【技术实现步骤摘要】
一种高精度、可配置的上电复位电路及其配置方法
本专利技术涉及半导体电路
,具体地说,是涉及一种高精度、可配置的上电复位电路及其配置方法。
技术介绍
复位电路是一种用来使电路恢复到起始状态的电路设备,它的操作原理与计算器有着异曲同工之妙,只是启动原理和手段有所不同。复位电路,就是利用它把电路恢复到起始状态。就像计算器的清零按钮的作用一样,以便回到原始状态,重新进行计算。如图1所示为现有技术的一种上电复位电路,该电路可以用作低功耗的上电复位电路,当电阻阻值足够大时,工作电流可以低至10nA。此电路比较适用于作为数字电路的复位电路,因为数字电路的复位只需要大于一个VT即可,不用特别精确。如果用做模拟电路的复位,比如简单的时钟震荡电路,震荡电路在低电压下有可能失效,导致整个电路时序错乱。所以,需要一个精确、可配置的复位电路,保证模拟电路复位的稳定。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种高精度、可配置的上电复位电路及其配置方法,主要解决现有上电复位电路复位精度不高,在震荡电路等模拟电路中 ...
【技术保护点】
1.一种高精度、可配置的上电复位电路,其特征在于,包括与电源端VDD相连的电阻R1,源极均与电源端VDD相连的MOS管M1、M2,基极与电阻R1相连且集电极与MOS管M1的漏极相连的三极管Q1,与三极管Q1的基极相连的电阻R2,基极、集电极均与电阻R2另一端相连、发射极与接地端VSS相连的三极管Q2,基极与三极管Q2的基极相连且集电极与MOS管M2的漏极相连、发射极与三极管Q1的发射极相连的三极管Q3,一端与三极管Q3的发射极相连且另一端与三极管Q2的发射极相连的电阻R3,以及一端与三极管Q1的基极相连且另一端与接地端VSS相连的电阻R4;其中,MOS管M1的栅极与MOS管 ...
【技术特征摘要】
1.一种高精度、可配置的上电复位电路,其特征在于,包括与电源端VDD相连的电阻R1,源极均与电源端VDD相连的MOS管M1、M2,基极与电阻R1相连且集电极与MOS管M1的漏极相连的三极管Q1,与三极管Q1的基极相连的电阻R2,基极、集电极均与电阻R2另一端相连、发射极与接地端VSS相连的三极管Q2,基极与三极管Q2的基极相连且集电极与MOS管M2的漏极相连、发射极与三极管Q1的发射极相连的三极管Q3,一端与三极管Q3的发射极相连且另一端与三极管Q2的发射极相连的电阻R3,以及一端与三极管Q1的基极相连且另一端与接地端VSS相连的电阻R4;其中,MOS管M1的栅极与MOS管M2的栅极和漏极均相连,MOS管M1的漏极连接输出端VOUT。
2.根据权利要求1所述的一种高精度、可配置的上电复位电路的配置方法,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈俊宇,魏郅,
申请(专利权)人:上海南芯半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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