阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板技术

本发明专利技术提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板。阵列基板的制作方法包括：在衬底基板上沉积栅极金属层，并进行第一次光刻工艺，以在衬底基板上形成栅极；在形成有栅极的衬底基板上依次沉积栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、以及光刻胶，并通过构图工艺在光刻胶上形成具有光刻胶的完全去除区域的第一光刻胶图案，其中，光刻胶的完全去除区域对应将要形成源极和漏极的区域；通过电镀在光刻胶的完全去除区域中沉积金属层，以分别形成源极和漏极；剥离光刻胶；进行第二次光刻工艺，以使金属氧化物半导体层形成金属氧化物半导体图形。本发明专利技术能够提高TFT器件的性能，从而提高阵列基板的可靠性。

Fabrication method of array substrate, array substrate and display panel

【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板
本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。为了实现高分辨率显示，作为TFT-LCD中的主要驱动元件，薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)器件的尺寸需要实现“小型化”，而实现背沟道刻蚀(BackChannelEtching，简称BCE)结构是TFT器件尺寸“小型化”的关键。此外，BCE-TFT的制作工艺简单，成本较低。更重要的是，其沟道尺寸定义精度高，容易实现器件尺寸的“小型化”。在现有的采用背沟道刻蚀的阵列基板的制造过程中，在金属氧化物半导体图形和栅极绝缘层上沉积源漏极金属层，利用一次刻蚀工艺对所述源漏极金属层进行图案化的刻蚀后，得到源极、漏极以及位于源极和漏极之间的沟道，即通过一次刻蚀工艺去除金属氧化物半导体图形上侧的部分源漏极金属层，从而制作出沟道结构。在形成所述源极与漏极的刻蚀过程中，随着刻蚀的进行，金属氧化物半导体图形逐渐露出而与刻蚀介质直接接触。上述制造过程中，由于位于源极、漏极的沟道位置处的金属氧化物半导体图形直接与刻蚀介质接触，因此容易受到损害而生成副产物，降低TFT器件的性能，从而导致阵列基板的可靠性较差。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板，能够避免对沟道位置处的金属氧化物半导体层的损伤，提高阵列基板的可靠性。第一方面，本专利技术提供一种阵列基板的制作方法，包括：在衬底基板上沉积栅极金属层，并进行第一次光刻工艺，以在衬底基板上形成栅极；在形成有栅极的衬底基板上依次沉积栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、以及光刻胶，并通过构图工艺在光刻胶上形成具有光刻胶的完全去除区域的第一光刻胶图案，其中，光刻胶的完全去除区域对应将要形成源极和漏极的区域；通过电镀在光刻胶的完全去除区域中沉积金属层，以分别形成源极和漏极；剥离光刻胶；进行第二次光刻工艺，以使金属氧化物半导体层形成金属氧化物半导体图形。第二方面，本专利技术提供一种阵列基板，包括：衬底基板、栅极、栅极绝缘层、金属氧化物半导体图形、源极和漏极，栅极设置在所述衬底基板之上，栅极绝缘层覆盖在所述栅极以及衬底基板的上方，金属氧化物半导体图形覆盖部分栅极绝缘层且位于所述栅极的上方，源极和漏极均设置在金属氧化物半导体图形之上，且源极和漏极之间具有沟道区域，其中，源极和漏极通过电镀工艺形成。第三方面，本专利技术提供一种显示面板，包括彩膜基板、液晶层和上述的阵列基板，所述液晶层夹设在所述彩膜基板和所述阵列基板之间本专利技术的阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板。如上所述，在阵列基板的制作方法中，在栅极绝缘层上沉积金属氧化物半导体层之后，并未立即对金属氧化物半导体层进行图案化，而是在金属氧化物半导体层之上沉积光刻胶，并将光刻胶图案化，形成具有光刻胶的完全去除区域的第一光刻胶图案，通过电镀在光刻胶的完全去除区域中沉积金属层，以分别形成源极和漏极，在形成源极和漏极之后再对金属氧化物半导体层进行图案化以形成金属氧化物半导体图案，这样，在电镀形成源极和漏极的过程中，金属氧化物半导体层中与沟道对应的区域由光刻胶进行保护，并未受到损害，在源极、漏极形成后对金属氧化物半导体图案进行图案化的过程中，沟道部分由相应光刻工艺中的光刻胶作为掩膜进行保护，与现有技术中沟道位置处的金属氧化物半导体层直接与刻蚀介质接触相比，在整个制作过程中，做到了沟道的零损伤。因此能够提高TFT器件的性能，从而提高阵列基板的可靠性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例一提供的阵列基板的制作方法的流程示意图；图2为本专利技术实施例一提供的阵列基板的制作方法中阵列基板处于第一状态时的结构示意图；图3为本专利技术实施例一提供的阵列基板的制作方法中阵列基板处于第二状态时的结构示意图；图4为本专利技术实施例一提供的阵列基板的制作方法中阵列基板处于第三状态时的结构示意图；图5为本专利技术实施例一提供的阵列基板的制作方法中阵列基板处于第四状态时的结构示意图；图6为本专利技术实施例一提供的阵列基板的制作方法中阵列基板处于第五状态时的结构示意图；图7为本专利技术实施例一提供的阵列基板的制作方法中阵列基板处于第六状态时的结构示意图；图8为本专利技术实施例一提供的阵列基板的制作方法中阵列基板处于第七状态时的结构示意图；图9为本专利技术实施例二提供的阵列基板的结构示意图；图10为现有技术中的阵列基板上的薄膜晶体管的性能测试图；图11为本专利技术实施例二提供的阵列基板上的薄膜晶体管的性能测试图；图12为现有技术中的阵列基板在腐蚀试验后的结果的示意图；图13为本专利技术实施例二提供的阵列基板在腐蚀试验后的结果的示意图。附图标记：1-衬底基板；2-栅极；3-栅极绝缘层；50-金属氧化物半导体层；5-金属氧化物半导体图形；6-光刻胶；61-光刻胶的完全去除区域；7-源极；8-漏极；81-金属缓冲层；82-金属主体层；9-金属氧化物保护层；91-导电过孔；92-像素电极。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术中的附图，对本专利技术中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例一图1为本专利技术实施例一提供的阵列基板的制作方法的流程示意图，如图1所示，本实施例的阵列基板的制作方法，包括：S10、在衬底基板上沉积栅极金属层，并进行第一次光刻工艺，以在衬底基板上形成栅极。图2为本专利技术实施例一提供的阵列基板的制作方法中阵列基板处于第一状态时的结构示意图，参考图2所示，首先需要在衬底基板1上沉积栅极金属层，具体地，沉积栅极金属层采用溅射或热蒸发的方法，栅极金属层可以选用W、Cu、Ti、Ta、Mo、等金属或合金，由多层金属组成的栅极金属层也能满足需要。其次对栅极金属层进行第一光刻工艺，以在阵列基板的开关区域形成栅极2。此外，实际中，阵列基板上会包含多个由扫描线和数据线定义出的子像素区域，每个子像素区域中均设有一个薄膜晶体管器件，为了便于说明，本申请的附图中，均只绘制出其中一个子像素区域的制作示意图，可以理解的是，本申请中的阵列基板包括多个子像素区域，因此，在本申请的阵列基板的制作过程中，所提到的在衬底基板1上形成栅极2具本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：/n在衬底基板上沉积栅极金属层，并进行第一次光刻工艺，以在所述衬底基板上形成栅极；/n在形成有所述栅极的衬底基板上依次沉积栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、以及光刻胶，并通过构图工艺在所述光刻胶上形成具有光刻胶的完全去除区域的第一光刻胶图案，其中，所述光刻胶的完全去除区域对应将要形成源极和漏极的区域；/n通过电镀在所述光刻胶的完全去除区域中沉积金属层，以分别形成所述源极和所述漏极；/n剥离所述光刻胶；/n进行第二次光刻工艺，以使所述金属氧化物半导体层形成金属氧化物半导体图形。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上沉积栅极金属层，并进行第一次光刻工艺，以在所述衬底基板上形成栅极；
在形成有所述栅极的衬底基板上依次沉积栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、以及光刻胶，并通过构图工艺在所述光刻胶上形成具有光刻胶的完全去除区域的第一光刻胶图案，其中，所述光刻胶的完全去除区域对应将要形成源极和漏极的区域；
通过电镀在所述光刻胶的完全去除区域中沉积金属层，以分别形成所述源极和所述漏极；
剥离所述光刻胶；
进行第二次光刻工艺，以使所述金属氧化物半导体层形成金属氧化物半导体图形。


2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述通过电镀在所述光刻胶的完全去除区域中沉积金属层，以分别形成所述源极和所述漏极，具体包括：
进行第一次电镀工艺，在所述光刻胶的完全去除区域中形成金属缓冲层；
进行第二次电镀工艺，在所述金属缓冲层上形成金属主体层，以分别形成源极和漏极，其中，所述金属缓冲层和所述金属主体层所包含的金属不同。


3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一次电镀工艺的电镀溶液包含钼离子、钨离子、钛离子的至少一种，所述第二次电镀工艺的电镀溶液包含铜离子。


4.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述金属缓冲层的厚度小于所述金属主体层的厚度。


5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述进行第二次光刻工艺，以使所述金属氧化物半导体层形成金属氧化物半导体图形之后还...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘翔，
申请(专利权)人：成都中电熊猫显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51