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本发明的半导体装置，包括薄膜晶体管(101)，所述薄膜晶体管(101)包含：半导体层(4)，于栅极电极(2)上介隔栅极绝缘层(3)而设置，具有第一区域(Rs)、第二区域(Rd)、以及位于第一区域以及第二区域之间，且从基板的法线方向看时与栅极...
该专利属于堺显示器制品株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过堺显示器制品株式会社授权不得商用。

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