阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板技术

本发明专利技术提供一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板，阵列基板的制造方法包括：在衬底基板上依次沉积透明导电层和栅极金属层，并进行第一次光刻工艺，以形成像素电极和栅极；在形成有像素电极和栅极的衬底基板上依次沉积栅极绝缘层、金属氧化物半导体层以及保护层，并进行第二次光刻工艺，以形成金属氧化物半导体图形、保护图形、源极和漏极与金属氧化物半导体图形的接触过孔、以及漏极与像素电极的接触过孔；在形成有金属氧化物半导体图形和保护图形的衬底基板上沉积源漏极金属层，并进行第三光刻工艺，以形成源极和漏极，并使漏极和像素电极电连接。本发明专利技术能够减少光刻工艺过程的次数，工艺简单，制作成本低。

Manufacturing method of array substrate, array substrate and display panel

【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板
本专利技术涉及液晶显示领域，尤其涉及一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板。
技术介绍
随着显示技术的发展，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，简称LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄、无辐射等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、笔记本电脑等各种消费性电子产品中，成为显示装置中的主流。液晶显示面板一般由相对设置的阵列基板、彩膜基板以及夹设在阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子层组成。通过在阵列基板和彩膜基板之间施加驱动电压，可控制液晶分子旋转，从而使背光模组的光线折射出来产生画面。现有技术提供的阵列基板的制造方法包括六次光刻工艺过程，包括：第一步：在玻璃基板上沉积金属层，进行第一次光刻工艺，形成栅极；第二步，依次沉积栅极绝缘层和铟镓锌氧化物IGZO半导体层，进行第二次光刻工艺，以形成有源岛图形；第三步，沉积刻蚀阻挡层，并进行第三次光刻工艺，以形成刻蚀阻挡图形；第四步，沉积源漏极金属层，并进行第四次光刻工艺，以形成源极和漏极；第五步，沉积钝化层和平坦化层，并进行第五次光刻工艺，以形成导电过孔；第六步，沉积透明导电薄膜，并进行第六次光刻工艺，以形成像素电极以及导电过孔和像素电极的连通图形。上述现有技术提供的六次光刻工艺过程，工艺复杂，制作成本高。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板，能够减少光刻工艺过程的次数，工艺简单，制作成本低。第一方面，本专利技术提供一种阵列基板的制造方法，包括：在衬底基板上依次沉积透明导电层和栅极金属层，并进行第一次光刻工艺，以形成像素电极和栅极；在形成有像素电极和栅极的衬底基板上依次沉积栅极绝缘层、金属氧化物半导体层以及保护层，并进行第二次光刻工艺，以形成金属氧化物半导体图形、保护图形、源极和漏极与金属氧化物半导体图形的接触过孔、以及漏极与像素电极的接触过孔；在形成有金属氧化物半导体图形和保护图形的衬底基板上沉积源漏极金属层，并进行第三光刻工艺，以形成源极和漏极，并使漏极和像素电极电连接。第二方面，本专利技术提供一种阵列基板，包括衬底基板、像素电极、栅极、透明导电图形、栅极绝缘层、金属氧化物半导体图形、源极、漏极、以及保护图形，像素电极设置在衬底基板上，透明导电图形和像素电极设置在同层，栅极设置在透明导电图形之上，栅极绝缘层覆盖在设有栅极和像素电极的衬底基板上，金属氧化物保护图形和保护图形依次设置在栅极绝缘层上，源极和漏极的至少部分结构设置在金属氧化物半导体图形上，漏极与像素电极电连接，且像素电极和栅极在同一次光刻工艺中形成。第三方面，本专利技术提供一种显示面板，包括彩膜基板、液晶层和上述的阵列基板，液晶层夹设在彩膜基板和阵列基板之间。本专利技术实施例提供的阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板，阵列基板的制造方法包括：在衬底基板上依次沉积透明导电层和栅极金属层，并进行第一次光刻工艺，以形成像素电极和栅极；在形成有像素电极和栅极的衬底基板上沉积栅极绝缘层、金属氧化物半导体层以及保护层，并进行第二次光刻工艺，以形成金属氧化物半导体图形、保护图形、源极和漏极与所述金属氧化物半导体图形的接触过孔、以及所述漏极与所述像素电极的接触过孔；在形成有金属氧化物半导体图形和保护图形的衬底基板上沉积源漏极金属层，并进行第三光刻工艺，以形成源极和漏极。通过将透明导电层形成在栅极金属层下方，因此可以在同一个光刻工艺中同时形成像素电极和栅极，这与现有技术中像素电极形成在平坦化层上方、栅极形成在平坦化层下方，需要在两次光刻工艺中形成像素电极和栅极的情况相比，减少了一次光刻工艺的次数，因此制作工艺简单，制作成本低。附图说明为了更清楚地说明本专利技术或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例一提供的阵列基板的制造方法的流程示意图；图2为本专利技术实施例一提供的阵列基板的制造方法中阵列基板处于第一状态时的结构示意图；图3为本专利技术实施例一提供的阵列基板的制造方法中阵列基板处于第二状态时的结构示意图；图4为本专利技术实施例一提供的阵列基板的制造方法中、第二次光刻工艺中第一次刻蚀之后的阵列基板的结构示意图；图5为本专利技术实施例一提供的阵列基板的制造方法中、第二次光刻工艺中第二次刻蚀之后的阵列基板的结构示意图；图6为本专利技术实施例一提供的阵列基板的制造方法中阵列基板的结构示意图；图7为本专利技术实施例一提供的阵列基板的制造方法中阵列基板的俯视图；图8为本专利技术实施例二提供的阵列基板的结构示意图；图9为本专利技术实施例二提供的另一种结构的阵列基板的结构示意图。附图标记：1-衬底基板；2-像素电极；3-栅极；4-栅极绝缘层；5’-金属氧化物半导体层；6’-保护层；5-金属氧化物半导体图形；6-保护图形；7-源极；8-漏极；9-漏极和像素电极的接触过孔；10-第一过孔；10’-第二过孔；11-隔离过孔；80-第一光刻胶图案；81-光刻胶部分保留区域；82-光刻胶完全去除区域。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术中的附图，对本专利技术中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例一图1为本专利技术实施例一提供的阵列基板的制造方法的流程示意图，如图1所示，本实施例的阵列基板的制造方法，包括：S10、在衬底基板1上依次沉积透明导电层和栅极金属层，并进行第一次光刻工艺，以形成像素电极2和栅极3。具体可选的，在衬底基板1、例如玻璃基板上采用溅射或热蒸发的方法依次沉积上厚度约为的透明导电层和厚度为的栅金属层。透明导电层一般为ITO，IZO，也可以是其它的透明电极层，栅金属层可以选用Cr、W、Cu、Ti、Ta、Mo、等金属或合金，由多层金属组成的栅金属层也能满足需要。通过一次灰色调或者半色调掩膜版光刻工艺后，形成透明的像素电极2和栅极3。需要注意的是由于在衬底基板1上先沉积透明导电层再沉积栅金属层，因此在栅极3和衬底基板1之间夹设有透明导电金属材料，这样可以增加栅极3和衬底基板1的附着性。通过将透明导电层形成在栅极金属层下方，因此可以在同一个光刻工艺中同时形成像素电极2和栅极3，这与现有技术中像素电极2形成在平坦化层上方、栅极3形成在平坦化层下方，需要在两次光刻工艺中形成像素电极2和栅极3的情况相比，减少了一次光刻工艺的次数，因此使整个阵列基板的制作工艺简单，制作成本低。S20、在形成有像素电极2和栅极3的衬底基板1上依次沉积栅极绝缘层4、金属氧化物半导体层5’以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：/n在衬底基板上依次沉积透明导电层和栅极金属层，并进行第一次光刻工艺，以形成像素电极和栅极；/n在形成有所述像素电极和栅极的衬底基板上依次沉积栅极绝缘层、金属氧化物半导体层以及保护层，并进行第二次光刻工艺，以形成金属氧化物半导体图形、保护图形、源极和漏极与所述金属氧化物半导体图形的接触过孔、以及所述漏极与所述像素电极的接触过孔；/n在形成有金属氧化物半导体图形和保护图形的衬底基板上沉积源漏极金属层，并进行第三光刻工艺，以形成源极和漏极，并使所述漏极和所述像素电极电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上依次沉积透明导电层和栅极金属层，并进行第一次光刻工艺，以形成像素电极和栅极；
在形成有所述像素电极和栅极的衬底基板上依次沉积栅极绝缘层、金属氧化物半导体层以及保护层，并进行第二次光刻工艺，以形成金属氧化物半导体图形、保护图形、源极和漏极与所述金属氧化物半导体图形的接触过孔、以及所述漏极与所述像素电极的接触过孔；
在形成有金属氧化物半导体图形和保护图形的衬底基板上沉积源漏极金属层，并进行第三光刻工艺，以形成源极和漏极，并使所述漏极和所述像素电极电连接。


2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第二次光刻工艺通过半色调掩膜版工艺或者灰色调掩膜版工艺进行。


3.根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述进行第二次光刻工艺，以形成金属氧化物半导体图形、保护图形、源极和漏极与所述金属氧化物半导体图形的接触过孔、以及所述漏极与所述像素电极的接触过孔，具体包括：
在所述保护层之上设置光刻胶，并通过构图工艺形成第一光刻胶图案，其中所述第一光刻胶图案包括光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域以及光刻胶完全去除区域，所述光刻胶部分保留区域对应形成第一过孔和第二过孔的区域，所述光刻胶完全去除区域对应所述漏极和像素电极的接触过孔以及隔离过孔的区域，其中，所述第一过孔和第二过孔分别用于使源极和漏极与所述半导体图形接触，所述隔离过孔用于形成金属氧化物图形；
刻蚀掉光刻胶完全去除区域内的所述保护层、金属氧化物半导体层、以及栅极绝缘层；
去除所述光刻胶部分保留区域的所述光刻胶并减薄所述光刻胶完全保留区域的所述光刻胶，刻蚀掉光刻胶部分保留区域内的所述保护层。


4.根据权利要求3所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，
所述隔离过孔在所述衬底基板上的投影环绕所述源极和所述漏极设置。


5.根据权利要求3所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在形...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘翔，
申请(专利权)人：成都中电熊猫显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51