【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法。
技术介绍
相关技术中的阵列基板上包括：衬底基板，位于该衬底基板上的多个用以控制对应像素进行显示的薄膜晶体管，位于该薄膜晶体管背离衬底基板一侧的钝化层和电极层，该电极层通过钝化层上设置通孔与薄膜晶体管的源漏电极层电连接。在阵列基板的制作过程中，通过在密闭腔室内充入混合气体并反应，将反应物沉积在衬底基板上形成钝化层，在形成预设厚度的钝化层后，为防止密闭腔室内产生的静电对所形成的钝化层产生影响，需将反应后的残余气体保持一段时间后，并分阶段放出。但是，在保持该残余气体的过程中会在该钝化层上形成一层不稳定层，由于该残余气体的浓度及密闭腔室的压强均不足，导致所形成的不稳定层的硬度要远大于钝化层的硬度，使得在刻蚀过孔的过程中会出现尖角现象，从而导致在该不稳定层上形成的电极层在该尖角处会出现虚断现象，易被腐蚀，影响信号的正常传输，导致显示质量下降。因此，如何在形成钝化层的过程中防止不稳定层的出现，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。专利...
【技术保护点】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供一衬底基板；/n在充满第一反应气体的密闭腔室内，在所述衬底基板上形成第一钝化层；/n在形成所述第一钝化层后，抽出所述密闭腔室内的残余气体；/n在所述密闭腔室内充入预设气体，并保持第一预设时间段后抽出，完成所述第一钝化层的制作，其中，所述预设气体在所述密闭腔室内稳定存在。/n
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底基板；
在充满第一反应气体的密闭腔室内，在所述衬底基板上形成第一钝化层；
在形成所述第一钝化层后，抽出所述密闭腔室内的残余气体；
在所述密闭腔室内充入预设气体，并保持第一预设时间段后抽出，完成所述第一钝化层的制作，其中，所述预设气体在所述密闭腔室内稳定存在。
2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在充满反应气体的密闭腔室内，在所述衬底基板上形成第一钝化层，具体包括：
将所述衬底基板置于所述密闭腔室内；
通过所述密闭腔室的进气口充入所述第一反应气体；
所述第一反应气体在所述密闭腔室内反应第二预设时间段，反应产物逐渐沉积在所述衬底基板上形成预设厚度的所述第一钝化层。
3.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一反应气体为包含有硅离子和氮离子的混合气体。
4.如权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一反应气体为：SiH4、NH3和N2的混合气体。
5.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述形成所述第一钝化层后，抽出所述密闭腔室内的残余气体之后，所述方法包括：
多次循环执行所述在所述密闭腔室内充入预设气体，并保持第一预设时间段后抽出的步骤。
6.如权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟，张志强，刘汉青，李阳恒，贾明明，李鑫，宋勇，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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