MOS管栅极保护结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种MOS管栅极保护结构，其中，所述的保护结构包括电感及感应电动势吸收模块，所述的电感的一端接触发信号，电感的另一端与MOS管的栅极相连接，所述的感应电动势吸收模块与所述的电感相连接，通过串接电感，避免高温下电路中的毛刺信号对MOS管进行误触发，并在电路中设置感应电动势吸收模块，对电感产生的感应电动势进行吸收，进一步避免误触发。采用本实用新型专利技术涉的MOS管栅极保护结构，具有结构简单，性能好的特点，能够很好地提高电路的稳定性。

MOS gate protection structure

The utility model relates to a MOS gate protection structure, wherein the protection structure includes an inductor and an induction electromotive force absorption module, one end of the inductor contacts to send signals, the other end of the inductor is connected with the gate of the MOS tube, the induction electromotive force absorption module is connected with the inductor, and the burr signal pair m in the circuit under high temperature is avoided by connecting the inductor in series In order to avoid false triggering, the OS transistor is equipped with an induction electromotive force absorption module to absorb the induction electromotive force generated by the inductor. The MOS gate protection structure of the utility model has the advantages of simple structure and good performance, and can improve the stability of the circuit.

【技术实现步骤摘要】
MOS管栅极保护结构
本技术涉及电路领域，尤其涉及电力电子
，具体是指一种MOS管栅极保护结构。
技术介绍
MOS管随着温度的升高，其开启电压VGS(th)降低，当栅极(G极)有很小的毛刺电压时，毛刺电压值很容易达到开启电压VGS(th)的最小值，就会导致MOS管栅极(G极)的误判而开启，造成MOS管漏极(D极)，源极(S极)误导通，导致MOS管后端的电路系统会开启工作，进一步会导致整个电路系统在高温下非正常的工作。
技术实现思路
本技术的目的是克服上述现有技术的缺点，提供了一种结构简单、性能较好的MOS管栅极保护结构。为了实现上述目的或其他目的，本技术的MOS管栅极保护结构如下：该MOS管栅极保护结构，其主要特点是，所述的保护结构包括电感及感应电动势吸收模块，所述的电感的一端接触发信号，电感的另一端与MOS管的栅极相连接，所述的感应电动势吸收模块与所述的电感相连接。较佳地，所述的感应电动势吸收模块包括二极管，所述的二极管的阳极与所述的电感中与MOS管的栅极连接的一端相连接，所述的二极管的阴极与所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MOS管栅极保护结构，其特征在于，所述的保护结构包括电感及感应电动势吸收模块，所述的电感的一端接触发信号，电感的另一端与MOS管的栅极相连接，所述的感应电动势吸收模块与所述的电感相连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种MOS管栅极保护结构，其特征在于，所述的保护结构包括电感及感应电动势吸收模块，所述的电感的一端接触发信号，电感的另一端与MOS管的栅极相连接，所述的感应电动势吸收模块与所述的电感相连接。


2.根据权利要求1所述的MOS管栅极保护结构，其特征在于，所述的感应电动势吸收模块包括二极管，所述的二极管的阳极与所述的电感中与MOS管的栅极连接的一端相连接，...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹骞，吴敬玉，王坤，袁德方，
申请(专利权)人：上海市共进通信技术有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31