一种浅沟槽隔离结构衬垫的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种浅沟槽隔离结构衬垫的制备方法，包括提供一开设有至少一条沟槽的半导体衬底，在所述沟槽内设置有第一氧化硅衬垫层；以及在所述沟槽内形成第二氧化硅衬垫层；其中，所述第二氧化硅衬垫层夹设于所述第一氧化硅衬垫层与所述衬底之间。采用本发明专利技术方法所形成的沟槽衬垫，具有与衬底贴合紧密、阶梯覆盖率好、界面缺陷少等优点，能够改善动态随机存储器工作过程中存储单元的漏电和耦合的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种浅沟槽隔离结构衬垫的制备方法
本专利技术涉及半导体浅沟槽隔离结构，具体为一种浅沟槽隔离结构衬垫的制备方法。
技术介绍
浅沟槽隔离是半导体器件隔离的工艺，沟槽的侧壁氧化层关系到器件的性能，因而侧壁氧化层的特性非常重要。由于现行DRAM尺寸微缩，沟槽宽度变得更小，沟槽的顶部、侧壁以及底部晶面方向不一致，填充或者热氧化形成的侧壁氧化层因为厚度不一致或者氧化层特性不好，影响到DRAM的功能使用。因此，需要开发一种新的，更薄，特性更好的侧壁氧化层。
技术实现思路
本专利技术的一个主要目的是提供一种浅沟槽隔离结构衬垫的制备方法，包括：提供一开设有至少一条沟槽的半导体衬底，在所述沟槽内设置有第一氧化硅衬垫层；以及在所述沟槽内形成第二氧化硅衬垫层；其中，所述第二氧化硅衬垫层夹设于所述第一氧化硅衬垫层与所述衬底之间。根据本专利技术一实施方式，所述第二氧化硅衬垫层至少覆盖所述沟槽的底部和侧壁。根据本专利技术一实施方式，通过干法氧化形成所述第二氧化硅衬垫层。根据本专利技术一实施方式，所述干法氧化的温度为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种浅沟槽隔离结构衬垫的制备方法，包括：/n提供一开设有至少一条沟槽的半导体衬底，在所述沟槽内设置有第一氧化硅衬垫层；以及/n在所述沟槽内形成第二氧化硅衬垫层；/n其中，所述第二氧化硅衬垫层夹设于所述第一氧化硅衬垫层与所述衬底之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种浅沟槽隔离结构衬垫的制备方法，包括：
提供一开设有至少一条沟槽的半导体衬底，在所述沟槽内设置有第一氧化硅衬垫层；以及
在所述沟槽内形成第二氧化硅衬垫层；
其中，所述第二氧化硅衬垫层夹设于所述第一氧化硅衬垫层与所述衬底之间。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二氧化硅衬垫层至少覆盖所述沟槽的底部和侧壁。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过干法氧化形成所述第二氧化硅衬垫层。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述干法氧化的温度为700～900℃、压力为0.1～760torr。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二氧化硅衬垫层的厚度为1～5nm，所述第一氧化硅衬垫层的厚度为3～7nm。


6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氧化硅衬垫层包括一层或多层氧化硅膜。


7.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34