半导体装置以及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的半导体装置，包括薄膜晶体管(101)，所述薄膜晶体管(101)包含：半导体层(4)，于栅极电极(2)上介隔栅极绝缘层(3)而设置，具有第一区域(Rs)、第二区域(Rd)、以及位于第一区域以及第二区域之间，且从基板的法线方向看时与栅极电极重叠的源极漏极间区域(RG)；保护层(5)，配置于所述半导体层(4)上；与第一区域相接的第一接触层(Cs)以及与第二区域相接的第二接触层(Cd)；源极电极(8s)；以及漏极电极(8d)；半导体层(4)包含结晶质硅区域(4p)，结晶质硅区域(4p)的至少一部分位于源极漏极间区域(RG)；至少1个开口部(10)被设置，所述至少1个开口部(10)贯通保护层(5)以及半导体层(4)，且到达栅极绝缘层(3)，当从基板的法线方向看时，至少1个开口部(10)位于源极漏极间区域(RG)内。

Semiconductor device and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置以及其制造方法
本专利技术关于包括薄膜晶体管的半导体装置以及其制造方法。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，以下“TFT”)，例如，在有源矩阵基板中，作为开关元件而使用。在本说明书，将如此的TFT称为“像素用TFT”。作为像素用TFT，以往，将非晶硅(amorphoussilicon)膜(以下，简称为“a－Si膜”)设为活性层的非晶质硅TFT、将多结晶质硅膜等的结晶质硅膜(以下，简称为“c－Si膜”)设为活性层的结晶质硅TFT等被广泛使用。一般而言，c－Si膜的场效应迁移率(fieldeffectmobility)较a－Si膜的场效应迁移率高，因此结晶质硅TFT，具有较非晶质硅TFT高的电流驱动力(也就是导通电流大)。在显示装置等使用的有源矩阵基板，成为结晶质硅TFT的活性层的c－Si膜，例如，在玻璃基板上形成a－Si膜后，以对a－Si膜照射激光使其结晶化而形成(激光退火，Laserannealing)。作为由激光退火的结晶化方法，提案有使用微透镜阵列，仅对a－Si膜之中成为TFT的活性层的区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括薄膜晶体管；/n所述薄膜晶体管，包含：/n基板；/n栅极电极，被所述基板支撑；/n半导体层，是于所述栅极电极上介隔栅极绝缘层而设置的半导体层，所述半导体层包含：第一区域、第二区域、和位于所述第一区域以及所述第二区域之间，且从所述基板的法线方向看时与所述栅极电极重叠的源极漏极间区域，所述源极漏极间区域包含沟道区域；/n保护层，于所述半导体层上，以与所述沟道区域的上面的至少一部分相接的方式配置；/n与所述第一区域相接的第一接触层，以及与所述第二区域相接的第二接触层；/n源极电极，经由所述第一接触层，与所述第一区域电连接；以及/n漏极电极，经由所述第二接触层，与所...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，包括薄膜晶体管；
所述薄膜晶体管，包含：
基板；
栅极电极，被所述基板支撑；
半导体层，是于所述栅极电极上介隔栅极绝缘层而设置的半导体层，所述半导体层包含：第一区域、第二区域、和位于所述第一区域以及所述第二区域之间，且从所述基板的法线方向看时与所述栅极电极重叠的源极漏极间区域，所述源极漏极间区域包含沟道区域；
保护层，于所述半导体层上，以与所述沟道区域的上面的至少一部分相接的方式配置；
与所述第一区域相接的第一接触层，以及与所述第二区域相接的第二接触层；
源极电极，经由所述第一接触层，与所述第一区域电连接；以及
漏极电极，经由所述第二接触层，与所述第二区域电连接；
所述半导体层包含结晶质硅区域，所述结晶质硅区域的至少一部分位于所述源极漏极间区域；
至少1个开口部被设置，所述至少1个开口部贯通所述保护层以及所述半导体层，且到达所述栅极绝缘层，当从所述基板的法线方向看时，所述至少1个开口部位于所述源极漏极间区域内。


2.如权利要求第1项所述的半导体装置，其特征在于，还包括：
覆盖所述薄膜晶体管的绝缘层；
所述绝缘层，在所述至少1个开口部内与所述栅极绝缘层相接。


3.如权利要求第1或2项所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一接触层以及所述第二接触层，分别包含：
第一非晶硅层，与所述半导体层相接；以及
第二非晶硅层，配置于所述第一非晶硅层上，且具有较所述第一非晶硅层高的导电率。


4.如权利要求第1至3项中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体层，还包含非晶质硅区域。


5.如权利要求第4项所述的半导体装置，其特征在于，
所述非晶质硅区域的至少一部分，配置于所述源极漏极间区域。


6.如权利要求第5项所述的半导体装置，其特征在于，
在所述源极漏极间区域中，所述结晶质硅区域，藉由所述非晶质硅区域的所述至少一部分分离成2个以上。


7.如权利要求第1至6项中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述至少1个开口部被所述结晶质硅区域包围。


8.如权利要求第5或6项所述的半导体装置，其特征在于，
所述至少1个开口部配置于所述结晶质硅区域与所述非晶质硅区域的界面的一部分上。


9.如权利要求第5或6项所述的半导体装置，其特征在于，
所述至少1个开口部包含在所述薄膜晶体管的沟道长度方向隔开间隔而配置的2个开口部，所述非晶质硅区域的至少一部分位于所述2个开口部之间。


10.如权利要求第1至9项中任一项所述的半导体装置，其特征在于，包含：
显示区域，包含多个像素；
所述薄膜晶体管配置于所述显示区域的各像素；
还包括于所述显示区域以外的区域设置的驱动电路；
所述驱动电路包含其他的薄膜晶体管；
在所述其他的薄膜晶体管的源极漏极间区域未设置开口部。

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【专利技术属性】
技术研发人员：石田茂，井上智博，高仓良平，
申请(专利权)人：堺显示器制品株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP