一种氮化铝陶瓷覆铜基板及其制备方法技术

本公开涉及一种氮化铝陶瓷覆铜基板及其制备方法，该氮化铝陶瓷覆铜基板包括氮化铝陶瓷基板和覆接于所述氮化铝陶瓷基板至少一个表面上的铜箔，所述氮化铝陶瓷基板和所述铜箔之间形成有界面结合层；所述界面结合层中含有CuAlO

Aluminum nitride ceramic copper-clad substrate and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种氮化铝陶瓷覆铜基板及其制备方法
本公开涉及氮化铝陶瓷金属化
，具体地，涉及一种氮化铝陶瓷覆铜基板及其制备方法。
技术介绍
氮化铝陶瓷覆铜板是通过DBC技术(直接覆铜)实现压延铜片与氮化铝陶瓷基片的直接覆接，由于氮化铝基片与铜氧共晶不润湿，因此需要对氮化铝陶瓷基片做表面改性处理来改善其与铜氧共晶的润湿性，实现氮化铝陶瓷基片的直接覆铜。现有技术方案一般主要采用对氮化铝陶瓷基片做氧化处理，在表面形成一层氧化铝薄层，利用铜氧共晶液相润湿表层氧化铝并与之反应结合来实现氮化铝陶瓷基片的直接覆铜。现有技术方案的氮化铝陶瓷覆铜基板存在陶瓷层和铜层结合不致密，界面处存在小气泡使铜面容易产生鼓包，结合强度比较低等缺点。具体地，氮化铝陶瓷基片氧化形成的表面氧化铝薄膜不致密，而DBC(直接覆铜)工艺过程中所使用的铜箔是经过表面氧化处理的，表面有一层氧化亚铜薄膜，在覆铜工艺过程中接触层铜和氧化亚铜会形成液相，从疏松的氧化膜渗透与氮化铝接触，反应并释放出氮气，气体无法排出，往往在陶瓷层和铜层之间产生小气泡和鼓包现象，进而导致铜层和陶瓷层接触面积变小，从而降低了铜本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氮化铝陶瓷覆铜基板，该氮化铝陶瓷覆铜基板包括氮化铝陶瓷基板和覆接于所述氮化铝陶瓷基板至少一个表面上的铜箔，其特征在于，所述氮化铝陶瓷基板和所述铜箔之间形成有界面结合层；所述界面结合层中含有CuAlO

【技术特征摘要】
1.一种氮化铝陶瓷覆铜基板，该氮化铝陶瓷覆铜基板包括氮化铝陶瓷基板和覆接于所述氮化铝陶瓷基板至少一个表面上的铜箔，其特征在于，所述氮化铝陶瓷基板和所述铜箔之间形成有界面结合层；所述界面结合层中含有CuAlO2，所述界面结合层中还含有选自Al2Zr3O9、Al2Si3O9、AlCrO3、Cu2ZrO3、Cu2SiO3和CuCrO2中的一种或多种。


2.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷覆铜基板，其中，所述界面结合层还含有选自ZrO2、SiO2和Cr2O3中的一种或多种。


3.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷覆铜基板，其中，所述铜箔和所述氮化铝陶瓷基板间的平均剥离强度为6.6-10N/mm。


4.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷覆铜基板，其中，所述氮化铝陶瓷覆铜基板的空洞面积占覆接面积的4％-8％；其中，所述空洞面积为界面结合层与铜箔之间所形成空洞的面积，所述覆接面积为氮化铝陶瓷基板与铜箔之间覆接的面积。


5.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷覆铜基板，其中，所述界面结合层的厚度为2-6μm。


6.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷覆铜基板，其中，所述铜箔的非覆接面形成有铜晶粒层，所述铜晶粒层中晶粒的粒径为50-250μm。


7.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷覆铜基板，其中，所述氮化铝陶瓷基板的厚度为0.3-2.0mm、表面粗糙度为0.2-0.8μm；所述铜箔的厚度为0.1-1.0mm。


8.一种制备权利要求1-7中任意一项所述的氮化铝陶瓷覆铜基板的方法，其特征在于，该方法包括：
S1、采用磁控溅射、真空蒸镀或真空离子镀的方法在氮化铝陶瓷基板的至少一个表面镀覆氧化物薄膜层，得到镀膜氮化铝陶瓷基板；其中，所述氧化物薄膜层含有选自ZrO2、SiO2和Cr2O3中的一种或多种；
S2、将步骤S1所得镀膜氮化铝陶瓷基板进行高温热氧化处理，得到热氧化氮化铝陶瓷基板；
S3、将步骤S2所得热氧化氮化铝陶瓷基板的镀膜一面与经过预氧化的铜箔的氧化面进行覆接，制得形成有界...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋山青，徐强，吴波，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44