复位电路及电子设备制造技术

技术编号:23486300 阅读:26 留言:0更新日期:2020-03-10 13:13
一种复位电路及电子设备,所述复位电路包括:复位信号产生电路以及复位信号输出电路,其中:所述复位信号产生电路,与预设的电源耦接,适于根据输入电压的变化生成复位信号;所述复位信号产生电路包括分压单元和温度补偿单元,其中:所述分压单元,外接所述输入电压,并与所述温度补偿单元耦接,适于产生所述输入电压对应的分压并输出至所述温度补偿单元;所述温度补偿单元,与所述分压单元耦接,用于对所述复位信号产生电路进行温度补偿,以对所述复位信号输出电路产生复位信号的时间进行调整;所述复位信号输出电路,与所述复位信号产生电路耦接,用于输出所述复位信号。采用上述方案,可以减小输入电压和温度变化对复位电路的影响。

Reset circuit and electronic equipment

【技术实现步骤摘要】
复位电路及电子设备
本专利技术涉及电路领域,尤其涉及一种复位电路及电子设备。
技术介绍
复位电路是一种通过输出信号来使负载电路恢复到起始状态的电路设备。现有技术中的复位电路,其稳定的复位信号输出依赖稳定的外部条件,例如稳定的温度值和稳定的输入电压的变化速率。在复位电路周围的温度或者输入电压的变化速率发生改变时,会对其复位信号的输出产生很大的影响,复位信号的输出会快于或者慢于预设的时间点,对根据复位电路的复位信号工作的其他电路会产生很大的影响。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是减小外部条件变化对复位电路的复位信号输出产生的影响。为解决上述技术问题,本专利技术实施例提供一种复位电路,包括:复位信号产生电路以及复位信号输出电路,其中:所述复位信号产生电路,与预设的电源耦接,适于根据输入电压的变化生成复位信号;所述复位信号产生电路包括分压单元和温度补偿单元,其中:所述分压单元,外接所述输入电压,并与所述温度补偿单元耦接,适于产生所述输入电压对应的分压并输出至所述温度补偿单元;所述温度补偿单元,与所述分压单元耦接,用于对所述复位信号产生电路进行温度补偿,以对所述复位信号输出电路产生复位信号的时间进行调整;所述复位信号输出电路,与所述复位信号产生电路耦接,用于输出所述复位信号。可选的,所述第一PMOS管,源极与所述电源耦接,栅极与所述第一NMOS管的漏极耦接,漏极与所述第一NMOS管的漏极耦接;所述第一NMOS管,源极与地耦接,栅极与所述电源耦接。可选的,所述第二PMOS管,源极与所述第一PMOS管的源极耦接,栅极与所述第一PMOS管的栅极耦接,漏极与所述第二NMOS管的漏极耦接;所述第二NMOS管,源极与所述第一NMOS管的源极耦接,栅极与所述第二PMOS管的漏极耦接。可选的,所述第三PMOS管,源极与所述电源耦接,栅极与地耦接,漏极与所述第三NMOS管的漏极耦接于耦接点;所述第三NMOS管,源极与地耦接,栅极与所述第二NMOS管的栅极耦接;所述耦接点输出所述复位信号。可选的,所述波形整形部用于将所述复位信号转换为标准高电平后输出。可选的,所述第一反相器,输入端与所述耦接点耦接,输出端与所述第二反相器的输入端耦接;所述第二反相器的输出端用于输出经波形整形后的复位信号。本专利技术还提供一种电子设备,包括根据上述所述的任一种复位电路。与现有技术相比,本专利技术实施例的技术方案具有以下有益效果:通过在电路中设置分压单元,在电压变化速率快于或慢于预定的电压变化速率时,通过电路元件将输入的电压进行分压,起到缓冲的作用,减小电压变化速率变化对复位电路输出复位信号的影响,在电路中设置温度补偿单元,在复位电路周围的环境温度变化时,减小温度变化对复位电路产生的影响。进一步,在电路中使用PMOS管和NMOS管的组合,使得电路的可控性增强,也使得电路结构更加简单。附图说明图1是现有技术中的一种复位电路的结构示意图;图2是本专利技术实施例中提供的一种复位电路的结构示意图;图3是现有技术中的一种复位电路输出的复位信号的波形图;图4是本专利技术实施例中提供的一种复位电路输出的复位信号的波形图。具体实施方式现有技术中的复位电路,其稳定的复位信号输出依赖稳定的外部条件,例如稳定的温度值和稳定的输入电压的变化速率。在复位电路周围的温度或者输入电压的变化速率发生改变时,会对其复位信号的输出产生很大的影响,复位信号的输出会快于或者慢于预设的时间点,对根据复位电路的复位信号工作的其他电路会产生很大的影响。参阅图1,给出了现有技术中的一种复位电路。图1中,复位电路由PMOS管P1、电感R、PMOS管P2、电容C、NMOS管N2、NMOS管N3以及反相器组成,POR为复位信号输出。在实际应用中,现有技术中提供的复位电路,很容易受到因周围温度变化和输入电压变化速率改变而带来的影响。本专利技术实施例中提供的一种复位电路,通过在电路中设置分压单元以减小输入电压变化对复位电路产生的影响,通过在电路中设置温度补偿单元以减小温度变化对复位电路产生的影响。为使本专利技术的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂,下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细的说明。参阅图2,其为本专利技术实施例中提供的一种复位电路,包括:复位信号产生电路以及复位信号输出电路203,其中:所述复位信号产生电路,与预设的电源耦接,适于根据输入电压的变化生成复位信号;所述复位信号产生电路包括分压单元201和温度补偿单元202,其中:所述分压单元201,外接所述输入电压,并与所述温度补偿单元202耦接,适于产生所述输入电压对应的分压并输出至所述温度补偿单元202;所述温度补偿单元202,与所述分压单元201耦接,用于对所述复位信号产生电路进行温度补偿,以对所述复位信号输出电路203产生复位信号的时间进行调整;所述复位信号输出电路203,与所述复位信号产生电路耦接,用于输出所述复位信号。在具体实施中,在输入电压的电压变化速率快于预定的电压变化速率时,会导致复位电路输出复位信号的时刻快于预定的时刻,进而影响根据复位信号工作的电路。在具体实施中,在输入电压的电压变化速率慢于预定的电压变化速率时,会导致复位电路输出复位信号的时刻慢于预定的时刻,进而影响根据复位信号工作的电路。分压单元201可以在电压变化速率快于或慢于预定的电压变化速率时,通过电路元件将输入的电压进行分压,起到缓冲的作用,减小电压变化速率变化对复位电路输出复位信号的影响,使得输出复位信号的时刻接近预定的时刻。具体实施中,在预定的时刻复位电路输出复位信号,即在复位电路正常工作时,输出复位信号的时刻。例如,预定的输入电压在第10秒时达到高电平,相对应的复位电路预定在第10秒时输出复位信号,当输入电压在第5秒时即达到高电平时,则复位电路在第5秒时即输出复位信号;当输入电压在第15秒时达到高电平时,则复位电路在第15秒时输出复位信号。在预设的电源耦接分压单元201后,当输入电压在第5秒时即达到高电平时,输入的电压经分压单元201内的电路元件分压后,则复位电路可以在第6秒至第10秒之间即输出复位信号;当输入电压在第15秒时达到高电平时,输入的电压经分压单元201内的电路元件分压后,则复位电路可以在第10秒至第14秒时输出复位信号。复位电路具体的复位信号输出时刻根据分压单元201内的电路元件构成而定。在具体实施中,高电平表示的具体电压数值由用户根据实际情况设定。在具体实施中,在复位电路周围的环境温度高于或低于预定的环境温度时,会导致复位电路里电路元件的导通电压产生变化,进而导致复位电路输出复位信号的时刻变化。所述温度补偿单元202即用于在在复位电路周围的环境温度高于或低于预定的环境温度时,通过温度补偿单位内的电路元件分散温度变化带来的影响,使得复位电路输出复位信号的时刻接近预定的时刻。本专利技术实施例中,所述分压单元101包括第一PMOS管MP1和第一NMOS管MN本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种复位电路,其特征在于,包括:复位信号产生电路以及复位信号输出电路,其中:/n所述复位信号产生电路,与预设的电源耦接,适于根据输入电压的变化生成复位信号;所述复位信号产生电路包括分压单元和温度补偿单元,其中:所述分压单元,外接所述输入电压,并与所述温度补偿单元耦接,适于产生所述输入电压对应的分压并输出至所述温度补偿单元;所述温度补偿单元,与所述分压单元耦接,用于对所述复位信号产生电路进行温度补偿,以对所述复位信号输出电路产生复位信号的时间进行调整;/n所述复位信号输出电路,与所述复位信号产生电路耦接,用于输出所述复位信号。/n

【技术特征摘要】
1.一种复位电路,其特征在于,包括:复位信号产生电路以及复位信号输出电路,其中:
所述复位信号产生电路,与预设的电源耦接,适于根据输入电压的变化生成复位信号;所述复位信号产生电路包括分压单元和温度补偿单元,其中:所述分压单元,外接所述输入电压,并与所述温度补偿单元耦接,适于产生所述输入电压对应的分压并输出至所述温度补偿单元;所述温度补偿单元,与所述分压单元耦接,用于对所述复位信号产生电路进行温度补偿,以对所述复位信号输出电路产生复位信号的时间进行调整;
所述复位信号输出电路,与所述复位信号产生电路耦接,用于输出所述复位信号。


2.根据权利要求1所述的复位电路,其特征在于,所述分压单元包括第一PMOS管和第一NMOS管,其中:
所述第一PMOS管,源极与所述电源耦接,栅极与所述第一NMOS管的漏极耦接,漏极与所述第一NMOS管的漏极耦接;
所述第一NMOS管,源极与地耦接,栅极与所述电源耦接。


3.根据权利要求2所述的复位电路,其特征在于,所述温度补偿单元包括第二PMOS管和第二NMOS管,其中:
所述第二PMOS管,源极与所述第一PMOS管的源极耦接,栅极与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员:權彞振倪昊刘晓艳
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司中芯国际集成电路制造北京有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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