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本发明提供了一种浅沟槽隔离结构衬垫的制备方法，包括提供一开设有至少一条沟槽的半导体衬底，在所述沟槽内设置有第一氧化硅衬垫层；以及在所述沟槽内形成第二氧化硅衬垫层；其中，所述第二氧化硅衬垫层夹设于所述第一氧化硅衬垫层与所述衬底之间。采用本发明...
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