阵列基板的制备方法及阵列基板技术

本申请提供一种阵列基板的制备方法及阵列基板，该制备方法包括依次在基板上形成第一金属结构层、绝缘层、半导体层和第二金属结构层，第二金属结构层包括依次形成的第一金属薄膜层和第二金属薄膜层，采用电解质溶液对第二金属结构层进行刻蚀，以形成图案化的第二金属结构层，图案化的第二金属结构层包括源极和漏极；本申请通过将第一金属薄膜层、第二金属薄膜层和电解质溶液形成原电池，并以第二金属薄膜层为阳极，抑制了第一金属薄膜层的腐蚀速率，满足了窄沟道薄膜晶体管的应用需求。

The preparation method of array substrate and array substrate

【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制备方法及阵列基板
本申请涉及显示
，具体涉及一种阵列基板的制备方法及阵列基板。
技术介绍
目前，具有大尺寸、高帧率处理和可见光范围内穿透率高等显著优点的有源矩阵液晶显示和有源矩阵有机电致发光二极管在显示领域具有广阔的应用前景。随着显示面板尺寸的增大，为了进一步降低金属走线的电容-电阻延时效应，金属布线业已采用以铜为主要材料制备金属走线的技术路线。与此同时，为了增加显示面板的分辨率，在提高开口率的前提下，尽量使薄膜晶体管的尺寸达到最小化。然而，在采用刻蚀工艺对金属膜层进行图案化处理时，由于铜在刻蚀液中的腐蚀速率较快，通常会导致薄膜晶体管的沟道(源极和漏极之间的距离)变宽，因而无法满足窄沟道薄膜晶体管的应用需求。
技术实现思路
本申请提供一种阵列基板的制备方法及阵列基板，降低了铜在刻蚀液中的腐蚀速率，以满足窄沟道薄膜晶体管的应用需求。本申请提供一种阵列基板的制备方法，其包括以下步骤：提供一基板；在所述基板上形成图案化的第一金属结构层；在所述基板上形成绝缘层；在所述基板上形成半导体层；在所述半导体层上形成第二金属结构层，所述第二金属结构层包括依次形成的第一金属薄膜层和第二金属薄膜层；采用电解质溶液对所述第二金属结构层进行刻蚀，以形成图案化的所述第二金属结构层，图案化的所述第二金属结构层包括源极和漏极；其中，所述第一金属薄膜层、所述第二金属薄膜层和所述电解质溶液形成原电池，所述第二金属薄膜层为阳极。在本申请的阵列基板的制备方法中，所述在所述半导体层上形成第二金属结构层，包括以下步骤：采用溅镀工艺在所述半导体层上依次形成第三金属薄膜层、所述第一金属薄膜层和所述第二金属薄膜层，以形成所述第二金属结构层；在所述采用电解质溶液对所述第二金属结构层进行刻蚀，以形成图案化的所述第二金属结构层的步骤中，所述第一金属薄膜层、所述第三金属薄膜层和所述电解质溶液形成原电池，所述第三金属薄膜层为阳极。在本申请的阵列基板的制备方法中，所述第二金属薄膜层的厚度小于所述第三金属薄膜层的厚度。在本申请的阵列基板的制备方法中，采用电解质溶液对所述第二金属结构层进行刻蚀，以形成图案化的所述第二金属结构层，包括以下步骤：在所述第二金属结构层上形成一光阻层；采用掩模板对所述光阻层进行图案化处理，至少形成对应于所述第二金属结构层的源极设置区域和漏极设置区域的第一部分、以及对应于所述源极设置区域和所述漏极设置区域之间的沟道设置区域的第二部分，所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度；以图案化的所述光阻层为掩模，采用所述电解质溶液对所述第二金属结构层进行刻蚀，以形成初步图案化的所述第二金属结构层；灰化图案化的所述光阻层，薄化所述第一部分并去除所述第二部分，裸露出位于所述沟道设置区域的所述第二金属结构层；采用所述电解质溶液对所述初步图案化的所述第二金属结构层进行刻蚀，以至少形成所述源极、所述漏极以及所述源极和所述漏极之间的沟道；其中，在所述电解质溶液对所述初步图案化的所述第二金属结构层进行刻蚀的过程中，所述第一金属薄膜层、所述第二金属薄膜层和所述电解质溶液形成原电池，所述第二金属薄膜层为阳极；去除所述光阻层。在本申请的阵列基板的制备方法中，在所述采用电解质溶液对所述第二金属结构层进行刻蚀的步骤之后，还包括：采用所述电解质溶液对所述半导体层进行刻蚀，以形成图案化的所述半导体层。在本申请的阵列基板的制备方法中，所述在所述基板上形成图案化的第一金属结构层，包括以下步骤：在所述基板上依次形成第四金属薄膜层、第五金属薄膜层和第六金属薄膜层，以形成所述第一金属结构层；采用电解质溶液刻蚀所述第一金属结构层，以形成图案化的所述第一金属结构层；其中，所述第四金属薄膜层、所述第五金属薄膜层和所述电解质溶液形成原电池，所述第四金属薄膜层为阳极，所述第五金属薄膜层、所述第六金属薄膜层和所述电解质溶液形成原电池，所述第六金属薄膜层为阳极。在本申请的阵列基板的制备方法中，在所述形成图案化的所述第二金属结构层的步骤之后，还包括：在所述基板上形成图案化的保护层，所述保护层覆盖所述第二金属结构层；在所述保护层上形成图案化的像素电极层，所述像素电极层电连接于所述漏极。在本申请的阵列基板的制备方法中，所述电解质溶液为过氧化氢系刻蚀液。在本申请的阵列基板的制备方法中，所述第一金属薄膜层的材料为铜。在本申请的阵列基板的制备方法中，所述第二金属薄膜层的材料为钼、钛或镍中的一种或几种的组合。本申请还提供一种阵列基板，其包括：基板；第一金属结构层，所述第一金属结构层设置在所述基板上；绝缘层，所述绝缘层设置在所述基板上并覆盖所述第一金属结构层；半导体层，所述半导体层设置在所述绝缘层上；以及第二金属结构层，所述第二金属结构层设置在所述半导体层上；其中，所述第二金属结构层包括依次设置的第一金属薄膜层、第二金属薄膜层和第三金属薄膜层，且所述第三金属薄膜层的厚度小于所述第一金属薄膜层的厚度。相较于现有技术的阵列基板的制备方法，本申请的阵列基板的制备方法通过在第一金属薄膜层远离半导体层的一侧形成第二金属薄膜层，进而在采用电解质溶液对第二金属结构层进行刻蚀的过程中，使得第一金属薄膜层、第二金属薄膜层和电解质溶液形成原电池，并以第二金属薄膜层为该原电池的阳极，从而降低了第一金属薄膜层的腐蚀速率，满足了窄沟道薄膜晶体管的应用需求。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本申请实施例提供的阵列基板的制备方法的流程示意图；图2A-2H是本申请实施例提供的阵列基板的制备方法中步骤S101至步骤S108依次得到的结构示意图；图3是本申请实施例提供的阵列基板的制备方法中步骤S106的流程示意图；图4A-4D是本申请实施例提供的阵列基板的制备方法中步骤S1061至步骤S1066依次得到的结构示意图；图5是本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。需要说明的是，本申请的阵列基板的制备方法制得的阵列基板包括薄膜晶体管，其中薄膜晶体管可以为底栅型或顶栅型。本实施例的阵列基板的制备方法仅以底栅型薄膜晶体管为例进行说明，但并不限于此。请参阅图1和图2A-2H，图1为本申请实施例提供的阵列基板的制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供一基板；/n在所述基板上形成图案化的第一金属结构层；/n在所述基板上形成绝缘层；/n在所述基板上形成半导体层；/n在所述半导体层上形成第二金属结构层，所述第二金属结构层包括依次形成的第一金属薄膜层和第二金属薄膜层；/n采用电解质溶液对所述第二金属结构层进行刻蚀，以形成图案化的所述第二金属结构层，图案化的所述第二金属结构层包括源极和漏极；其中，所述第一金属薄膜层、所述第二金属薄膜层和所述电解质溶液形成原电池，所述第二金属薄膜层为阳极。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一基板；
在所述基板上形成图案化的第一金属结构层；
在所述基板上形成绝缘层；
在所述基板上形成半导体层；
在所述半导体层上形成第二金属结构层，所述第二金属结构层包括依次形成的第一金属薄膜层和第二金属薄膜层；
采用电解质溶液对所述第二金属结构层进行刻蚀，以形成图案化的所述第二金属结构层，图案化的所述第二金属结构层包括源极和漏极；其中，所述第一金属薄膜层、所述第二金属薄膜层和所述电解质溶液形成原电池，所述第二金属薄膜层为阳极。


2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述半导体层上形成第二金属结构层，包括以下步骤：
采用溅镀工艺在所述半导体层上依次形成第三金属薄膜层、所述第一金属薄膜层和所述第二金属薄膜层，以形成所述第二金属结构层；
在所述采用电解质溶液对所述第二金属结构层进行刻蚀，以形成图案化的所述第二金属结构层的步骤中，所述第一金属薄膜层、所述第三金属薄膜层和所述电解质溶液形成原电池，所述第三金属薄膜层为阳极。


3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第二金属薄膜层的厚度小于所述第三金属薄膜层的厚度。


4.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，采用电解质溶液对所述第二金属结构层进行刻蚀，以形成图案化的所述第二金属结构层，包括以下步骤：
在所述第二金属结构层上形成一光阻层；
采用掩模板对所述光阻层进行图案化处理，至少形成对应于所述第二金属结构层的源极设置区域和漏极设置区域的第一部分、以及对应于所述源极设置区域和所述漏极设置区域之间的沟道设置区域的第二部分，所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度；
以图案化的所述光阻层为掩模，采用所述电解质溶液对所述第二金属结构层进行刻蚀，以形成初步图案化的所述第二金属结构层；
灰化图案化的所述光阻层，薄化所述第一部分并去除所述第二部分，裸露出位于所述沟道设置区域的所述第二金属结构层；
采用所述电解质溶液对所述初步图案化的所述第二金属结构层进行刻蚀，以至少形成所述源极、所述漏极以及所述源极和所述漏极之间的沟道；其中，在所述电解质溶液对所述初步图案化的所述第二金属结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗传宝，田代，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44