有源矩阵基板的制造方法及有源矩阵基板技术

本发明专利技术提供一种可以在不降低像素的开口率的情况下进行修复处理的有源矩阵基板的制造方法。本发明专利技术的有源矩阵基板的制造方法，包括：工序(A)，在多个像素的每一个上形成薄膜晶体管元件、第一绝缘膜、经由至少设置在第一绝缘膜上的接触孔而与薄膜晶体管元件的漏极连接的像素电极、第二绝缘膜、在接触孔的外部经由第二绝缘膜而与像素电极重叠的公共电极；工序(B)，检测包括在多个像素中的短路像素；工序(C)，在短路像素的接触孔的内部中，去除像素电极，像素电极和漏极绝缘；工序(D)，在短路像素的接触孔的外部中，形成贯通第二绝缘膜的贯通口，经由贯通口而像素电极和公共电极连接。

Manufacturing method of active matrix substrate and active matrix substrate

【技术实现步骤摘要】
有源矩阵基板的制造方法及有源矩阵基板
本专利技术涉及一种有源矩阵基板的制造方法及有源矩阵基板。
技术介绍
具有薄膜晶体管元件的有源矩阵基板作为液晶显示装置、有机电致发光显示装置等的显示装置的构成构件而广泛被应用(例如，参照专利文献1至3)。薄膜晶体管元件作为开关元件的功能，具体地，构成为，在扫描信号提供给栅极的时刻，提供给源极的图像信号依次经由半导体层和漏极提供给像素电极。现有技术文献专利文献专利文献1：特开2010-145667号公报专利文献2：特开2007-52128号公报专利文献3：特开2000-171826号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题在这种有源矩阵基板中，在制造工序中可能发生源极和漏极的短路、栅极和漏极的短路等缺陷。因此，可能产生通过薄膜晶体管元件不能适当地控制向像素电极提供图像信号(施加电压)的短路像素(像素缺陷)。例如，在边缘场切换(FFS，FringeFieldSwitching)模式的液晶显示装置用的有源矩阵基板中，由于设置薄膜晶体管元本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，包括：/n工序(A)，在多个像素的每一个上形成薄膜晶体管元件、第一绝缘膜、经由至少设置在所述第一绝缘膜上的接触孔而与所述薄膜晶体管元件的漏极连接的像素电极、第二绝缘膜、在所述接触孔的外部经由所述第二绝缘膜而与所述像素电极重叠的公共电极；/n工序(B)，检测包括在所述多个像素中的短路像素；/n工序(C)，在所述短路像素的所述接触孔的内部中，去除所述像素电极，所述像素电极和所述漏极绝缘；/n工序(D)，在所述短路像素的所述接触孔的外部中，形成贯通所述第二绝缘膜的贯通口，经由所述贯通口而所述像素电极和所述公共电极连接。/n

【技术特征摘要】
20180724 US 62/7028951.一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，包括：
工序(A)，在多个像素的每一个上形成薄膜晶体管元件、第一绝缘膜、经由至少设置在所述第一绝缘膜上的接触孔而与所述薄膜晶体管元件的漏极连接的像素电极、第二绝缘膜、在所述接触孔的外部经由所述第二绝缘膜而与所述像素电极重叠的公共电极；
工序(B)，检测包括在所述多个像素中的短路像素；
工序(C)，在所述短路像素的所述接触孔的内部中，去除所述像素电极，所述像素电极和所述漏极绝缘；
工序(D)，在所述短路像素的所述接触孔的外部中，形成贯通所述第二绝缘膜的贯通口，经由所述贯通口而所述像素电极和所述公共电极连接。


2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，在所述工序(C)中，通过照射激光去除所述像素电极。


3.根据权利要求2所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，在所述工序(C)中照射的激光的波长为紫外线的波长以下。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，在所述工序(D)中...

【专利技术属性】
技术研发人员：森嶋昭文，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP