感光电路、感光电路制备方法及显示装置制造方法及图纸

一种感光电路(10)、感光电路(10)制备方法及显示装置。感光电路(10)包括第一薄膜晶体管(Tr)及第二薄膜晶体管(Tp)，第二薄膜晶体管的漏极(100)电连接第一薄膜晶体管的源极(110，191)，第一薄膜晶体管包括第一有源层(120)，第二薄膜晶体管包括第二有源层(130)，第一有源层(120)包括第一半导体部(121)，第二有源层(130)包括第二半导体部(131)，第一及第二半导体部(131)同层且间隔设置，第一有源层(120)包括第三半导体部(122)，第三半导体部(122)设置在第一半导体部(121)上，第二有源层(130)包括第四半导体部(132)，第四半导体部(132)设置在第二半导体部(131)上，第三及第四半导体部(132)同层且间隔设置，第一半导体部(121)邻近第一薄膜晶体管的栅极(140)，第四半导体部(132)邻近第二薄膜晶体管的栅极(150)，第三半导体部(122)的缺陷态的密度高于第一半导体部(121)的缺陷态的密度，第四半导体部(132)的缺陷态的密度高于第二半导体部(131)的缺陷态的密度。

Photosensitive circuit, preparation method of photosensitive circuit and display device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】感光电路、感光电路制备方法及显示装置
本专利技术涉及感光电路领域，尤其涉及一种感光电路、感光电路制备方法及显示装置。
技术介绍
近年来，薄膜晶体管因为其迁移率高、透光性好、薄膜结构稳定、制备温度低以及成本低等优点受到越来越多的重视。薄膜晶体管的发展主要目标是用于平板显示、柔性电子器件、透明电子器件、液晶显示器、有机发光二极管以及传感器等方面。然而，当薄膜晶体管应用于感光电路时，会导致感光电路的光敏感性不强的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种感光电路。所述感光电路包括第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的漏极电连接所述第一薄膜晶体管的源极，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层，所述第一有源层包括第一半导体部，所述第二有源层包括第二半导体部，所述第二半导体部和所述第一半导体部位于同一层且间隔设置，所述第一有源层还包括第三半导体部，所述第三半导体部设置在所述第一半导体部上，所述第二有源层还包括第四半导体部，所述第四半导体部设置在所述第二半导体部上，所述第四半导体部与所述第三半导体部位于同一层且间隔设置，所述第一半导体部相较于所述第三半导体部邻近第一薄膜晶体管的栅极，所述第四半导体部相较于所述第二半导体部邻近所述第二薄膜晶体管的栅极，所述第三半导体部的缺陷态的密度高于所述第一半导体部的缺陷态的密度，所述第四半导体部的缺陷态的密度高于所述第二半导体部的缺陷态的密度，其中，所述第一有源层及所述第二有源层均为氧化物半导体层。相较于现有技术，本专利技术的感光电路设置了两个薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管中的第三半导体部的缺陷态的密度大于所述第一半导体部的缺陷态的密度，且所述第一半导体部相较于所述第三半导体部邻近所述第一薄膜晶体管的第一栅极设置。在所述第一薄膜晶体管在工作的时候，由于所述第一半导体部相较于所述第三半导体部邻近所述第一薄膜晶体管的第一栅极设置，所述第一半导体部及所述第三半导体部形成的沟通层中的载流子大部分经由所述第一半导体部流过，且所述第一半导体部缺陷态的密度较小，从而使得所述第一薄膜晶体管具有较高的电子迁移率，较好的阈值电压稳定性。所述第二薄膜晶体管中的第四半导体部的缺陷态的密度大于所述第二半导体部的缺陷态的密度，且所述第四半导体部相较于所述第二半导体部邻近所述第二薄膜晶体管的第二栅极设置。在所述第二薄膜晶体管在工作的时候，由于所述第四半导体部相较于所述第二半导体部邻近所述第二薄膜晶体管的第二栅极设置，所述第二半导体部及所述第四半导体部形成的沟通层中的载流子大部分经由所述第四半导体部流过，且所述第四半导体部缺陷态的密度较大，从而使得所述第二薄膜晶体管具有较低的电子迁移率，较低的阈值电压稳定性。当采用这种制备方法制成的薄膜晶体管应用于感光电路时，可以提高感光电路的光敏感性。本专利技术实施例还提供一种显示装置，其中，所述显示装置包括前述任意一实施方式所述的感光电路。本专利技术实施例还提供一种感光电路制备方法，所述感光电路包括第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的漏极电连接所述第一薄膜晶体管的源极，所述感光电路制备方法包括：提供基板；在所述基板的同一侧形成间隔设置的缺陷态密度为第一密度的第一半导体部及缺陷态密度为第二密度的第二半导体部；对应所述第一半导体部形成缺陷态密度为第三密度的第三半导体部，对应所述第二半导体部形成缺陷态密度为第四密度的第四半导体部，其中，所述第三密度大于所述第一密度，所述第四密度大于所述第二密度；所述第三半导体部及所述第一半导体部构成所述第一薄膜晶体管的有源层，所述第四半导体部及所述第二半导体部构成所述第二薄膜晶体管的有源层，所述第一半导体部相较于所述第三半导体部邻近所述第一薄膜晶体管的栅极，所述第四半导体部相较于所述第二半导体部邻近所述第二薄膜晶体管的栅极，所述第一薄膜晶体管的有源层及所述第二薄膜晶体管的有源层均为氧化物半导体层。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术提供的感光电路的电路结构示意图。图2为本专利技术实施例一的感光电路的结构示意图。图3为本专利技术实施例一的感光电路的I部分的放大示意图。图4为本专利技术实施例一的感光电路的II部分的放大示意图。图5为本专利技术实施例二的感光电路的结构示意图。图6为本专利技术实施例二的感光电路的III部分的放大示意图。图7为本专利技术实施例二的感光电路的IV部分的放大示意图。图8为本专利技术一较佳实施例提供的感光电路制备方法流程图。图9到图13为本专利技术实施一中感光电路制备方法的各个步骤对应的流程图。图14到图15为本专利技术实施二中感光电路制备方法的部分步骤对应的流程图。图16为本专利技术一较佳实施例提供的显示装置的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1、图2、图3及图4，图1为本专利技术提供的感光电路的电路结构示意图。图2为本专利技术实施例一的感光电路的结构示意图。图3为本专利技术实施例一的感光电路的I部分的放大示意图。图4为本专利技术实施例一的感光电路的II部分的放大示意图。所述感光电路10包括第一薄膜晶体管Tr及第二薄膜晶体管Tp，所述第二薄膜晶体管Tp的第二漏极100电连接所述第一薄膜晶体管Tr的第一源极110。所述第一薄膜晶体管Tr包括第一有源层120，所述第二薄膜晶体管Tp包括第二有源层130。所述第一有源层120包括第一半导体部121，所述第二有源层130包括第二半导体部131。所述第二半导体部131和所述第一半导体部121位于同一层且间隔设置。所述第一有源层120还包括第三半导体部122，所述第三半导体部122设置在所述第一半导体部121上。所述第二有源层130还包括第四半导体部132，所述第四半导体部132设置在所述第二半导体部131上。所述第四半导体部132与所述第三半导体部122位于同一层且间隔设置。所述第一半导体部121相较于所述第三半导体部122邻近第一薄膜晶体管Tr的第一栅极140，所述第四半导体部132相较于所述第二半导体部131邻近所述第二薄膜晶体管Tp的第二栅极150。所述第三半导体部122的缺陷态的密度高于所述第一半导体部121的缺陷态的密度，所述第四半导体部132的缺陷态的密度高于所述第二半导体部131的缺陷态的密度。其中，所述第一有源层120及所述第二有源层130均为氧化物半导体层。其中，所述第一薄膜晶体管Tr为底栅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种感光电路，其特征在于，所述感光电路包括第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的漏极电连接所述第一薄膜晶体管的源极，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层，所述第一有源层包括第一半导体部，所述第二有源层包括第二半导体部，所述第二半导体部和所述第一半导体部位于同一层且间隔设置，所述第一有源层还包括第三半导体部，所述第三半导体部设置在所述第一半导体部上，所述第二有源层还包括第四半导体部，所述第四半导体部设置在所述第二半导体部上，所述第四半导体部与所述第三半导体部位于同一层且间隔设置，所述第一半导体部相较于所述第三半导体部邻近第一薄膜晶体管的栅极，所述第四半导体部相较于所述第二半导体部邻近所述第二薄膜晶体管的栅极，所述第三半导体部的缺陷态的密度高于所述第一半导体部的缺陷态的密度，所述第四半导体部的缺陷态的密度高于所述第二半导体部的缺陷态的密度，其中，所述第一有源层及所述第二有源层均为氧化物半导体层。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】一种感光电路，其特征在于，所述感光电路包括第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的漏极电连接所述第一薄膜晶体管的源极，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层，所述第一有源层包括第一半导体部，所述第二有源层包括第二半导体部，所述第二半导体部和所述第一半导体部位于同一层且间隔设置，所述第一有源层还包括第三半导体部，所述第三半导体部设置在所述第一半导体部上，所述第二有源层还包括第四半导体部，所述第四半导体部设置在所述第二半导体部上，所述第四半导体部与所述第三半导体部位于同一层且间隔设置，所述第一半导体部相较于所述第三半导体部邻近第一薄膜晶体管的栅极，所述第四半导体部相较于所述第二半导体部邻近所述第二薄膜晶体管的栅极，所述第三半导体部的缺陷态的密度高于所述第一半导体部的缺陷态的密度，所述第四半导体部的缺陷态的密度高于所述第二半导体部的缺陷态的密度，其中，所述第一有源层及所述第二有源层均为氧化物半导体层。


如权利要求1所述的感光电路，其特征在于，所述第一半导体部与所述第二半导体部在同一制程中形成，所述第三半导体部与所述第四半导体部在同一制程中形成。


如权利要求2所述的感光电路，其特征在于，所述第一半导体部的缺陷态的密度与所述第二半导体部的缺陷态的密度相同，所述第三半导体部的缺陷态的密度与所述第四半导体部的缺陷态的密度相同。


如权利要求1所述的感光电路，其特征在于，所述第一半导体部与所述第三半导体部为一体结构，所述第一半导体部的缺陷态密度自远离所述第三半导体部的表面向邻近所述第三半导体部的表面线性增大；所述第三半导体部的缺陷态密度自邻近所述第一半导体部的表面向远离所述第一半导体部的表面线性增大。


如权利要求1～4任意一项所述的感光电路，其特征在于，所述第二半导体部与所述第四半导体部为一体结构，所述第二半导体部的缺陷态密度自远离所述第四半导体部的表面向邻近所述第四半导体部的表面线性增大；所述第四半导体部的缺陷态密度自邻近所述第二半导体部的表面向远离所述第二半导体部的表

面线性增大。


如权利要求1所述的感光电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管及所述第二薄膜晶体管设置在同一基板上，所述第一薄膜晶体管还包括第一栅极、第一漏极及第一源极，所述第二薄膜晶体管还包括第二栅极、第二源极及第二漏极；所述第一栅极设置在所述基板的表面；第一栅极绝缘层覆盖所述第一栅极；所述第一半导体部及所述第二半导体部间隔设置在所述第一栅极绝缘层上，且所述第一半导体部对应所述第一栅极设置；所述第一漏极及所述第一源极分别覆盖在所述第三半导体部的两端，且间隔设置；所述第二源极及所述第二漏极分别覆盖在所述第四半导体部的两端，且间隔设置，所述第二漏极连接所述第一源极；第二栅极绝缘层覆盖所述第一漏极、所述第一源极、所述第二漏极及所述第二源极；所述第二栅极设置在所述第二栅极绝缘层上且对应所述第二源极及所述第二漏极之间的间隙设置。


如权利要求1所述的感光电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管及所述第二薄膜晶体管设置在同一基板上，所述第一薄膜晶体管还包括第一栅极、第一漏极及第一源极，所述第二薄膜晶体管还包括第二栅极、第二源极及第二漏极；所述第一栅极设置在所述基板的表面；第一栅极绝缘层覆盖所述第一栅极；所述第一半导体部及所述第二半导体部间隔设置在所述第一栅极绝缘层上，且所述第一半导体部对应所述第一栅极设置；刻蚀阻挡层覆盖所述第三半导体部及所述第四半导体部，所述刻蚀阻挡层开设有第一通孔、第二通孔、第三通孔及第四通孔，所述第一通孔及第二通孔分别对应所述第三半导体部的两端设置，所述第三通孔及所述第四通孔分别对应所述第四半导体部的两端设置，所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极、所述第二漏极及所述第二栅极设置在所述刻蚀阻挡层上，所述第一漏极通过所述第一通孔连接所述第三半导体部的一端，所述第一源极通过所述第二通孔连接所述第三半导体部的另一端，且所述第一源极与所述第一漏极间隔设置，所述第二漏极连接所述第一源极，所述第二漏极通过所述第三通孔连接所述第四半导体部的一端，所述第二源极通过所述第四通孔连接所述第四半导体部的另一端，且所述第二源极与所述第二漏极间隔设置，所述第二栅极设置在所述第二源极及所述第二漏极之间的间隙处且与所述第二源极及所述第二漏极绝缘设置。



如权利要求6或7所述的感光电路，其特征在于，一钝化层覆盖所述第二栅极。


如权利要求6或7所述的感光电路，其特征在于，所述第一栅极通过缓冲层设置在所述基板的表面。


一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1～9任意一项所述的感光电路。


一种感光电路制备方法，其特征在于，所述感光电路包括第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的漏极电连接所述第一薄膜晶体管的源极，所述感光电路制备方法包括：
提供基板；
在所述基板的同一侧形成间隔设置的缺陷态密度为第一密度的第一半导体部及缺陷态密度为第二密度的第二半导体部；
对应所述第一半导体部形成缺陷态密度为第三密度的第三半导体部，对应所述第二半导体部形成缺陷态密度为第四密度的第四半导体部，其中，所述第三密度大于所述第一密度，所述第四密度大于所述第二密度；所述第三半导体部及所述第一半导体部构成所述第一薄膜晶体管的有源层，所述第四半导体部及所述第二半导体部构成所述第二薄膜晶体管的有源层，所述第一半导体部相较于所述第三半导体部邻近所述第一薄膜晶体管的栅极，所述第四半导体部相较于所述第二半导体部邻近所述第二薄膜晶体管的栅极，所述第一薄膜晶体管的有源层及所述第二薄膜晶体管的有源层均为氧化物半导体层。


如权利要求11所述的感光电路制备方法，其特征在于，所述“在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈小明，赵云飞，李明亮，刘佳豪，
申请(专利权)人：深圳市柔宇科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44