阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板技术

本发明专利技术提供一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板。阵列基板的制造方法包括：在衬底基板上间隔形成金属氧化物半导体图形和低温多晶硅半导体图形，在金属氧化物半导体图形和低温多晶硅半导体图形上依次沉积栅极绝缘层和栅极金属层，并进行光刻工艺，以在金属氧化物半导体图形的上方形成第一栅极，在低温多晶硅半导体图形的上方形成第二栅极；在第一栅极和第二栅极上沉积金属氧化物保护层，在金属氧化物保护层上形成与金属氧化物半导体图形连接的第一源极和第一漏极，并在金属氧化物保护层上形成与低温多晶硅半导体图形连接的第二源极和第二漏极。本发明专利技术能够降低显示面板的功耗。

Manufacturing method of array substrate, array substrate and display panel

【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板
本专利技术涉及平面显示
，尤其涉及一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板。
技术介绍
平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(LiquidCrystalDisplay，LCD)及有机发光二极管显示器件(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)。目前，平板显示器件向大尺寸、高集成度、高分辨率、高驱动频率方向发展，对迁移率的要求越来越高，目前使用的多晶硅TFT不能进行大尺寸平板显示，因而基于LTPS(LowTemperaturePoly-silicon，低温多晶硅)TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)的面板技术成为主流。在经历过去数年的改良，LTPS显示面板拥有高分辨率、高反应速度、高亮度、高开口率等优势，使其成为了当今市面上最成熟和主流的TFT面板技术方案。然而，低温多晶硅TFT虽然迁移率高，但是TFT的关态电流大，用其驱动显示面板时，存在功耗较高的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板，能够降低显示面板的功耗。第一方面，本专利技术提供一种阵列基板的制造方法，包括：在衬底基板上间隔形成金属氧化物半导体图形和低温多晶硅半导体图形，其中，金属氧化物半导体图形位于与阵列基板的显示区域对应的区域内；在金属氧化物半导体图形和低温多晶硅半导体图形上依次沉积栅极绝缘层和栅极金属层，并进行光刻工艺，以在金属氧化物半导体图形的上方形成第一栅极，在低温多晶硅半导体图形的上方形成第二栅极；在第一栅极和第二栅极上沉积金属氧化物保护层，在金属氧化物保护层上形成与金属氧化物半导体图形连接的第一源极和第一漏极，并在金属氧化物保护层上形成与低温多晶硅半导体图形连接的第二源极和第二漏极。第二方面，本专利技术提供一种阵列基板，采用上述的阵列基板的制造方法制造而成。第三方面，本专利技术提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。本专利技术实施例提供的阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板，由于金属氧化物TFT形成在与显示区域对应的区域内，用于驱动像素电极，而金属氧化物TFT迁移率高，有非常好的关态电流，用其驱动像素电极可以降低显示面板的功耗，与低温多晶硅TFT配合使用，既可以满足显示面板高迁移率的要求也可以减小功耗，可以更好地满足大尺寸液晶显示器和有机发光二极管显示器件的需求。附图说明为了更清楚地说明本专利技术或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例一提供的阵列基板的制造方法的流程示意图；图2为本专利技术实施例一提供的阵列基板的制作方法中阵列基板处于第一状态时的结构示意图；图3为本专利技术实施例一提供的阵列基板的制造方法中阵列基板处于第二状态时的结构示意图；图4为本专利技术实施例一提供的阵列基板的制造方法中阵列基板处于第三状态时的结构示意图；图5为本专利技术实施例一提供的阵列基板的制造方法中阵列基板处于第四状态时的结构示意图；图6为本专利技术实施例一提供的阵列基板的制造方法中阵列基板处于第五状态时的结构示意图；图7为本专利技术实施例一提供的阵列基板的制造方法中阵列基板处于第六状态时的结构示意图；图8为本专利技术实施例一提供的阵列基板的制造方法中阵列基板处于第七状态时的结构示意图；图9为本专利技术实施例二提供的阵列基板的结构示意图。附图标记：1-玻璃基板；2-遮光层；3-第一缓冲层；4-金属氧化物半导体图形；5-低温多晶硅半导体图形；6-栅极绝缘层；7-第一栅极；8-第二栅极；9-金属氧化物保护层；10-第一源极；10’-第一漏极；11-第二源极；11’-第二漏极；12-导电过孔；13-钝化层；14-像素电极；15-第一过孔；16-第二过孔。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术中的附图，对本专利技术中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例一图1为本专利技术实施例一提供的阵列基板的制造方法的流程示意图，如图1所示，本实施例的阵列基板的制造方法，包括：S10、在衬底基板上间隔形成金属氧化物半导体图形4和低温多晶硅半导体图形5，其中，金属氧化物半导体图形4位于与阵列基板的显示区域对应的区域内。由于金属氧化物半导体图形4位于与阵列基板的显示区域对应的区域内，因此金属氧化物TFT形成在与显示区域对应的区域内，用于驱动像素电极14，金属氧化物TFT迁移率高，有非常好的关态电流，用其驱动像素电极14可以降低显示面板的功耗，也可以更好地满足大尺寸液晶显示器和有机发光二极管显示器件的需求。可选的，在衬底基板上间隔形成金属氧化物半导体图形4和低温多晶硅半导体图形5，具体包括：在形成有金属氧化物半导体图形4的衬底基板上沉积非晶硅膜；利用退火工艺将非晶硅膜形成为多晶硅膜，并通过光刻工艺形成低温多晶硅半导体图形5。首先，在衬底基板上通过溅射或热蒸发的方法沉积上厚度约为的金属氧化物半导体层，金属氧化物半导体层可以是IGZO，也可以采用Ln-IZO、ITZO、ITGZO、HIZO、IZO(InZnO)、ZnO:F、In2O3:Sn、In2O3:Mo、Cd2SnO4、ZnO:Al、TiO2:Nb、Cd-Sn-O或其他金属氧化物，然后通过一次光刻工艺形成金属氧化物半导体图形4。其次，在形成有金属氧化物半导体图形4的衬底基板上通过等离子体增强化学的气相沉积法方法连续沉积厚度为的非晶硅，然后对非晶硅膜进行高温退火，如使用ELA退火(准分子激光退火)在短时间内，使非晶硅膜融化，重新结晶生长成多晶硅膜；当然，也可以使用快速的退火炉进行高温退火，如在600℃以上的温度退火，使非晶硅膜融化再次生长成多晶硅膜；通过一次光刻工艺形成低温多晶硅半导体图形5。或者，作为另一种可选的实施方式，在衬底基板上间隔形成金属氧化物半导体图形4和低温多晶硅半导体图形5，具体包括：在形成有金属氧化物半导体图形4的衬底基板上沉积氧化硅膜，并在氧化硅薄膜上沉积非晶硅膜；利用退火工艺将非晶硅膜形成为多晶硅膜，并通过光刻工艺形成低温多晶硅半导体图形5。具体的，首先，在衬底基板上通过溅射或热蒸发的方法沉积上厚度约为的金属氧化物半导体层，金属氧化物半导体层可以是IGZO，也可以采用Ln-IZO、ITZO、ITGZO、HIZO、IZO(InZnO)、ZnO:F、In2O3:Sn、In2O3:Mo、Cd2SnO4、ZnO:Al、TiO2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：/n在衬底基板上间隔形成金属氧化物半导体图形和低温多晶硅半导体图形，其中，所述金属氧化物半导体图形位于与阵列基板的显示区域对应的区域内；/n在所述金属氧化物半导体图形和低温多晶硅半导体图形上依次沉积栅极绝缘层和栅极金属层，并进行光刻工艺，以在所述金属氧化物半导体图形的上方形成第一栅极，在所述低温多晶硅半导体图形的上方形成第二栅极；/n在所述第一栅极和第二栅极上沉积金属氧化物保护层，在金属氧化物保护层上形成与所述金属氧化物半导体图形连接的第一源极和第一漏极，并在所述金属氧化物保护层上形成与所述低温多晶硅半导体图形连接的第二源极和第二漏极。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上间隔形成金属氧化物半导体图形和低温多晶硅半导体图形，其中，所述金属氧化物半导体图形位于与阵列基板的显示区域对应的区域内；
在所述金属氧化物半导体图形和低温多晶硅半导体图形上依次沉积栅极绝缘层和栅极金属层，并进行光刻工艺，以在所述金属氧化物半导体图形的上方形成第一栅极，在所述低温多晶硅半导体图形的上方形成第二栅极；
在所述第一栅极和第二栅极上沉积金属氧化物保护层，在金属氧化物保护层上形成与所述金属氧化物半导体图形连接的第一源极和第一漏极，并在所述金属氧化物保护层上形成与所述低温多晶硅半导体图形连接的第二源极和第二漏极。


2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在衬底基板上间隔形成金属氧化物半导体图形和低温多晶硅半导体图形，具体包括：
在形成有金属氧化物半导体图形的衬底基板上沉积非晶硅膜；
利用退火工艺将所述非晶硅膜形成为多晶硅膜，并通过光刻工艺形成所述低温多晶硅半导体图形。


3.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在衬底基板上间隔形成金属氧化物半导体图形和低温多晶硅半导体图形，具体包括：
在形成有金属氧化物半导体图形的衬底基板上沉积氧化硅膜，并在所述氧化硅膜上沉积非晶硅膜；
利用退火工艺将所述非晶硅膜形成为多晶硅膜，并通过光刻工艺形成所述低温多晶硅半导体图形。


4.根据权利要求1-3任...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘翔，
申请(专利权)人：成都中电熊猫显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51