【技术实现步骤摘要】
上电复位信号产生器以及相关的电子装置
本专利技术涉及上电(power-on)控制，尤其涉及一种上电复位(power-onreset，POR)信号产生器以及相关的电子装置。
技术介绍
在给电子系统上电时，电源供应器需要某一段长度的时间才能使电压稳定且变到其稳态值。在这样的过渡期间，如果没有提供复位命令，通常不能定义存储元件的初始状态，因此也不能确定整个电子系统的电路行为。依据相关技术，在上电期间或之后通常需要用于电路初始化的命令信号，例如上电复位信号。上电复位信号应保持电路处于复位状态，直到电源达到稳态电压电平，诸如所有电路都能正常工作的电压电平。在这样的架构中还是有某些问题。例如产生上电复位信号时所需要的某一个电压检测点的电压电平通常受温度和制造工艺的影响，尤其是在先进的制造工艺中所受的影响更大。因此，需要一种新颖的架构，以在没有副作用或较不可能带来副作用的状况下提升整体效能。
技术实现思路
本专利技术的一目的在于公开一种上电复位信号产生器以及相关的电子装置，以解决上述问题。本专利技术的另...
【技术保护点】
1.一种上电复位信号产生器，其特征在于，包含有：/n一检测电路，耦接于一电源电压与一接地电压之间，用来对该电源电压进行检测操作以产生一组检测信号，其中该检测电路包含：/n多组晶体管，堆迭且耦接于该电源电压与该接地电压之间，其中该多组晶体管中的每一组晶体管包含：/n一第一晶体管与一第二晶体管，分别位于该检测电路中的一第一电流路径与一第二电流路径；以及/n一第一电阻器与一第二电阻器，耦接于该多组晶体管中的两组晶体管之间，分别位于该第一电流路径与该第二电流路径；以及/n至少一第三电阻器，耦接于该电源电压与该多组晶体管之间，其中该第一电流路径与该第二电流路径通过该至少一第三电阻器；...
【技术特征摘要】
1.一种上电复位信号产生器，其特征在于，包含有：
一检测电路，耦接于一电源电压与一接地电压之间，用来对该电源电压进行检测操作以产生一组检测信号，其中该检测电路包含：
多组晶体管，堆迭且耦接于该电源电压与该接地电压之间，其中该多组晶体管中的每一组晶体管包含：
一第一晶体管与一第二晶体管，分别位于该检测电路中的一第一电流路径与一第二电流路径；以及
一第一电阻器与一第二电阻器，耦接于该多组晶体管中的两组晶体管之间，分别位于该第一电流路径与该第二电流路径；以及
至少一第三电阻器，耦接于该电源电压与该多组晶体管之间，其中该第一电流路径与该第二电流路径通过该至少一第三电阻器；以及
一比较器，耦接至该第一电阻器与该第二电阻器，用来从该检测电路接收该组检测信号，且比较该组检测信号以产生一上电复位信号。
2.如权利要求1所述的上电复位信号产生器，其特征在于，该第一电流路径通过该第一电阻器与所述每一组晶体管中的该第一晶体管，以及该第二电流路径通过该第二电阻器与所述每一组晶体管中的该第二晶体管。
3.如权利要求1所述的上电复位信号产生器，其特征在于，所述每一组晶体管中的每一晶体管被配置成一个二端子元件，以及所述每一晶体管的多个端子中的二个端子彼此耦接。
4.如权利要求3所述的上电复位信号产生器，其特征在于，该二端子元件代表二极管连接的晶体管。
5.如权利要求3所述的上电复位信号产生器，其特征在于，所述每一晶体管的该多个端子包含射极端子、基极端子与集电极端子，以及该基极端子与该集电极端子彼此耦接。
6.如权利要求1所述的上电复位信号产生器，其特征在于，该两组晶体管包含一第1组晶体管与一第2组晶体管，以及该第1组晶体管中的该第一晶体管与该第二晶体管的各自的一特定参数的第一比值等于该第2组晶体管中的该第一晶体管与该第二晶体管的各自的该特定参数的第二比值的倒数。
7.如权利要求6所述的上电复位信号产生器，其特征在于，该第一比值代表该第1组晶体管中的该第一晶体管的该特定参数对该第1组晶体管中的该第二晶体管的该特定参数的比率，以及该第二比值代表该第2组晶体管中的该第一晶体管的该特定参数对该第2组晶体管中的该第二晶体管的该特定参数的比率。
8.如权利要求1所述的上电复位信号产生器，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：王维铁，郝报田，李超，
申请(专利权)人：雅特力科技重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50
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