装置进一步包括设置在所述半导体柱与所述第二电极膜之间的第一绝缘膜，以及...
【技术保护点】
1.一种半导体存储装置，包括：/n第一半导体柱，其在第一方向上延伸并连接至导电材料的表面；/n第二半导体柱，其在所述第一方向上延伸并连接至所述导电材料的表面，所述第一半导体柱和所述第二半导体柱在与所述第一方向交叉的第二方向上排列；/n第一绝缘层，其设置在所述第一半导体柱与所述第二半导体柱之间；/n第一电极膜，其在与所述第一方向和所述第二方向相交的第三方向上延伸；/n第二电极膜，其在所述第三方向上延伸，所述第一电极膜和所述第二电极膜在所述第二方向上排列；/n第一存储部分，用于存储在所述第一半导体柱和所述第一电极膜之间提供的电子；/n第二存储部分，用于存储在所述第二半导体柱和所...
【技术特征摘要】
20140110 JP 2014-003793;20140311 US 14/204,6231.一种半导体存储装置，包括：
第一半导体柱，其在第一方向上延伸并连接至导电材料的表面；
第二半导体柱，其在所述第一方向上延伸并连接至所述导电材料的表面，所述第一半导体柱和所述第二半导体柱在与所述第一方向交叉的第二方向上排列；
第一绝缘层，其设置在所述第一半导体柱与所述第二半导体柱之间；
第一电极膜，其在与所述第一方向和所述第二方向相交的第三方向上延伸；
第二电极膜，其在所述第三方向上延伸，所述第一电极膜和所述第二电极膜在所述第二方向上排列；
第一存储部分，用于存储在所述第一半导体柱和所述第一电极膜之间提供的电子；
第二存储部分，用于存储在所述第二半导体柱和所述第二电极膜之间提供的电子；
第三半导体柱，其在所述第一方向上延伸并连接至导电材料的表面，所述第三半导体柱和所述第二半导体柱在所述第二方向上排列；
第四半导体柱，其在所述第一方向上延伸并连接至导电材料的表面，所述第四半导体柱和所述第三半导体柱在所述第二方向上排列；
第二绝缘层，其设置在所述第三半导体柱和所述第四半导体柱之间；
第三电极膜，其在所述第三方向上延伸；
第四电极膜，其在所述第三方向上延伸，所述第三电极膜和所述第四电极膜在所述第二方向上排列；
第三存储部分，其设置在所述第三半导体柱和所述第三电极膜之间；
第四存储部分，其设置在所述第四半导体柱和所述第四电极膜之间；以及
导电层，其在所述第一方向上延伸并连接至所述导电材料的表面，所述导电层位于所述第四半导体柱的所述第二方向上，
其中，所述第二电极膜和所述第三电极膜设置在所述第二半导体柱和所述第三半导体柱之间。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一半导体柱和所述半导体柱的材料不同于所述导电层的材料。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述导电层在所述第一方向上的长度长于所述第一半导体柱和所述半导体柱在所述第一方向上的长度。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述导电层在所述第三方向和所述第一方向上延伸。
5.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：
第一互连，其在所述第二方向上延伸并且被设置在所述第一半导体柱和所述第二半导体柱上方。
6.根据权利要求5所述的装置，其中
所述导电层被设置在所述第一互连下方。
7.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：
第二互连，其被设置在所述导电层上方。
8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述导电层在所述第一方向上从所述第二互连线直延伸到所述导电材料。
9.根据权利要求1所述的装置，其中
所述第一存储部分包括：
第三电极膜，其设置在所述第一半导体柱与所述第一电极膜之间；
第三绝缘层，其设置在所述第一半导体柱与所述第三电极膜之间；
第四绝缘层，其设置在所述第三电极膜与所述第一电极膜之间；
第四电极膜，其设置在所述第二半导体柱与所述第二电极膜之间；
第五绝缘层，其设置在所述第二半导体柱与所述第四电极膜之间；以及
第六绝缘层，其设置在所述第四电极膜与所述第二电极膜之间。
10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一电极膜和所述第二电极膜未设置在所述第一半导体柱和所述第二半导体柱之间。
11.一种半导体存储装置，包括：
基板，在其上或上方形成有导电表面；
具有多个半导体柱的第一柱列，所述多个半导体柱中的每一个在与所述基板的表面垂直的竖直方向上延伸，所述第一柱列的所述多个半导体柱在与所述竖直方向交叉的第一方向上排列；
具有多个半导体柱的第二柱列，所述多个半导体柱中的每一个在所述竖直方向上延伸，所述第二柱列的所述多个半导体柱在所述第一方向上排列，所述第二柱列位于所述第一柱列的第二方向上，所述第二方向与所述竖直方向和所述第一方向交叉；
第一控制列，其具有在所述第一方向上延伸的多个第一电极膜，所述第一控制列的所述多个第一电极膜沿所述竖直方向彼此分离地配置；
第二控制列，其具有在所述第一方向上延伸的多个第一电极膜，所述第二控制列的所述多个第一电极膜沿所述竖直方向彼此分离地配置；以及
导电层，其在所述竖直方向上延伸并位于所述第二柱列的所述第二方向上，
其中，所述第一柱列、所述第二柱列、所述第一控制列和所述第二控制列在所述第二方向上排列，所述第一柱列和所述第二柱列位于所述第一控制列与所述第二控制列之间，
其中，所述第二导电层与所述导电表面连接。
12.根据权利要求11所述的装置，其中
所述第一控制列和所述第二控制列设置在所述基板的所述表面上方，并且
所述第一柱列和所述第二柱列中的至少一者的所述半导体柱的下端分别与形成在所述导电表面上的凹部接触。
13.根据权利要求11所述的装置，其中，所述第一柱列和所述第二柱列的所述半导体柱的材料不同于所述导电层的材料。
14.根据权利要求11所述的装置，其中，所述导电层在所述竖直方向上的长度长于所述第一柱列和所述第二柱列的所述半导体柱在所述竖直方向上的长度。
15.根据权利要求11所述的装置，其中，所述导电层在所述竖直方向上直延伸。
16.根据权利要求11所述的装置，其中，所述导电层在所述竖直方向和所述第一方向上延伸。
17.根据权利要求11所述的装置，进一步包括：
互连，其在所述第二方向上延伸并设置在所述第一柱列和所述第二柱列上方。
18.根据权利要求17所述的装置，其中，所述导电层设置在所述互连下方。
19.根据权利要求11所述的装置，进一步包括：
第二电极膜，其设置在所述第一柱列的所述半导体柱中的一个与所述第一电极膜之间；
第一绝缘膜，其设置在所述半导体柱中的一个与所述第二电极膜之间；以及
第二绝缘膜，其设置在所述第二电极膜与所述第一电极膜之间。
20.一种半导体存储装置，包括：
基板；
具有多个半导体柱的第一柱列，其设置在所述基板上方，所述多个半导体柱中的每一个在竖直方向上延伸，所述第一柱列的所述多个半导体柱在与所述竖直方向交叉的第一方向上按一个序列排列；
具有多个半导体柱的第二柱列，其设置在所述基板上方，所述多个半导体柱中的每一个在所述竖直方向上延伸，所述第二柱列的所述多个半导体柱在所述第一方向上按一个序列排列，所述第二柱列位于所述第一柱列的第二方向上，所述第二方向与所述竖直方向和所述第一方向交叉；
第一控制列，其具有在所述第一方向上延伸的多个第一电极膜，所述第一控制列的所述多个第一电极膜沿所述竖直方向彼此分离地配置；
第二控制列，其具有在所述第一方向上延伸的多个第一电极膜，所述第二控制列的所述多个第一电极膜沿所述竖直方向彼此分离地配置；
第三控制列，其具有在所述第一方向上延伸的多个第一电极膜，所述第三控制列的所述多个第一电极膜沿所述竖直方向彼此分离地配置；
第四控制列，其具有在所述第一方向上延伸的多个第一电极膜，所述第四控制列的所述多个第一电极膜沿所述竖直方向彼此分离地配置；
第一存储单元，其设置在所述半导体柱中的一个与所述第一电极膜中的一个之间；
单元源线，其设置在所述基板与所述半导体柱之间，与所述半导体柱的...
【专利技术属性】
技术研发人员：坂本涉，铃木亮太，冈本达也，加藤龙也，荒井史隆，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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