一种阵列基板及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制作方法，通过在形成第一钝化层后直接将残余气体抽出该密闭腔室，防止残余气体反应在第一钝化层上形成不稳定层；并且在残余气体抽出后会在密闭腔室内充入预设气体，并保持第一预设时间后抽出，该预设气体的保持可以有效的缓解静电对钝化层的损伤。即通过上述制作方法形成的阵列基板既可以防止静电对钝化层的损伤，也可以避免不稳定层的形成，避免刻蚀过程中尖角的出现，从而保证了位于钝化层上的电极层的均匀连续性，实现信号的有效传输，提高显示质量。

An array substrate and its fabrication method

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法。
技术介绍
相关技术中的阵列基板上包括：衬底基板，位于该衬底基板上的多个用以控制对应像素进行显示的薄膜晶体管，位于该薄膜晶体管背离衬底基板一侧的钝化层和电极层，该电极层通过钝化层上设置通孔与薄膜晶体管的源漏电极层电连接。在阵列基板的制作过程中，通过在密闭腔室内充入混合气体并反应，将反应物沉积在衬底基板上形成钝化层，在形成预设厚度的钝化层后，为防止密闭腔室内产生的静电对所形成的钝化层产生影响，需将反应后的残余气体保持一段时间后，并分阶段放出。但是，在保持该残余气体的过程中会在该钝化层上形成一层不稳定层，由于该残余气体的浓度及密闭腔室的压强均不足，导致所形成的不稳定层的硬度要远大于钝化层的硬度，使得在刻蚀过孔的过程中会出现尖角现象，从而导致在该不稳定层上形成的电极层在该尖角处会出现虚断现象，易被腐蚀，影响信号的正常传输，导致显示质量下降。因此，如何在形成钝化层的过程中防止不稳定层的出现，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种阵列基板及其制作方法，以避免在形成钝化层的过程中出现不稳定层。一方面，本专利技术实施例提供了一种阵列基板的制作方法，所述方法包括：提供一衬底基板；在充满第一反应气体的密闭腔室内，在所述衬底基板上形成第一钝化层；在形成所述第一钝化层后，抽出所述密闭腔室内的残余气体；在所述密闭腔室内充入预设气体，并保持第一预设时间段后抽出，完成所述第一钝化层的制作，其中，所述预设气体在所述密闭腔室内稳定存在。在一种可能的实施方式中，在本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法中，所述在充满反应气体的密闭腔室内，在所述衬底基板上形成第一钝化层，具体包括：将所述衬底基板置于所述密闭腔室内；通过所述密闭腔室的进气口充入所述第一反应气体；所述第一反应气体在所述密闭腔室内反应第二预设时间段，反应产物逐渐沉积在所述衬底基板上形成预设厚度的所述第一钝化层。在一种可能的实施方式中，在本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法中，所述第一反应气体为包含有硅离子和氮离子的混合气体。在一种可能的实施方式中，在本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法中，所述第一反应气体为：SiH4、NH3和N2的混合气体。在一种可能的实施方式中，在本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法中，在所述形成所述第一钝化层后，抽出所述密闭腔室内的残余气体之后，所述方法包括：多次循环执行所述在所述密闭腔室内充入预设气体，并保持第一预设时间段后抽出的步骤。在一种可能的实施方式中，在本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法中，在形成所述第一钝化层之前，所述方法还包括：在所述密闭腔室内，在所述衬底基板上依次形成第三钝化层和第二钝化层，其中，所述第一钝化层、所述第二钝化层和所述第三钝化层的硬度依次递增。在一种可能的实施方式中，在本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法中，所述在所述密闭腔室内，在所述衬底基板上依次形成第三钝化层和第二钝化层，具体包括：在所述密闭腔室内，采用第二反应气体形成所述第三钝化层；在所述第三钝化层背离所述衬底基板的一侧，采用第三反应气体形成所述第二钝化层；其中，所述第二反应气体和所述第三反应气体与所述第一反应气体的组分相同，且所述第一反应气体、所述第二反应气体和所述第三反应气体在所述密闭腔室内的浓度依次递减。在一种可能的实施方式中，在本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法中，在完成所述第一钝化层的制作之后，所述方法还包括：在预设位置处采用一道刻蚀工艺依次刻蚀所述第一钝化层、所述第二钝化层和所述第三钝化层，在所述第一钝化层指向所述衬底基板的方向上形成开口面积依次递减的过孔；在所述第一钝化层背离所述衬底基板的一侧形成电极层，所述电极层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述过孔和所述第一钝化层。在一种可能的实施方式中，在本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法中，所述电极层为氧化铟锡透明电极层。另一方面，本专利技术实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板采用上述任一实施例提供的阵列基板的制作方法形成。本专利技术的有益效果：本专利技术实施例提供了一种阵列基板及其制作方法，该阵列基板的制作方法包括：提供一衬底基板；在充满第一反应气体的密闭腔室内，在所述衬底基板上形成第一钝化层；在形成所述第一钝化层后，抽出所述密闭腔室内的残余气体；在所述密闭腔室内充入预设气体，并保持第一预设时间段后抽出，完成所述第一钝化层的制作，其中，所述预设气体在所述密闭腔室内稳定存在。通过在形成第一钝化层后直接将残余气体抽出该密闭腔室，防止残余气体反应在第一钝化层上形成不稳定层；并且在残余气体抽出后会在密闭腔室内充入预设气体，并保持第一预设时间后抽出，该预设气体的保持可以有效的缓解静电对钝化层的损伤。即通过上述制作方法形成的阵列基板既可以防止静电对钝化层的损伤，也可以避免不稳定层的形成，避免刻蚀过程中尖角的出现，从而保证了位于钝化层上的电极层的均匀连续性，实现信号的有效传输，提高显示质量。附图说明图1为相关技术中阵列基板的剖面结构示意图；图2为相关技术中阵列基板的钝化层的剖面结构示意图；图3为图2刻蚀过孔后的钝化层的剖面结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法流程图；图5为本专利技术实施例提供在密闭腔室内形成钝化层的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的钝化层刻蚀过孔后的剖面结构示意图。具体实施方式相关技术中的阵列基板，如图1所示，包括：衬底基板01，依次位于该衬底基板01上的栅极层02、栅极绝缘层03、源漏电极层04、平坦化层05、第一电极层06、钝化层07和第二电极层08，其中，第一电极,06通过位于平坦化层05中的过孔与源漏电极层04连接，第二电极层08通过贯穿钝化层07和平坦化层05的过孔与源漏电极层04连接。在阵列基板的性能检测过程中，第二电极08在与源漏电极层04连接的过孔处(如图1所示的A区域处)易被腐蚀，出现第二电极08虚断的现象。经检查发现，该虚断现象是由于在形成钝化层07的过程中出现的尖角现象导致的。具体为，钝化层07的形成是在避免腔室通过混合气体反应，反应物沉积在衬底基板01上所形成。如图2所示，钝化层07的具体结构包括：依次形成位于第一电极层06背离衬底基板01一侧的底层钝化层071、中层钝化层072和顶层钝化层073。但是，在形成完顶层钝化层073后，为防止密闭腔室内的静电对该顶层钝化层073产生影响，需将反应后的残余气体保持一段时间后，并分阶段放出。但是，在保持该残余气体的过程中会在顶层钝化层073上形成一层不稳定层074，由于该残余气体的浓度及密闭腔室的压强均不足，导致所形成的不稳定层074的硬度要远大于顶层钝化层073的硬度，且该不稳定层074的厚度约在2nm左右，从而在刻蚀过孔T1时，导致该不稳定层074的横向本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供一衬底基板；/n在充满第一反应气体的密闭腔室内，在所述衬底基板上形成第一钝化层；/n在形成所述第一钝化层后，抽出所述密闭腔室内的残余气体；/n在所述密闭腔室内充入预设气体，并保持第一预设时间段后抽出，完成所述第一钝化层的制作，其中，所述预设气体在所述密闭腔室内稳定存在。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底基板；
在充满第一反应气体的密闭腔室内，在所述衬底基板上形成第一钝化层；
在形成所述第一钝化层后，抽出所述密闭腔室内的残余气体；
在所述密闭腔室内充入预设气体，并保持第一预设时间段后抽出，完成所述第一钝化层的制作，其中，所述预设气体在所述密闭腔室内稳定存在。


2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在充满反应气体的密闭腔室内，在所述衬底基板上形成第一钝化层，具体包括：
将所述衬底基板置于所述密闭腔室内；
通过所述密闭腔室的进气口充入所述第一反应气体；
所述第一反应气体在所述密闭腔室内反应第二预设时间段，反应产物逐渐沉积在所述衬底基板上形成预设厚度的所述第一钝化层。


3.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一反应气体为包含有硅离子和氮离子的混合气体。


4.如权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一反应气体为：SiH4、NH3和N2的混合气体。


5.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述形成所述第一钝化层后，抽出所述密闭腔室内的残余气体之后，所述方法包括：
多次循环执行所述在所述密闭腔室内充入预设气体，并保持第一预设时间段后抽出的步骤。


6.如权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟，张志强，刘汉青，李阳恒，贾明明，李鑫，宋勇，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11